透明導(dǎo)電氧化物（TCOs）薄膜近來發(fā)展迅速,旨在研究GZO薄膜濺射功率變化對其結(jié)晶性能、表面形貌、電學(xué)性能以及光學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明,在采用直流磁控濺射制備GZO薄膜時(shí),存在一個(gè)較佳濺射功率范圍,有利于促進(jìn)GZO薄膜粒子擴(kuò)散遷移,生長及結(jié)晶性能的提升,薄膜內(nèi)載流子濃度和霍爾遷移率的增加,優(yōu)化薄膜電學(xué)性能。同時(shí)GZO薄膜表面由蜂窩狀形貌轉(zhuǎn)變?yōu)轭w粒狀形貌,薄膜透光性能相對較好。 

【文章來源】：中國陶瓷. 2020,56(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

GZO薄膜的XRD圖譜

圖2是不同濺射功率下制備的GZO薄膜的（002）衍射峰半高寬和靶電壓對比結(jié)果，根據(jù)結(jié)果我們發(fā)現(xiàn)，濺射功率增加時(shí)，半高寬先是逐漸降低之后略有增加，由0.297°降低至0.247°又增加至0.266°，不考慮其他影響因素，說明晶粒尺寸先增大后減��；靶電壓呈現(xiàn)持續(xù)上升的趨勢，由80 W時(shí)的346 V增加至240W時(shí)的432 V。根據(jù)GZO薄膜（002）衍射峰半高寬的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，說明功率增加，靶電壓增加的趨勢下，薄膜結(jié)晶質(zhì)量有提高，結(jié)合前面的分析，靶電壓提高證明腔室內(nèi)放電電壓提高，供給的能量增加，薄膜內(nèi)摻雜的Ga原子及ZnO晶格中的各原子具有更高能量位移至晶格處結(jié)晶，但靶電壓存在一個(gè)較佳區(qū)間，而不是越大越好，中間存在一個(gè)拐點(diǎn)，更高的靶電壓會(huì)產(chǎn)生高能的負(fù)離子，會(huì)對薄膜生長模式形成注入，損傷粒子的持續(xù)生長[1]，因此，功率過高使得薄膜結(jié)晶時(shí)形成缺陷，影響晶格的完整性。圖3 GZO薄膜的表面形貌（a:80W,b:120W,c:160W,d:200W,e:240W)

GZO薄膜的表面形貌（a:80W,b:120W,c:160W,d:200W,e:240W)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]磁控濺射制備納米晶GZO/CdS雙層膜及GZO/CdS/p-Si異質(zhì)結(jié)光伏器件的研究（英文）[J]. 何波,徐靜,寧歡頗,邢懷中,王春瑞,張曉東,莫觀孔,沈曉明.  紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2019(01)
[2]射頻濺射功率對室溫沉積AZO薄膜性能的影響[J]. 仲召進(jìn),曹欣,高強(qiáng),韓娜,崔介東,石麗芬,姚婷婷,馬立云,彭壽.  真空. 2019(01)
[3]直流磁控濺射功率對濺射生長GZO薄膜光電性能的影響[J]. 姚婷婷,楊勇,李剛,仲召進(jìn),張寬翔,蔣繼文,金克武,曹欣,吳可凡,王蕓,馬立云,彭壽.  材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2017(05)
[4]透明導(dǎo)電薄膜現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢[J]. 廖亞琴,李愿杰,黃添懋.  東方電氣評(píng)論. 2014(01)

博士論文
[1]低溫磁控濺射制備高性能AZO薄膜研究[D]. 孟凡平.中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 2016



本文編號(hào)：3332846