硅基氧化鋅納米晶異質(zhì)結(jié)電致發(fā)光性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-25 21:44
ZnO作為光電性能優(yōu)異的第三代直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度為3.37 eV,激子束縛能高達(dá)60 meV。本文采用溶膠-凝膠法制備了基于ZnO納米晶的異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管。通過(guò)引入電子阻擋層(NiO)、表面修飾層(AZO)和稀土(Er3+)來(lái)提高ZnO納米晶器件的電致發(fā)光性能,主要內(nèi)容如下:(1)使用射頻磁控濺射和旋涂方法制備n-ZnO NCs/i-NiO/n-Si同型異質(zhì)結(jié)發(fā)光器件。對(duì)器件進(jìn)行電致發(fā)光和時(shí)間分辨熒光光譜測(cè)試,結(jié)果表明加入中間層(i-NiO)有效提高了空穴注入效率,使得器件的電致發(fā)光強(qiáng)度提高了約六倍。這項(xiàng)工作表明,i-NiO電子阻擋層可以有效地提高n-ZnO NCs/n-Si同型異質(zhì)結(jié)發(fā)光器件的性能。(2)提出一種利用和調(diào)控ZnO納米晶的本征缺陷發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)ZnO近白光電致發(fā)光的方法。使用AZO進(jìn)行表面修飾,成功將n-ZnO NCs/n-Si發(fā)光二極管的發(fā)光顏色調(diào)節(jié)為近白色。相對(duì)于紅光和藍(lán)光,AZO光譜“剪刀”對(duì)綠光的抑制作用更明顯。此外,在光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜中,通過(guò)ZnO NCs紫外區(qū)域的近帶邊發(fā)射峰的紅移,清楚地觀察到了量子尺寸效應(yīng)。(3)采用溶膠-凝膠的方法,分別制備了...
【文章來(lái)源】:廣西大學(xué)廣西壯族自治區(qū) 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:66 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1三種常見(jiàn)的ZtiO晶體結(jié)構(gòu)??
而這些本征缺陷在不同的外界條件下的形成能不同,因此在ZnO內(nèi)部各種缺??陷的濃度不同。通常情況下,Zn〇晶體的性質(zhì)主要受v〇、〇i、vZl^nzni這四種缺陷的??影響[22]。圖1-2展示了?ZnO本征缺陷能級(jí)在禁帶中的位置。雖然理想的ZnO是絕緣體,??但是由于其自身的生長(zhǎng)規(guī)律和結(jié)構(gòu)缺陷的原因,即使不摻雜的本征ZnO仍表現(xiàn)出n型??半導(dǎo)體的特性[22]。從圖中可以看出,除了?zni之外,其余三種均為深能級(jí)缺陷。??EC??t?t?t?t?t??4?111?I??Zni-=0.22eV?;?;?;?;??III?I??一士。、,?丨?!?Eg=3.37eV??0^2.28eV?i?I?y??、,十M',?Vn?=2.47eV??VZn^3.06eV?0??EV??圖1-2理想ZnO缺陷能級(jí)在禁帶中的位置??Figure?1-2?The?defect?level?position?in?the?band?of?ideal?ZnO??1.2.4?ZnO材料的制備方法??ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備方法主要有水熱法、溶膠-凝膠法、氣相輸運(yùn)法、磁控濺射法、??分子束外延和熱蒸發(fā)等。本文采用溶膠-凝膠法制備ZnO納米晶,磁控濺射法分別制備??3??
