高介電常數(shù)聚合物基復合材料（High-k APC）憑借其低成本、易加工以及良好的可塑性,在儲能、電子信息、新能源等領(lǐng)域具有巨大的應用潛力。隨著電子器件向高功能化、微型化方向的發(fā)展,對高性能嵌入式電容器的需求激增,并成為了決定電子器件發(fā)展的重要因素。High-k是嵌入式電容器具有高性能的基礎(chǔ),其還應具有低介電損耗與高儲能密度。與陶瓷/聚合物復合材料相比,導體/聚合物復合材料在低導體含量下獲得高介電常數(shù),但高介電損耗、低儲能密度是其普遍存在的問題。因此,本文的研究工作主要圍繞兼具高介電常數(shù)、低介電損耗及高儲能密度的High-k APC的研究展開,主要包括以下兩部分。首先,本文設(shè)計合成了兩種三層結(jié)構(gòu)復合材料,它們是由0.6wt%羥基化多壁碳納米管（CNT）/環(huán)氧改性氰酸酯（CEP）樹脂作為第1和第3層,CNT/CEP或CEP樹脂浸潤云母紙（MP）作為第2層,所制得的復合材料分別記為CNT/CEP-MPⅠ-CNT/CEP或CNT/CEP-MPⅡ-CNT/CEP。系統(tǒng)研究了MP的厚度及其浸潤樹脂對復合材料的結(jié)構(gòu)、介電性能與儲能密度的影響。研究結(jié)果表明,三層結(jié)構(gòu)復合材料的介電性能和儲能密度與MP的... 

【文章來源】：蘇州大學江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：90 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

F-TiO-C納米材料的SEM照片（a）和結(jié)構(gòu)示意圖（b）

CNT/CEP-MPⅠ-CNT/CEP和CNT/CEP-MPⅡ-CNT/CEP復合材料的制備流

復合材料的介電常數(shù)-頻率曲線


本文編號：3326563