隨著科學技術的快速發(fā)展,低維金屬氧化物半導體在納米光電子器件中有很大的應用前景。近年來,新型超晶格納米材料的設計、合成、表征以及性能研究引起大家廣泛的關注。本論文基于反應擴散合成出Zn-Sn-O超晶格納米顆粒,以Zn-Sn-O超晶格納米顆粒為研究對象,針對高純、可控合成、精細表征及氣敏性能等幾個方面進行了相應的研究:（1）在氧化鋅納米顆粒表面涂覆一層Zn-Sn-O前驅體,在非真空環(huán)境氛圍中經過退火處理合成Zn-Sn-O超晶格納米顆粒。相同退火時間條件下,700℃、800℃和900℃退火溫度下可以得到三種不同狀態(tài)Zn-Sn-O納米顆粒。三組材料都含有超晶格層狀結構,隨著退火溫度的升高,Zn-Sn-O前驅體包裹層厚度減小,在900℃時,Zn-Sn-O前驅體消失。（2）利用多種先進分析表征技術對Zn-Sn-O超晶格納米顆粒的結構和物性進行精細表征。通過球差透射電子顯微鏡觀察到Zn-Sn-O超晶格納米顆粒中的Sn-O層。通過拉曼測試發(fā)現(xiàn)Zn-Sn-O超晶格納米顆粒兩個新的振動峰,分別位于549cm^-1和673cm^-1。光致發(fā)光實驗顯示Zn-Sn-O超... 

【文章來源】：西南交通大學四川省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1兩種超晶格結構：(a)自然超晶格，原子自組裝形成[11-12]

3m合成導體納米材料被認為是制作下一代光電子器件的首選材料，在到廣泛研究[14-15]。在智能納米結構材料的發(fā)展中，研究者必須了解，以便于對材料進行新穎的設計和結構的可控性。某些物性質，可能強烈依賴于納米材料的形態(tài)和結構的變化，因此具米材料可以提供額外的應用。盡管超晶格結構被廣泛研究，但高真空設備，且生產效率不高。此外，對復合材料和每一層組難的，超晶格界面的晶格失配會引起結構缺陷[16]。大多數(shù)超晶長方法人工調控制造的，如 MBE、PLD 和 MOCVD。因此，急點的新穎合成方法，以促進超晶格納米材料的快速發(fā)展)m超晶格納米線可控制備極大吸引了研究者。

西南交通大學碩士研究生學位論文 下熱蒸發(fā)，然后通過改變氣流量、氣壓、溫度等參數(shù)合成 InM米線，如圖 1-2 所示。，楊培東課題組基于固態(tài)擴散機理，可控合成了 InMO3(ZnO)m使用化學氣相沉積法制備出生長取向為[002]的 ZnO 納米線，表面濺射一層 M(M=In，Ga，F(xiàn)e)納米顆粒，最后在溫度為 90氛圍環(huán)境中退火 12 h，獲得 InMO3(ZnO)m超晶格納米材料，如圖


本文編號：3321011