設(shè)計了一種用于負(fù)載型Pd基催化劑的γ-Al₂O₃-ZrO₂-ThO₂納米管陣列載體。原位生長法制備的納米孔Al₂O₃陶瓷模板經(jīng)化學(xué)沉積形成γ-Al₂O₃-ZrO₂-ThO₂納米載體,并以此納米載體作為活性組分制備了具有高催化氧化活性的Pd催化劑。電鏡結(jié)果表明,催化劑組分Pd能夠均勻分散于納米載體中。實(shí)驗(yàn)表明采用以γ-Al₂O₃-ZrO₂-ThO₂納米材料為Pd基催化劑載體的CH4傳感器具有較好的線性度和快速響應(yīng)特性。 

【文章來源】：實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理. 2020,37(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

原位生長Al2O3納米孔模板實(shí)驗(yàn)裝置

通過微加工技術(shù)，將γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體制作成芯片微結(jié)構(gòu)。通過光刻掩膜進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，利用濕法腐蝕溶解技術(shù)除去非結(jié)構(gòu)體部分，再采用溶解金屬鋁剝離方法，取下可用于傳感器的單個芯片微結(jié)構(gòu)體。經(jīng)高溫?zé)崽幚�，將芯片微結(jié)構(gòu)體的γ-Al2O3-Zr O2-Th O2晶型轉(zhuǎn)化和氧化物分解成型。采用熱分解法制備納米級Pd催化劑，反應(yīng)溶液為基于鹽酸加熱溶解的PdCl2溶液，反復(fù)2次浸漬γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體，每次熱處理溫度600℃。γ-Al2O3-ZrO2-ThO2納米載體制作成的芯片微結(jié)構(gòu)的電鏡分析照片如圖2所示。2.5 基于γ-Al2O3-ZrO2-ThO2載體的Pd基催化劑催化燃燒反應(yīng)機(jī)理

將以γ-Al2O3-ZrO2-ThO2載體的Pd催化劑應(yīng)用于甲烷傳感器，利用氣體傳感器性能測試裝置對甲烷傳感器的敏感性能進(jìn)行測試，選擇體積分?jǐn)?shù)為0、1.26%、2.46%、3.81%、4.71%的5個CH4濃度點(diǎn)。測試條件：正常大氣壓，環(huán)境溫度23℃，相對濕度42%RH。測試結(jié)果見圖3。從圖3可知，傳感器具有較好的甲烷敏感特性，在甲烷體積分?jǐn)?shù)為0%～5%濃度范圍內(nèi)，傳感器響應(yīng)輸出電壓和甲烷體積分?jǐn)?shù)呈良好的線性關(guān)系，甲烷體積分?jǐn)?shù)為1%甲烷時輸出靈敏度為12 mV。

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號：3308305