發(fā)布時(shí)間：2021-08-20 13:07

　　采用粉末冶金工藝制備了不同配比的多粒徑（2μm+10μm+50μm） TiB₂/Cu復(fù)合材料。通過(guò)JF04C觸點(diǎn)材料測(cè)試系統(tǒng)對(duì)多粒徑TiB₂/Cu復(fù)合材料進(jìn)行耐電弧侵蝕性能試驗(yàn),研究（2μm+10μm+50μm） TiB₂顆粒質(zhì)量比分別為1∶1∶1、1∶1∶3、1∶3∶1、3∶1∶1時(shí),TiB₂/Cu復(fù)合材料的耐電弧侵蝕性能及電弧侵蝕形貌變化規(guī)律,探究多粒徑配比對(duì)TiB₂/Cu復(fù)合材料表層耐電弧侵蝕行為的影響。結(jié)果表明:當(dāng)（2μm+10μm+50μm） TiB₂顆粒質(zhì)量比為1∶1∶1時(shí),TiB₂/Cu復(fù)合材料相對(duì)密度和導(dǎo)電率最高,分別為99.1%和87.1%IACS。當(dāng)（2μm+10μm+50μm） TiB₂顆粒質(zhì)量比為1∶1∶1和1∶3∶1時(shí),TiB₂/Cu復(fù)合材料的組織均勻性較好,電弧侵蝕后材料損失相同,材料轉(zhuǎn)移量最少。其中,質(zhì)量比為1∶3∶1時(shí),TiB₂/Cu復(fù)合... 

【文章來(lái)源】：復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2020,37(10)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]不同接觸壓力和電極間距下AgTiB2觸頭的材料轉(zhuǎn)移行為（英文）[J]. 習(xí)勇,王獻(xiàn)輝,周子敬,李航宇,國(guó)秀花.  Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2019(05)
[2]多粒徑TiB2顆粒增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的制備與載流摩擦磨損性能[J]. 張勝利,國(guó)秀花,宋克興,梁淑華,周延軍.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2019(10)
[3]TiB2/Cu復(fù)合材料的電弧侵蝕行為[J]. 李國(guó)輝,劉勇,國(guó)秀花,馮江,宋克興,田保紅.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2018(03)
[4]摻雜納米SnO2-Al2O3/Cu新型電觸頭復(fù)合材料的制備及耐磨性能[J]. 陸東梅,楊瑞霞,王清周.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2016(12)
[5]鐵基復(fù)合材料碳化硅粒子混合尺寸增強(qiáng)作用機(jī)理[J]. 莊偉彬,宗亞平,張躍波,曹新建.  材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2013(01)

碩士論文
[1]HPT法制備多粒徑SiCp/Al基復(fù)合材料及組織性能研究[D]. 賀鵬.合肥工業(yè)大學(xué) 2015



本文編號(hào)：3353555