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離子輻照PI電學(xué)性能與結(jié)構(gòu)演化及激光退火影響研究

發(fā)布時間:2021-09-06 01:37
  離子輻照技術(shù)能量輸入高效,對材料的宏觀性能與微觀結(jié)構(gòu)均產(chǎn)生重要影響,而激光退火技術(shù)能夠?qū)Σ牧媳砻娼Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生有效的調(diào)制作用。本文采用N/Ar離子輻照及輻照后激光退火對聚酰亞胺材料的電學(xué)性能進(jìn)行改性,闡明了材料性能演化規(guī)律,表征了改性材料的微觀結(jié)構(gòu)和離子輻照損傷行為,揭示了離子輻照及輻照后的激光退火處理對聚酰亞胺材料的改性機(jī)制。研究結(jié)果表明,N/Ar離子輻照改性將提升聚酰亞胺材料的載流子濃度,降低材料電阻率,對于140 ke V 2E16 cm-2 N離子輻照試樣,材料電阻率降低至109.0Ω·cm,較之原始樣品(2.3×1016Ω·cm)降低14個數(shù)量級。材料在可見光波段的透過率顯著降低,吸光度升高,光學(xué)帶隙值降低,從而使得電子更易躍遷為載流子。離子輻照后,材料產(chǎn)生了g因子值為2.0025的熱解碳自由基,隨著位移吸收劑量的增加,自由基含量上升,二次微分譜半峰寬降低,半峰寬在高注量N離子輻照試樣中降低更明顯。材料內(nèi)部的未成對電子壽命增長,自旋狀態(tài)趨于穩(wěn)定,表面結(jié)構(gòu)向局域化狀態(tài)轉(zhuǎn)變。離子輻照改性產(chǎn)生的位移損傷使得酰胺環(huán)開環(huán),氨基與羰基降解,呈現(xiàn)出由s... 

【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:83 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

離子輻照PI電學(xué)性能與結(jié)構(gòu)演化及激光退火影響研究


脂肪型和芳香性聚酰亞胺

聚酰亞胺,單體結(jié)構(gòu),材料


哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文-3-能較高的一種,已被廣泛應(yīng)用于絕緣材料、介電材料和電子信息材料柔性基底等行業(yè)當(dāng)中[6]。總的來說,PI是目前處于高分子材料金字塔頂端的材料,有巨大的發(fā)展?jié)摿。然而,因其極高的電絕緣性能(電阻率可達(dá)1016-1017Ω·cm量級)與表面絕緣效應(yīng),為了保證聚酰亞胺材料在電子電氣領(lǐng)域的應(yīng)用,調(diào)整和控制其電學(xué)性能與表面電學(xué)性能變化行為是十分必要的。除此之外,聚酰亞胺是高度剛性的分子,在加工過程當(dāng)中難以較好成型,縮合型聚酰亞胺的這種劣勢更為明顯,分子鏈一旦在加工過程中閉環(huán)就很容易得到不熔不溶的聚合物。聚酰亞胺材料的主鏈上主要包含苯環(huán)和酰亞胺環(huán),由于這種結(jié)構(gòu)的電子極化特點(diǎn)和結(jié)晶度,導(dǎo)致聚酰亞胺存在明顯的分子鏈作用,從而導(dǎo)致:(1)傳統(tǒng)的聚酰亞胺不熔又不溶,難以加工;(2)所制得的材料在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用過程中難以兼顧膨脹系數(shù)與力學(xué)強(qiáng)度,另一方面,在應(yīng)用于光通信領(lǐng)域時難以解決透明度低的問題,影響使用效果;(3)粘結(jié)性能不理想;(4)材料固化所需溫度太高,對合成工藝的選擇較為苛刻。圖1-1脂肪型和芳香性聚酰亞胺圖1-2均苯型聚酰亞胺材料(PMDA-ODA)單體結(jié)構(gòu)式1.2.2聚酰亞胺材料在航天及電子信息領(lǐng)域的應(yīng)用(1)聚酰亞胺材料在太陽能電池中的應(yīng)用柔性薄膜電池在空間中的應(yīng)用非常廣泛,在極端環(huán)境下,不僅要求其重量較輕,同時要保證其在處于高-低溫環(huán)境以及劇烈震動時依然能夠保持優(yōu)良的機(jī)械及電學(xué)性能以及良好的耐輻射性能。這使得飛行器及航天器的壽命得以極大保障。因此,其基板材料常常選用聚酰亞胺。全芳香性熱塑性聚酰亞胺材料在日本SFU空間自由飛行器上得到了重要

