有機(jī)發(fā)光二極管的制備及工藝優(yōu)化研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-06 04:01
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有寬視角、對(duì)比度高、功耗低等優(yōu)點(diǎn),具有廣闊的應(yīng)用前景。雖然這一研究領(lǐng)域發(fā)展良好,但不管在單色光器件還是白光器件方面,仍然存在一些缺點(diǎn),需要工藝優(yōu)化來提升器件性能。本文在以下三方面工作進(jìn)行對(duì)器件的工藝優(yōu)化研究。1.本論文基于橘黃色發(fā)光材料(fbi)2Ir(acac),選用能級(jí)匹配的主體材料Tc Ta和Cz Si,分別制備了單、雙發(fā)光層器件,分別進(jìn)行摻雜濃度和發(fā)光層厚度的工藝優(yōu)化研究。雙發(fā)光層器件取得了較好的性能。雙發(fā)光層器件在摻雜濃度、發(fā)光層厚度分別為2 wt%、10 nm時(shí)性能最佳。其最大亮度、電流效率、功率效率和外量子效率分別為22312 cd/m2、45.12 cd/A、36.33 lm/W和17.0%。2.橘黃光(fbi)2Ir(acac)材料結(jié)合藍(lán)色磷光FIrpic材料制備了雙發(fā)光層互補(bǔ)色白光器件。通過分別對(duì)(fbi)2Ir(acac)和FIrpic摻雜濃度的工藝優(yōu)化,提升了器件性能,縮小了色坐標(biāo)(CIE)的變化范圍。性能最好的白光器件的最大電流效率和外量子效率分...
【文章來源】:長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理圖
9第2章實(shí)驗(yàn)部分2.1實(shí)驗(yàn)藥品和試劑實(shí)驗(yàn)所用藥品和試劑名稱、純度和生產(chǎn)廠家如表2.1所示。表2.1實(shí)驗(yàn)所需藥品、試劑及其純度和生產(chǎn)廠家表藥品和試劑名稱純度廠家丙酮分析純BeijingChemistryWorkTAPC電子純LuminescenceTechnologyCorpDBzA電子純LuminescenceTechnologyCorpTm3PyP26PyBTcTa電子純電子純LuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorp無水乙醇分析純BeijingChemistryWorkIr(mppy)3電子純LuminescenceTechnologyCorpHAT-CN電子純LuminescenceTechnologyCorp26DCzPPy電子純LuminescenceTechnologyCorpLiF電子純LuminescenceTechnologyCorpCzSi(fbi)2Ir(acac)FIrpic電子純電子純電子純LuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorp本實(shí)驗(yàn)蒸鍍工藝所用各類材料如圖2.1、2.2、2.3和2.4所示。圖2.1空穴注入材料的分子結(jié)構(gòu)式
14穴-電子對(duì),利于空穴傳輸?shù)较乱粚樱ǹ昭▊鬏攲樱,從而降低空穴注入?shì)壘,提高空穴注入能力。圖3.1CzSi為主體材料的單發(fā)光層器件的能級(jí)結(jié)構(gòu)圖摻雜有0.1wt%的HAT-CN的TAPC材料作空穴傳輸層和電子阻擋層,從HOMO能級(jí)上分析,橘黃色發(fā)光材料(fbi)2Ir(acac)的HOMO能級(jí)比TAPC高0.4eV,CzSi的HOMO比TAPC低0.5eV,(fbi)2Ir(acac)形成空穴陷阱,有利于空穴從TAPC傳輸?shù)桨l(fā)光材料(fbi)2Ir(acac)上。同時(shí),TAPC與CzSi的HOMO能級(jí)勢(shì)壘較大,從TAPC傳輸?shù)街黧w材料CzSi分子上的空穴較少,有利于發(fā)光材料對(duì)空穴的俘獲。從LUMO能級(jí)上分析,空穴傳輸材料TAPC的LUMO能級(jí)為-1.8eV,主體材料CzSi的LUMO能級(jí)為-2.5eV,兩者相差0.7eV,可見形成了較大的能級(jí)勢(shì)壘,電子難以從主體材料CzSi傳輸?shù)娇昭▊鬏敳牧,有效阻擋電子傳輸(shù)疥枠O。在發(fā)光層,(fbi)2Ir(acac)和CzSi分別作發(fā)光材料和主體材料,(fbi)2Ir(acac)的LUMO和HOMO能級(jí)分別為-2.7eV和-5.1eV,CzSi的LUMO和HOMO能級(jí)分別為-2.5eV和-6.0eV,可見,(fbi)2Ir(acac)的LUMO能級(jí)比CzSi的低0.2eV,HOMO比CzSi的高0.9eV。