二維層狀二硫化鉬（MoS₂）具有優(yōu)異的物理和電學(xué)性質(zhì),導(dǎo)電聚合物具有光電磁等特性且柔韌性好、加工簡便,兩者的復(fù)合材料有望形成協(xié)同效應(yīng)而在儲能器件、太陽能電池和傳感器等方面發(fā)揮其應(yīng)用價值。通過鋰插層的方法先制備單層MoS2,再與單體原位聚合制備MoS2插層復(fù)合材料。油溶性的單體與單片層MoS2的水相體系不相容,難以獲得結(jié)構(gòu)規(guī)整的復(fù)合材料,通過引入模板β-環(huán)糊精（β-CD）,實現(xiàn)油溶性單體與水性單片層MoS2的均勻混合,可獲得結(jié)構(gòu)規(guī)整的MoS2/聚合物復(fù)合材料。對伊CD的磺化改性（β-CDSO3）,一方面提高了其水溶性,另一方面可實現(xiàn)對導(dǎo)電聚合物摻雜而提高其導(dǎo)電性。以鋰插層法制備MoS₂單片層懸浮液,以伊CD為模板,引入油溶性單體3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）、3-甲基噻吩（3MT）和吡咯（Py）,在水相中原位聚合分別制備出MoS2/PED0T、MoS2/P3MT和MoS2/Py復(fù)合材料。采用XRD、 FTIR、拉曼光譜等方法對材料進行表征,顯示出三種復(fù)合材料均結(jié)構(gòu)規(guī)整,MoS2以單片層的形式存在于復(fù)合材料中,導(dǎo)電聚合物均勻的插到MoS2的層間... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１?Ｍ化２的晶體結(jié)構(gòu)邸Ｗ??Ｆｉｇ?１．１?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?Ｍ０Ｓ２??

?口．０８１??ｙＳ－ＣＤ是其中研巧較多的一種環(huán)糊精，其價格便宜，易于制備。片ＣＤ具有７??個Ｄ（＋）－化喃葡萄糖，其結(jié)構(gòu)如圖１．２所示，仲瀉基在大口處，伯瀉基在小口處。??由于＾ＣＤ的特殊結(jié)構(gòu)使得它的性質(zhì)具有一定的特殊性。片ＣＤ的性質(zhì)有ｔ４９ｌ：?（１）??較好的水溶性，護ＣＤ表面的哲基使其能夠很好的與水形成氨鍵而溶解在水中；（２）??在堿性溶液中具有講好的穩(wěn)定性，而當(dāng)ｐＨ?＜３．５并且溫度高于６（ＴＣ時可發(fā)生水解；??（３）非還原性；（４）?ＣＤ水解后的唯一產(chǎn)物是葡萄糖；（５）高飄酸鹽氧化時不會??產(chǎn)生甲酸和甲酵；（６）相對剛性結(jié)構(gòu)；（７）毒性較低。??８??

首先是標(biāo)準(zhǔn)曲線的繪制，配置出質(zhì)量濃度分別為１６?＾ｉｇ／ｍＬ、３２?＾ｉｇ／ｍＬ、４８??｜ｘｇ／ｍＬ、６４＾ｉｇ／ｍＬ、８０｜ａ？ｇ／ｍＬ和９６＾ｉｇ／ｍＬ的ク－ＣＤ標(biāo)準(zhǔn)溶液。分別與蔥麗試劑發(fā)??生顯色反應(yīng)后，測量其紫外吸收如圖２．３。分別取其在波長？ｔ＝６２５ｎｍ處的吸光度，??Ｗ質(zhì)量濃度為橫坐標(biāo)，Ｗ相對應(yīng)的吸光度為縱坐標(biāo)繪制散點圖，并擬合出直線，??其方程式如式（２．３）：??Ａ＝０．００６４Ｃ－０．００４３?（２．３）??其中：Ａ為紫外吸光度，（：為片－〔０的質(zhì)量濃度（＾ｉｇ／ｍＬ）。??得到了標(biāo)準(zhǔn)曲線之后，按照同樣的方法分別測量稀釋后的待測濾液在波長??人＝６２５?ｎｍ處的吸光度。將吸光度代入上式中的Ａ后計算出稀釋后待測濾液中片??環(huán)糊精的含量，然后乘Ｗ稀釋的倍數(shù)最終得到待測液中的片ＣＤ的含量。??１８??

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3364091