輻照,離子,圖譜,聚酰亞胺


哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文-11-重離子注入對聚酰亞胺材料結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的影響較為明顯,Kim等人[51]選用氬離子與氧離子對聚酰亞胺材料進(jìn)行輻照,使其表面發(fā)生改性,接著在輻照表面上濺射金屬銅。研究發(fā)現(xiàn)提高兩種離子的輻照注量將使得聚酰亞胺表面與銅層之間的結(jié)合強(qiáng)度顯著提高。T.Kobayashi等[52]采用5×1017ions/cm2注量的W離子對聚酰亞胺材料進(jìn)行輻照改性,結(jié)果顯示,輻照完成后,聚酰亞胺薄膜表面輻照區(qū)域內(nèi)形成了W-C和W-O鍵,同時部分W原子由于濺射作用留在薄膜表面,輻照注量在1×1016-1×1017ions/cm2范圍內(nèi)材料改性表面的耐摩擦磨損性能將提升。Miková等[53]采用1MeV能量的Ni離子對聚酰亞胺材料進(jìn)行輻照,研究發(fā)現(xiàn)隨著輻照注量的升高,材料表面的粗糙度有降低趨勢,注量較低時并不明顯(1×1013ions/cm2、1×1014ions/cm2),注量達(dá)到1×1015ions/cm2時表面粗糙度有明顯下降。Kakitani等[54]采用560MeV能量的Xe離子輻照聚酰亞胺,制備出孔徑為0.83±0.02μm尺寸的離子軌道膜,之后采用100keV能量的Ar離子對離子軌道膜進(jìn)行輻照,使得粒子軌道內(nèi)壁發(fā)生碳化,其表面的RBS圖譜和拉曼圖譜見圖1-4。輻照后氧元素含量降低,碳元素含量上升,說明材料表面發(fā)生了降解并產(chǎn)生了碳元素的富集,拉曼光譜中出現(xiàn)了D峰和G峰,這是碳元素高度無序的表現(xiàn)。隨后采用Ar離子輻照后的碳化層作為電極,在離子軌道膜上沉積Pt從而得到納米Pt錐,其工藝流程如圖1-5。圖1-4100keVAr離子輻照后RBS及Raman圖譜[54]

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]空間遠(yuǎn)紫外輻照聚酰亞胺薄膜力學(xué)性能演化機(jī)理[J]. 沈自才,馬子良,代巍,牟永強(qiáng),白羽,丁義剛.  表面技術(shù). 2018(05)
[2]導(dǎo)電聚氨酯泡沫的制備[J]. 隋澤華,石培健,魏欣,張均,姜志國.  化學(xué)推進(jìn)劑與高分子材料. 2017(05)
[3]聚酰亞胺合成及應(yīng)用進(jìn)展[J]. 李華南,封偉,王挺.  吉林建筑大學(xué)學(xué)報. 2017(02)
[4]碳纖維/丙烯酸聚氨酯導(dǎo)電涂料制備及其性能研究[J]. 陳亮.  表面技術(shù). 2016(08)
[5]空間近紫外輻照聚酰亞胺薄膜力學(xué)性能演化機(jī)理[J]. 沈自才,高鴻,牟永強(qiáng),白羽,丁義剛,劉業(yè)楠,王志浩.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2016(04)
[6]激光刻蝕聚酰亞胺基底鋁薄膜的溫度場模擬[J]. 劉孝麗,熊玉卿,楊建平,王瑞,吳敢,任妮.  中國激光. 2015(07)
[7]高分子材料導(dǎo)電性能改善研究進(jìn)展[J]. 張盼,何宇航,張琪,劉亮亮,黎厚斌.  包裝學(xué)報. 2014(04)
[8]IKAROS太陽帆的關(guān)鍵技術(shù)分析與啟示[J]. 沈自才,張帆,趙春晴,劉宇明,丁義剛,牟永強(qiáng).  航天器工程. 2012(02)
[9]聚噻吩/多壁碳納米管復(fù)合材料結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電機(jī)理的研究[J]. 王紅敏,梁旦,韓菲菲,唐國強(qiáng),徐學(xué)誠.  化學(xué)學(xué)報. 2008(20)
[10]滲流理論在復(fù)合型導(dǎo)電高分子材料研究中的應(yīng)用[J]. 楊建高,劉成岑,施凱.  化工中間體. 2006(02)

碩士論文
[1]類玻璃碳膜和聚酰亞胺薄膜的紫外輻照改性研究[D]. 鐘方尚.西南交通大學(xué) 2018
[2]空間碎片撞擊供電太陽能電池陣的力電效應(yīng)研究[D]. 宋繼秋.沈陽理工大學(xué) 2018
[3]聚酰亞胺纖維增強(qiáng)樹脂基復(fù)合材料的制備與性能研究[D]. 陳樂.江南大學(xué) 2017



本文編號:3386475

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