原位自生TiB₂/A201復(fù)合材料是一種新型輕質(zhì)高強的鑄造鋁基復(fù)合材料,但是該材料耐蝕性較差,表面處理困難。當(dāng)材料用于高速水流工況下時,復(fù)合材料需要較高的耐空泡腐蝕和耐Cl^￣侵蝕性能,這對該材料的表面防護是一個嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。微弧氧化工藝制備的氧化膜層能與基底形成良好的冶金結(jié)合,且高硬度較高,從而具有耐空泡腐蝕的潛力。本課題以制備高品質(zhì)耐腐蝕的微弧氧化膜層為目標(biāo),優(yōu)化制備工藝,并研究氧化膜層的耐腐蝕性能,為TiB₂/A201復(fù)合材料的實際應(yīng)用提供腐蝕防護方面的指導(dǎo)。本文以原位自生TiB₂/A201復(fù)合材料為研究對象,采用微弧氧化方法進行表面處理,優(yōu)選了適合復(fù)合材料的微弧氧化工藝,討論了復(fù)合材料的微弧氧化行為及氧化膜層在微弧氧化過程中微觀組織演化機理,探究了微弧氧化膜層的空泡腐蝕行為和耐Cl^￣侵蝕能力。本文的主要研究結(jié)果如下:（1）三種電解液體系（硅酸鈉、磷酸鈉和鋁酸鈉）均可在TiB₂/A201復(fù)合材料表面制備微弧氧化膜層。其中,在鋁酸鈉電解液體系中制備的膜層孔... 

【文章來源】：上海交通大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

鋁銅合金晶界無析出帶[14]

上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文nelling ionisation）破壞，此時在氧化膜表面會有大量小火花迅速移動6時，更緩慢、更大的弧光放電現(xiàn)象出現(xiàn)；在 U6~U7階段，由于反向?qū)由系木奂�，熱電離（Thermal ionisation）會被部分阻斷。由于微弧漸的熔合在一起，并且與電解質(zhì)中含有的元素進行合金化。當(dāng)電壓弧放電會穿透整個膜層，接觸到基底表面（因此反相電流的阻斷效了），進入自持弧光放電區(qū)，同時在膜層上產(chǎn)生熱裂紋（Thermal cr現(xiàn)象。

上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文底部的氣泡會被擊穿，產(chǎn)生等離子體，其中的電子注入氧化膜后會發(fā)生效應(yīng)，從而引起氧化膜的擊穿，通道中的等離子體在電場的作用下發(fā)生圖 1- 3d 所示）。同時，通道中的氧等離子體以及原子氧等具有反應(yīng)活性與基底的熔融物和蒸發(fā)的金屬原子以及其它粒子發(fā)生反應(yīng)，生成金屬氧體。待放電結(jié)束后，金屬氧化物熔體冷卻凝固，成為微弧氧化膜層的一部氧化膜層迅速生長增厚。

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[2]A201鋁合金成分及其性能的研究[D]. 孫茂天.機械科學(xué)研究總院 2011
[3]鋁合金微弧氧化工藝研究[D]. 馬晉.武漢理工大學(xué) 2003



本文編號：3328691