纖鋅礦核多殼層納米線因其可集成度高,亞閾值擺幅低等優(yōu)勢(shì)在光電子器件領(lǐng)域展示出應(yīng)用前景。光學(xué)聲子對(duì)載流子的散射是影響器件性能的主要機(jī)制之一,在室溫下常起主要作用。納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二維量子限制效應(yīng)使載流子更易局域在某一層,這使得局域光學(xué)聲子與電子的相互作用更強(qiáng)。當(dāng)各層材料組分接近時(shí),除局域聲子外,傳播光學(xué)聲子也對(duì)電子的散射有貢獻(xiàn)。含混晶的纖鋅礦多殼層納米線因其結(jié)構(gòu)復(fù)雜性以及混晶效應(yīng),使其局域模和傳播光學(xué)聲子靜電勢(shì)無(wú)解析表達(dá)式。因而,本文在計(jì)入混晶效應(yīng)的條件下給出這兩類光學(xué)聲子的轉(zhuǎn)移矩陣數(shù)值求解法的一般過(guò)程。具體過(guò)程為:以介電連續(xù)模型和Loudon單軸晶體模型為基礎(chǔ),從麥克斯韋方程組出發(fā)獲得各層材料中局域模和傳播光學(xué)聲子靜電勢(shì)的含未知系數(shù)的解析表達(dá)式;然后,依據(jù)材料界面處?kù)o電勢(shì)連續(xù)以及電位移矢量沿界面法線方向連續(xù)的條件,將各層聲子靜電勢(shì)的系數(shù)關(guān)系以轉(zhuǎn)移矩陣的形式給出,并根據(jù)聲子靜電勢(shì)的邊界條件,寫出局域模和傳播光學(xué)聲子的色散關(guān)系;最后,在求解色散關(guān)系所得頻率基礎(chǔ)上進(jìn)一步獲得聲子靜電勢(shì)。文中以纖鋅礦GaN/In_xGa_1-xN/In_y

【文章來(lái)源】：內(nèi)蒙古大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：42 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圓柱型纖鋅礦GaN/InxGa1-xN/InyGa1-yNCMSNW的示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]纖鋅礦準(zhǔn)一維GaN/AlxGa1 -xN量子阱線中的極化準(zhǔn)受限光學(xué)聲子模（英文）[J]. 張立.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2006(10)



本文編號(hào)：3343472