纖鋅礦核多殼層納米線因其可集成度高,亞閾值擺幅低等優(yōu)勢在光電子器件領域展示出應用前景。光學聲子對載流子的散射是影響器件性能的主要機制之一,在室溫下常起主要作用。納米線異質結構的二維量子限制效應使載流子更易局域在某一層,這使得局域光學聲子與電子的相互作用更強。當各層材料組分接近時,除局域聲子外,傳播光學聲子也對電子的散射有貢獻。含混晶的纖鋅礦多殼層納米線因其結構復雜性以及混晶效應,使其局域模和傳播光學聲子靜電勢無解析表達式。因而,本文在計入混晶效應的條件下給出這兩類光學聲子的轉移矩陣數(shù)值求解法的一般過程。具體過程為:以介電連續(xù)模型和Loudon單軸晶體模型為基礎,從麥克斯韋方程組出發(fā)獲得各層材料中局域模和傳播光學聲子靜電勢的含未知系數(shù)的解析表達式;然后,依據(jù)材料界面處靜電勢連續(xù)以及電位移矢量沿界面法線方向連續(xù)的條件,將各層聲子靜電勢的系數(shù)關系以轉移矩陣的形式給出,并根據(jù)聲子靜電勢的邊界條件,寫出局域模和傳播光學聲子的色散關系;最后,在求解色散關系所得頻率基礎上進一步獲得聲子靜電勢。文中以纖鋅礦GaN/In_xGa_1-xN/In_y

【文章來源】：內蒙古大學內蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：42 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圓柱型纖鋅礦GaN/InxGa1-xN/InyGa1-yNCMSNW的示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]纖鋅礦準一維GaN/AlxGa1 -xN量子阱線中的極化準受限光學聲子模（英文）[J]. 張立.  半導體學報. 2006(10)



本文編號：3343472