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H 2 /Ar流量比對(duì)納米金剛石形貌和結(jié)構(gòu)的影響

發(fā)布時(shí)間:2021-08-20 17:40
  目的研究不同H2/Ar流量比對(duì)納米金剛石形貌和結(jié)構(gòu)的影響。方法采用MPECVD法制備了質(zhì)量較好的納米金剛石薄膜,并通過(guò)SEM、XRD對(duì)金剛石薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)以及晶粒尺寸進(jìn)行了測(cè)試,還使用Raman對(duì)金剛石D峰、納米金剛石特征峰(TPA)的變化趨勢(shì)進(jìn)行了分析。結(jié)果當(dāng)Q(H2):Q(Ar)=50:49時(shí),制備的金剛石晶粒為亞微米范疇,其平均晶粒尺寸為250 nm,表面平整度較差,出現(xiàn)堆積層錯(cuò)現(xiàn)象,但金剛石特征峰(D峰)最強(qiáng),生長(zhǎng)速率達(dá)到最大,約為125 nm/h;Q(H2):Q(Ar)=10:89時(shí),表面平整度高,二次形核現(xiàn)象明顯,平均晶粒尺寸為20 nm;進(jìn)一步減小H2/Ar流量比為0時(shí),可發(fā)現(xiàn)晶粒由納米變?yōu)槌{米,二次形核更為明顯,表面平整更高,其平均晶粒尺寸為3 nm,另外Raman測(cè)試發(fā)現(xiàn)金剛石特征峰強(qiáng)度隨H2/Ar流量比的減小而減小,而納米金剛石特征峰隨H2/Ar流量比的減小而增大。結(jié)論隨著H2/Ar流量比的增加,金剛石表面平整... 

【文章來(lái)源】:表面技術(shù). 2017,46(01)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)

【部分圖文】:

H 2 /Ar流量比對(duì)納米金剛石形貌和結(jié)構(gòu)的影響


不同Q(H2)︰Q(Ar)條件下金剛石膜表面形貌圖

拉曼光譜圖,拉曼光譜圖,流量比,納米金剛石


撓跋臁?2.2Raman光譜分析測(cè)試采用RenishawRM-10001型激光光譜儀,激光波長(zhǎng)為632.8nm可見光,波數(shù)范圍是100~2800cm1。在富氬條件下可能發(fā)生的反應(yīng)如下:Ar+e→Ar*+e(其中Ar*是激發(fā)態(tài)的Ar原子)(1)Ar+e→Ar++2e(2)CH4+ArM(亞穩(wěn)態(tài))→CHx(x為0~3)+H+Ar(3)CH+CH→C2H2(4)CH2+CH2→C2H2+H2(5)C2H2+Ar*→C2H2++Ar(6)C2H2+Ar+→C2H2++Ar(7)C2H2++e→C2+Ar(8)C2H2+ArM→C2+H2+Ar(9)由圖3可知,4組不同H2/Ar流量比的樣品在520cm-1處都出現(xiàn)了明顯的硅峰,說(shuō)明膜層厚度較保另外,樣品1#到樣品4#,金剛石特征峰1332cm1的強(qiáng)度隨著H2/Ar流量比的減少而減弱,而納米金剛石特征峰1140cm1的強(qiáng)度卻逐漸增強(qiáng)。當(dāng)H2/Ar流量比為0時(shí),等離子體中形成NCD薄膜的關(guān)鍵性物質(zhì)C2增多,而H原子較少,這促進(jìn)了(3)—(9)的反應(yīng),生成較多的C2,促進(jìn)sp3相形成。而在可見光下,拉曼光譜對(duì)C—C雜化的sp2相更敏感,在Q(H2)︰Q(Ar)=50︰49的條件下,H原子刻蝕較嚴(yán)重,薄膜中sp2相的含量高,因此金剛石特征峰強(qiáng)度在Q(H2)︰Q(Ar)=0時(shí)比Q(H2)︰Q(Ar)=50︰49時(shí)弱得多。另外,納米金剛石特征峰(反式聚乙炔TPA)1140cm1的強(qiáng)度則是隨著H2/Ar流量比的減小而增強(qiáng),因?yàn)樵跓o(wú)氫或少氫的條件下,等離子體中的碳?xì)浠衔铮ò═PA)由于H原子含量不足而沒(méi)有被刻蝕,大部分被圖3不同Q(H2):Q(Ar)條件下拉曼光譜圖Fig3RamanspectraofdifferentQ(H2):Q(Ar)ratios保留了下來(lái),膜層中TPA含量在逐漸增加,所以在Q(H2)︰Q(Ar)=0時(shí)檢測(cè)出來(lái)的納米金剛石特征?

XRD圖譜,XRD圖譜,H原子,特征峰


2/Ar流量比的減小而增強(qiáng),因?yàn)樵跓o(wú)氫或少氫的條件下,等離子體中的碳?xì)浠衔铮ò═PA)由于H原子含量不足而沒(méi)有被刻蝕,大部分被圖3不同Q(H2):Q(Ar)條件下拉曼光譜圖Fig3RamanspectraofdifferentQ(H2):Q(Ar)ratios保留了下來(lái),膜層中TPA含量在逐漸增加,所以在Q(H2)︰Q(Ar)=0時(shí)檢測(cè)出來(lái)的納米金剛石特征峰非常強(qiáng),而在Q(H2)︰Q(Ar)=50︰49時(shí),H原子刻蝕嚴(yán)重,刻蝕掉了大部分非金剛石相和絕大多數(shù)的碳?xì)浠衔铮虼思{米金剛石峰不是很明顯。而在1590cm1的G峰變化不是很明顯。2.3XRD分析如圖4所示,測(cè)試時(shí)選取衍射角度范圍為10°~80°,在不同H2/Ar流量比的條件下,49.2°和75.3°處都出現(xiàn)了尖銳程度不同的峰,49.2°和75.3°分別對(duì)應(yīng)的是金剛石(111)和(220)特征峰。為了方便計(jì)算晶粒尺寸的精準(zhǔn)度,在計(jì)算時(shí)選。111)特征峰,由圖4可知,樣品1#(111)面特征峰強(qiáng),其強(qiáng)度大于樣品2#、3#、4#,但是晶粒尺寸最大,通過(guò)計(jì)算其平均晶粒尺寸為250nm,已達(dá)到亞微米金剛石級(jí)別。由圖2a可以看出,其晶粒尺寸較大,這可能是高H2條件下H原子的增長(zhǎng)速度比CH3以及二聚體C2的增加都快,H的萃取作用以及對(duì)非金剛石相的刻蝕作用增強(qiáng),使金剛石表面上的懸掛鍵增多,更有利于吸附其他含碳活性基團(tuán),促進(jìn)金剛石進(jìn)一步生長(zhǎng),此時(shí)雖然H鍵含量增加了,但H原子只有小部分嵌入金剛石表面形成氫終止結(jié)構(gòu)[25—27],該結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生有利于電子的導(dǎo)電,最后晶粒朝同一個(gè)方向快速生長(zhǎng),導(dǎo)致晶界減少,晶粒長(zhǎng)大。圖4不同Q(H2)︰Q(Ar)條件下XRD圖譜Fig.4XRDdiagramunderdifferentQ(H2)︰Q(Ar)ratios當(dāng)H2/Ar流量比提高到25︰74和10︰89時(shí),金剛石(111)面的特征峰強(qiáng)度相對(duì)于樣品1


本文編號(hào):3353938

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