隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,低維金屬氧化物半導(dǎo)體在納米光電子器件中有很大的應(yīng)用前景。近年來(lái),新型超晶格納米材料的設(shè)計(jì)、合成、表征以及性能研究引起大家廣泛的關(guān)注。本論文基于反應(yīng)擴(kuò)散合成出Zn-Sn-O超晶格納米顆粒,以Zn-Sn-O超晶格納米顆粒為研究對(duì)象,針對(duì)高純、可控合成、精細(xì)表征及氣敏性能等幾個(gè)方面進(jìn)行了相應(yīng)的研究:（1）在氧化鋅納米顆粒表面涂覆一層Zn-Sn-O前驅(qū)體,在非真空環(huán)境氛圍中經(jīng)過(guò)退火處理合成Zn-Sn-O超晶格納米顆粒。相同退火時(shí)間條件下,700℃、800℃和900℃退火溫度下可以得到三種不同狀態(tài)Zn-Sn-O納米顆粒。三組材料都含有超晶格層狀結(jié)構(gòu),隨著退火溫度的升高,Zn-Sn-O前驅(qū)體包裹層厚度減小,在900℃時(shí),Zn-Sn-O前驅(qū)體消失。（2）利用多種先進(jìn)分析表征技術(shù)對(duì)Zn-Sn-O超晶格納米顆粒的結(jié)構(gòu)和物性進(jìn)行精細(xì)表征。通過(guò)球差透射電子顯微鏡觀察到Zn-Sn-O超晶格納米顆粒中的Sn-O層。通過(guò)拉曼測(cè)試發(fā)現(xiàn)Zn-Sn-O超晶格納米顆粒兩個(gè)新的振動(dòng)峰,分別位于549cm^-1和673cm^-1。光致發(fā)光實(shí)驗(yàn)顯示Zn-Sn-O超... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1兩種超晶格結(jié)構(gòu)：(a)自然超晶格，原子自組裝形成[11-12]

3m合成導(dǎo)體納米材料被認(rèn)為是制作下一代光電子器件的首選材料，在到廣泛研究[14-15]。在智能納米結(jié)構(gòu)材料的發(fā)展中，研究者必須了解，以便于對(duì)材料進(jìn)行新穎的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)的可控性。某些物性質(zhì)，可能強(qiáng)烈依賴于納米材料的形態(tài)和結(jié)構(gòu)的變化，因此具米材料可以提供額外的應(yīng)用。盡管超晶格結(jié)構(gòu)被廣泛研究，但高真空設(shè)備，且生產(chǎn)效率不高。此外，對(duì)復(fù)合材料和每一層組難的，超晶格界面的晶格失配會(huì)引起結(jié)構(gòu)缺陷[16]。大多數(shù)超晶長(zhǎng)方法人工調(diào)控制造的，如 MBE、PLD 和 MOCVD。因此，急點(diǎn)的新穎合成方法，以促進(jìn)超晶格納米材料的快速發(fā)展)m超晶格納米線可控制備極大吸引了研究者。

西南交通大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文 下熱蒸發(fā)，然后通過(guò)改變氣流量、氣壓、溫度等參數(shù)合成 InM米線，如圖 1-2 所示。，楊培東課題組基于固態(tài)擴(kuò)散機(jī)理，可控合成了 InMO3(ZnO)m使用化學(xué)氣相沉積法制備出生長(zhǎng)取向?yàn)閇002]的 ZnO 納米線，表面濺射一層 M(M=In，Ga，F(xiàn)e)納米顆粒，最后在溫度為 90氛圍環(huán)境中退火 12 h，獲得 InMO3(ZnO)m超晶格納米材料，如圖


本文編號(hào)：3321011