核殼納米線是由兩種材料復合而成的一種核殼異質結構,這種獨特的結構結合了核殼兩種材料的特性,具有獨特的性能。GaN和InN都屬于III-V族半導體材料,將GaN和InN復合成核殼納米線異質結構,通過改變核殼比例對材料的電子結構和光學性能進行調控,可以滿足光電器件設計的靈活性,拓寬納米材料在光電領域的應用。本文從實驗制備和理論計算兩方面研究了 GaN/InN核殼納米線。首先,利用化學氣相沉積法（CVD）兩步制備得到GaN/InN核殼納米線異質結構。實驗從選擇不同In前驅體及生長工藝條件研究GaN/InN核殼納米線異質結構的制備,通過分析這種異質結構的生長機理得出:第一步GaN核的生長遵循氣-液-固（VLS）機制;第二步InN殼的生長遵循氣固（VS）機制。GaN納米線的光致發(fā)光（PL）譜表明:在362nm（3.42eV）有一紫外發(fā)射峰,這主要歸因于帶邊發(fā)射;GaN/InN核殼納米線異質結構的光致發(fā)光（PL）譜表明:在404nm（3.06eV）有一紫光發(fā)射峰,相對于GaN納米線,其發(fā)光峰紅移,從紫外光進入可見光頻段,這歸因于帶隙的減小。然后,基于第一性原理研究了 GaN/InN核殼納米線異質結... 

【文章來源】：西安理工大學陜西省

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

電子天平(型號：HX-1002)

圖 2-2 離子濺射儀(型號：JFC-1600)Fig.2-2 Ion sputtering instrument (JFC-1600)金屬離子濺射到基底上，在基底表面上射時間和濺射電流來控制薄膜的厚度，射源為 Pt，從而在 Si 襯底上形成一層

圖 2-2 離子濺射儀(型號：JFC-1600)Fig.2-2 Ion sputtering instrument (JFC-1600)以將金屬離子濺射到基底上，在基底表面上形成置濺射時間和濺射電流來控制薄膜的厚度，在本s，濺射源為 Pt，從而在 Si 襯底上形成一層分布

【參考文獻】：
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本文編號：3317342