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碳納米管/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及其性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-08-07 18:19
  碳納米管是一種新興的無機(jī)納米材料,具有金屬一般的導(dǎo)電導(dǎo)熱性和非常優(yōu)異的力學(xué)性能,但是由于其容易團(tuán)聚、不易分散的特點(diǎn),應(yīng)用范圍受到了很大的限制。將碳納米管直接摻雜進(jìn)高分子材料時(shí),制得的復(fù)合材料大部分存在碳納米管分散不均,造成復(fù)合材料力學(xué)性能差的問題。目前的研究趨勢是通過對(duì)碳納米管進(jìn)行改性,使其帶有可進(jìn)行化學(xué)鍵合的基團(tuán),再和高分子材料進(jìn)行化學(xué)鍵合的方式制備復(fù)合材料,這種方法可避免直接摻雜造成的問題。在有機(jī)高分子材料中,聚酰亞胺(Polyimide,PI)綜合性能優(yōu)異,熱學(xué)、電學(xué)、力學(xué)以及抗輻射等性能均優(yōu)于一般材料,在性能和合成方面都有突出的優(yōu)勢。本文提供了一種新型的無機(jī)納米粒子與聚合物復(fù)合的方法:通過在PI側(cè)基上化學(xué)鍵合碳納米管,保留了聚合物本身的良好性能,同時(shí)也引入了一種性能優(yōu)異的無機(jī)納米粒子,制備出了一種無機(jī)納米粒子在聚合物基體中均勻分散的復(fù)合薄膜,且具有良好的抗輻射性能。在此基礎(chǔ)上,探討聚酰亞胺復(fù)合材料的制備工藝并成功制備了能夠滿足更高輻射要求的厚度為1 mm左右的復(fù)合材料。具體研究內(nèi)容如下:1.對(duì)碳納米管進(jìn)行氨基化修飾并制備氨基化碳納米管/聚酰亞胺PI(MWNT-NH2<... 

【文章來源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:52 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

碳納米管/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及其性能研究


光電效應(yīng)示意圖

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圖 1-2 康普頓效應(yīng)示意圖為 hv,一部分轉(zhuǎn)移至反沖光子,反沖光子會(huì)以與光或激發(fā),其余部分能量會(huì)分配給散射光子,散射光方向逃逸,也會(huì)有部分留在物質(zhì)中。效應(yīng)[9]的是當(dāng) γ 光子靠近原子核時(shí),γ 光子在庫侖力作用過程。在電子對(duì)效應(yīng)發(fā)生的過程中:入射光子的能能量,一部分轉(zhuǎn)化為電子對(duì)動(dòng)能分別為 Ee+和 Ee-,

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圖 1-2 康普頓效應(yīng)示意圖光子能量為 hv,一部分轉(zhuǎn)移至反沖光子,反沖光子會(huì)以與光子初始入繼續(xù)電離或激發(fā),其余部分能量會(huì)分配給散射光子,散射光子大多會(huì)為 θ 角的方向逃逸,也會(huì)有部分留在物質(zhì)中。) 電子對(duì)效應(yīng)[9]對(duì)效應(yīng)指的是當(dāng) γ 光子靠近原子核時(shí),γ 光子在庫侖力作用下轉(zhuǎn)化為負(fù)電子的過程。在電子對(duì)效應(yīng)發(fā)生的過程中:入射光子的能量為 hν,對(duì)的靜止能量,一部分轉(zhuǎn)化為電子對(duì)動(dòng)能分別為 Ee+和 Ee-,示意圖如

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本文編號(hào):3328294

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