CzSi的能隙(3.5eV)較大,(fbi)2Ir(acac)的HOMO能級(jí)和LUMO能級(jí)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Effects of organic acids modified ITO anodes on luminescent properties and stability of OLED devices[J]. 胡俊濤,葉康利,黃陽,王鵬,許凱,王向華. Optoelectronics Letters. 2018(04)
本文編號(hào):3386706
【文章來源】:長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理圖
9第2章實(shí)驗(yàn)部分2.1實(shí)驗(yàn)藥品和試劑實(shí)驗(yàn)所用藥品和試劑名稱、純度和生產(chǎn)廠家如表2.1所示。表2.1實(shí)驗(yàn)所需藥品、試劑及其純度和生產(chǎn)廠家表藥品和試劑名稱純度廠家丙酮分析純BeijingChemistryWorkTAPC電子純LuminescenceTechnologyCorpDBzA電子純LuminescenceTechnologyCorpTm3PyP26PyBTcTa電子純電子純LuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorp無水乙醇分析純BeijingChemistryWorkIr(mppy)3電子純LuminescenceTechnologyCorpHAT-CN電子純LuminescenceTechnologyCorp26DCzPPy電子純LuminescenceTechnologyCorpLiF電子純LuminescenceTechnologyCorpCzSi(fbi)2Ir(acac)FIrpic電子純電子純電子純LuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorp本實(shí)驗(yàn)蒸鍍工藝所用各類材料如圖2.1、2.2、2.3和2.4所示。圖2.1空穴注入材料的分子結(jié)構(gòu)式
14穴-電子對(duì),利于空穴傳輸?shù)较乱粚樱ǹ昭▊鬏攲樱,從而降低空穴注入?shì)壘,提高空穴注入能力。圖3.1CzSi為主體材料的單發(fā)光層器件的能級(jí)結(jié)構(gòu)圖摻雜有0.1wt%的HAT-CN的TAPC材料作空穴傳輸層和電子阻擋層,從HOMO能級(jí)上分析,橘黃色發(fā)光材料(fbi)2Ir(acac)的HOMO能級(jí)比TAPC高0.4eV,CzSi的HOMO比TAPC低0.5eV,(fbi)2Ir(acac)形成空穴陷阱,有利于空穴從TAPC傳輸?shù)桨l(fā)光材料(fbi)2Ir(acac)上。同時(shí),TAPC與CzSi的HOMO能級(jí)勢(shì)壘較大,從TAPC傳輸?shù)街黧w材料CzSi分子上的空穴較少,有利于發(fā)光材料對(duì)空穴的俘獲。從LUMO能級(jí)上分析,空穴傳輸材料TAPC的LUMO能級(jí)為-1.8eV,主體材料CzSi的LUMO能級(jí)為-2.5eV,兩者相差0.7eV,可見形成了較大的能級(jí)勢(shì)壘,電子難以從主體材料CzSi傳輸?shù)娇昭▊鬏敳牧,有效阻擋電子傳輸(shù)疥枠O。在發(fā)光層,(fbi)2Ir(acac)和CzSi分別作發(fā)光材料和主體材料,(fbi)2Ir(acac)的LUMO和HOMO能級(jí)分別為-2.7eV和-5.1eV,CzSi的LUMO和HOMO能級(jí)分別為-2.5eV和-6.0eV,可見,(fbi)2Ir(acac)的LUMO能級(jí)比CzSi的低0.2eV,HOMO比CzSi的高0.9eV。CzSi的能隙(3.5eV)較大,(fbi)2Ir(acac)的HOMO能級(jí)和LUMO能級(jí)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Effects of organic acids modified ITO anodes on luminescent properties and stability of OLED devices[J]. 胡俊濤,葉康利,黃陽,王鵬,許凱,王向華. Optoelectronics Letters. 2018(04)
本文編號(hào):3386706
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