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V 2 O 5 /MXene納米復(fù)合材料制備及儲(chǔ)能性能

發(fā)布時(shí)間:2021-08-11 13:09
  利用氫氟酸(HF)刻蝕MAX(Ti3AlC2)相獲得一種新型二維層狀材料MXene(Ti3C2Tx),利用液相插層法擴(kuò)大MXene材料層間距,然后在MXene表面分別負(fù)載納米片狀(NSV)和納米帶狀(NBV)的五氧化二釩(V2O5).利用X射線衍射(XRD)、比表面積測試分析(BET)和高分辨場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)等手段對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征.結(jié)果表明:MXene層間距增加;且兩種形貌的五氧化二釩均勻的負(fù)載在MXene表面.這兩種納米復(fù)合材料的比表面積比MXene高,意味著它們可以為電化學(xué)反應(yīng)提供更多的活性位點(diǎn).利用多種電化學(xué)技術(shù)對(duì)V2O5,MXene和不同V2O5/MXene納米復(fù)合材料在1.0 mol·L-1 Na2SO4和1.0 mol·L-1 L... 

【文章來源】:工程科學(xué)學(xué)報(bào). 2020,42(08)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】:11 頁

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3336217

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