水相溶膠-凝膠工藝來(lái)制備高質(zhì)量的稀土摻雜ZnO納米晶薄膜材料,并研究它們?cè)诠杌??電致發(fā)光器件方面的應(yīng)用。??磁控濺射法是常見(jiàn)的薄膜制備方法。其原理如圖1-3所示,磁控濺射制備薄膜主要??分為以下步驟:(1)電子在外加電場(chǎng)的作用下,飛向基板,碰撞Ar原子,使其電離失??去電子變成Ar+;?(2)在電場(chǎng)的作用下,Ar+被加速并以高能量轟擊靶材表面發(fā)生濺射,??其中發(fā)生濺射的中性靶原子或者分子沉積在基片上,從而形成薄膜;(3)與Ar+—同產(chǎn)??生的二次電子同時(shí)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用,其運(yùn)動(dòng)軌跡被束縛和延長(zhǎng),在靶材表面附近??的等離子區(qū)域內(nèi)不斷地與Ar原子發(fā)生碰撞產(chǎn)生更多的Ar+,從而提高了電子對(duì)Ar原子??的電離幾率,有效的利用電子的能量,實(shí)現(xiàn)高的薄膜沉積速率。(4)隨著碰撞次數(shù)的增??力口,二次電子能量消耗殆盡,漸漸遠(yuǎn)離靶面,最后落在襯底上。其優(yōu)點(diǎn)也很突出,如:
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]Er摻雜ZnO穩(wěn)定性和光電性質(zhì)的第一性原理研究[D]. 蒙之森.廣西大學(xué) 2017
本文編號(hào):3362908
【文章來(lái)源】:廣西大學(xué)廣西壯族自治區(qū) 211工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:66 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1三種常見(jiàn)的ZtiO晶體結(jié)構(gòu)??
而這些本征缺陷在不同的外界條件下的形成能不同,因此在ZnO內(nèi)部各種缺??陷的濃度不同。通常情況下,Zn〇晶體的性質(zhì)主要受v〇、〇i、vZl^nzni這四種缺陷的??影響[22]。圖1-2展示了?ZnO本征缺陷能級(jí)在禁帶中的位置。雖然理想的ZnO是絕緣體,??但是由于其自身的生長(zhǎng)規(guī)律和結(jié)構(gòu)缺陷的原因,即使不摻雜的本征ZnO仍表現(xiàn)出n型??半導(dǎo)體的特性[22]。從圖中可以看出,除了?zni之外,其余三種均為深能級(jí)缺陷。??EC??t?t?t?t?t??4?111?I??Zni-=0.22eV?;?;?;?;??III?I??一士。、,?丨?!?Eg=3.37eV??0^2.28eV?i?I?y??、,十M',?Vn?=2.47eV??VZn^3.06eV?0??EV??圖1-2理想ZnO缺陷能級(jí)在禁帶中的位置??Figure?1-2?The?defect?level?position?in?the?band?of?ideal?ZnO??1.2.4?ZnO材料的制備方法??ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備方法主要有水熱法、溶膠-凝膠法、氣相輸運(yùn)法、磁控濺射法、??分子束外延和熱蒸發(fā)等。本文采用溶膠-凝膠法制備ZnO納米晶,磁控濺射法分別制備??3??
水相溶膠-凝膠工藝來(lái)制備高質(zhì)量的稀土摻雜ZnO納米晶薄膜材料,并研究它們?cè)诠杌??電致發(fā)光器件方面的應(yīng)用。??磁控濺射法是常見(jiàn)的薄膜制備方法。其原理如圖1-3所示,磁控濺射制備薄膜主要??分為以下步驟:(1)電子在外加電場(chǎng)的作用下,飛向基板,碰撞Ar原子,使其電離失??去電子變成Ar+;?(2)在電場(chǎng)的作用下,Ar+被加速并以高能量轟擊靶材表面發(fā)生濺射,??其中發(fā)生濺射的中性靶原子或者分子沉積在基片上,從而形成薄膜;(3)與Ar+—同產(chǎn)??生的二次電子同時(shí)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用,其運(yùn)動(dòng)軌跡被束縛和延長(zhǎng),在靶材表面附近??的等離子區(qū)域內(nèi)不斷地與Ar原子發(fā)生碰撞產(chǎn)生更多的Ar+,從而提高了電子對(duì)Ar原子??的電離幾率,有效的利用電子的能量,實(shí)現(xiàn)高的薄膜沉積速率。(4)隨著碰撞次數(shù)的增??力口,二次電子能量消耗殆盡,漸漸遠(yuǎn)離靶面,最后落在襯底上。其優(yōu)點(diǎn)也很突出,如:
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]Er摻雜ZnO穩(wěn)定性和光電性質(zhì)的第一性原理研究[D]. 蒙之森.廣西大學(xué) 2017
本文編號(hào):3362908
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