石墨烯由于其優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),在材料、化學(xué)、物理領(lǐng)域得到了廣泛的關(guān)注和研究。由于石墨烯特殊的共輒體系,導(dǎo)致石墨烯很容易發(fā)生團(tuán)聚,且不易加工成型,極大地限制了它在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。因此,將石墨烯和其他功能性材料復(fù)合可以改善其可分散性與加工性,進(jìn)而提高其電催化活性和選擇性和穩(wěn)定性。目前,對(duì)石墨烯基復(fù)合材料的研究還是主要集中在石墨烯二元納米復(fù)合材料上,有關(guān)石墨烯三元及三元以上復(fù)合材料的制備和性能研究則相對(duì)較少。傳統(tǒng)的制備三元納米復(fù)合材料的方法主要是化學(xué)分步法和電化學(xué)方法,它們?cè)诓牧系闹苽渲杏幸恍┎豢杀苊獾娜秉c(diǎn),而“一鍋法”具有簡(jiǎn)便、快速、節(jié)能耗、產(chǎn)率高等優(yōu)點(diǎn),為快速、簡(jiǎn)單制備具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)、性能優(yōu)異的新型石墨烯復(fù)合材料提供了新思路。電化學(xué)傳感器是一種快速、簡(jiǎn)單、高效的檢測(cè)工具,而尋求合適的電極修飾材料以提高電化學(xué)傳感器的性能是科研工作者研究的主要方向之一。本論文工作結(jié)合了石墨烯大的比表面積,PEDOT良好的導(dǎo)電性、金屬氧化物杰出的電催化性能等優(yōu)勢(shì),通過(guò)“一鍋法”制備了三種不同的金屬氧化物/PEDOT/還原氧化石墨烯（M_xO_y/PEDOT/r GO）三... 

【文章來(lái)源】：江西科技師范大學(xué)江西省

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

石墨烯的結(jié)構(gòu)示意圖

于其杰出的電化學(xué)性能甲烷[76]，重金屬離子[77]等），藥物分子（如醋化合物（如：乙醇[85]堿類化合物，結(jié)構(gòu)如圖蘇和神經(jīng)衰弱�？Х纫蛉藥缀趺刻於际褂每Х�

圖 3-2 SnO2/PEDOT/rGO 的 SEM 圖片（A 和 B）以及拉曼（C）和 XRD（D）譜圖Figure 3-2 SEM images (Aand B), Raman spectra (C) and XRD (D) of SnO2/PEDOT/rGO接著，我們用 XRD 和 XPS 對(duì)納米復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)組成和物質(zhì)的氧化態(tài)進(jìn)行了深入的研究。圖 3-2（D）為 SnO2/PEDOT/rGO 的 XRD 譜圖。從圖中可以看出，（110），（101），（200），（211），（301）處均為 SnO2晶體的衍射峰，這與 SnO2(JCPDS Card No. 41-1049)中的標(biāo)準(zhǔn)衍射峰是一致的，證明了 SnO2的存在[134]。圖 3-3（A）顯示的是 SnO2/PEDOT/rGO 的 XPS 譜圖。這些在 XPS 全譜中的峰分別對(duì)應(yīng)著 C1s，O1s，S2p，Sn3d 的特征峰。圖 3-3（B）和（C）分別展示了 Sn3d 和 S2p 的高分辨率 XPS 光譜。圖 3-3（B）顯示了在 487.1 和 495.6 eV處的兩個(gè)主要的峰，分別對(duì)應(yīng)于 Sn3d3/2和 Sn3d5/2，均來(lái)源于 SnO2中 Sn4+的特征峰[135]。而在圖 3-3（C）中，163.5 和 164.7 eV 處的兩個(gè)峰分別對(duì)應(yīng)著 S2p3/2和S2p1/2，都屬于 PEDOT 中噻吩環(huán)上 S 的特征峰[136]。經(jīng)過(guò)分析，SnO2/PEDOT/rGO中 Sn3d 峰和 S2p 峰均向更高的鍵能發(fā)生了位移，這可能是由于 SnO2和石墨烯之間的相互作用及 PEDOT 與石墨烯片層之間的相互作用導(dǎo)致的[137,138]。根據(jù)多

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氧化石墨烯/鐵氰化鈰修飾玻碳電極同時(shí)測(cè)定撲熱息痛和咖啡因[J]. 盧先春,黃克靖,吳志偉,黃素芳,許春萱.  分析化學(xué). 2012(03)
[2]石墨烯的化學(xué)研究進(jìn)展[J]. 傅強(qiáng),包信和.  科學(xué)通報(bào). 2009(18)

碩士論文
[1]不同基底上CVD法制備石墨烯薄膜的工藝及結(jié)構(gòu)表征[D]. 劉志濤.太原理工大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3329088