隨著電子信息產業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的迅速發(fā)展,要求電子元器件向高頻化、小型化和集成化的方向發(fā)展,這便對作為電子元器件核心的軟磁材料提出了更高要求。但是,傳統(tǒng)的塊體軟磁材料受自身屬性的限制,很難具有GHz磁共振頻率和較高的磁導率。在這樣的背景和潛在需求的推動下,能夠工作于GHz微波頻段的軟磁納米薄膜受到了特別的關注。微型化磁性電子元器件對其性能的具體要求是:高飽和磁化強度、高電阻率、高穩(wěn)定性、低矯頑力、合適大小的面內磁各向異性場。此外,軟磁薄膜材料微型化后,電磁性能的變化也是器件集成化需要著重考慮的問題。制備納米薄膜材料的方法有很多種,包括傳統(tǒng)磁控濺射、熱蒸發(fā)和分子束外延等。但由于納米顆粒的超順磁特性,該類材料都展示出低的飽和磁化特性。本研究采用電場輔助沉積技術制備高致密度Fe基合金納米顆粒薄膜,并利用光刻剝離工藝對納米顆粒薄膜材料進行圖形化處理。同時對薄膜的微觀結構、靜態(tài)和微波特性進行了系統(tǒng)地研究。其主要研究結論如下:（1）研究了制備工藝參數(shù)對Fe₅₀Ni₅₀納米顆粒薄膜微觀結構和磁性能的影響。實驗結果表明,納米顆粒薄膜的飽和磁化強度隨沉積電場增加而顯... 

【文章來源】：鋼鐵研究總院北京市

【文章頁數(shù)】：128 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

不同傾斜角度對應樣品的微波磁譜

第一章 前言-2 所示，給出了不同 對應樣品的微波磁譜。從微波磁譜并通過 LLG 方曲線可以得出，當 從15°變化到56°時，有效阻尼因子eff 從0.036減小到部 "半高寬 f 從 1.49 減小到 1.27。理論和實驗結果表明，傾斜角度的實現(xiàn) FeCoB-ZnO 顆粒薄膜 GHz 微波特性的調控。

層膜對納米軟磁顆粒膜分析，其具有高的 MS值，低能夠應用于 GHz 微波領域。但是有一個不可回值和高 值之間有一個臨界點。即從獲得強的鐵希望材料中鐵磁性顆粒的含量盡可能的高；但從出發(fā)，希望其氧化物的含量盡可能增大。結合金屬大SM 值也只能有純磁性物質的 50%[32]。物質與其他物質（主要指非磁性金屬、反鐵磁導體等）在合適的載體上交替沉積而形成薄膜系下，每一層的厚度都在 nm 量級，但材料的總異性、界面相互作用、偶極相互作用、層間交換耦磁性層或者其他材料層的厚度，來實現(xiàn)多層膜磁，該類材料也受到了眾多材料研究人員的關注


本文編號：3378316