借助于直熱法粉末觸變成形,通過控制加電方式,壓制成形并燒結(jié)制備SiC_p/Al復合材料,并對復合材料進行微觀組織分析及熱物理性能與力學性能測試,研究燒結(jié)溫度對復合材料微觀組織、熱膨脹系數(shù)、熱導率及抗彎強度的影響。結(jié)果表明:隨燒結(jié)溫度升高,復合材料內(nèi)氣孔減少,熱膨脹系數(shù)先減小后增大,熱導率逐漸增大,抗彎強度先增大后減小。最佳燒結(jié)溫度為600℃,此溫度下制備的含SiC_p體積分數(shù)60%的SiC_p/Al復合材料中,SiC_p顆粒分布均勻,材料組織致密;室溫至250℃平均熱膨脹系數(shù)小于5.0×10-6℃-1,其室溫熱導率為165W/（m·℃）,密度為3.01 g/cm3,復合材料的抗彎強度為340 MPa。 

【文章來源】：粉末冶金材料科學與工程. 2017,22(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]高性能SiC增強Al基復合材料的顯微組織和熱性能[J]. 劉玫潭,蔡旭升,李國強.  中國有色金屬學報. 2013(04)
[2]真空熱壓燒結(jié)制備SiCp/Al-30Si復合材料的組織及強化機理[J]. 王愛琴,方明,郝世明,謝敬佩.  材料熱處理學報. 2012(S2)
[3]放電等離子燒結(jié)制備高導熱SiCP/Al電子封裝材料[J]. 尹法章,郭宏,賈成廠,張習敏,張永忠.  復合材料學報. 2010(01)
[4]高SiCp或高Si含量電子封裝材料研究進展[J]. 鐘鼓,吳樹森,萬里.  材料導報. 2008(02)
[5]放電等離子燒結(jié)技術(shù)[J]. 白玲,葛昌純,沈衛(wèi)平.  粉末冶金技術(shù). 2007(03)
[6]電子封裝用高體積分數(shù)SiCp／Al復合材料的制備[J]. 任淑彬,何新波,曲選輝,葉斌.  北京科技大學學報. 2006(05)
[7]碳化硅顆粒增強鋁基復合材料開發(fā)與應用的研究現(xiàn)狀[J]. 王文明,潘復生,曾蘇民.  兵器材料科學與工程. 2004(03)
[8]高體積分數(shù)粒子型鋁基復合材料熱膨脹性能的研究[J]. 喇培清,許廣濟,丁雨田.  復合材料學報. 1998(02)
[9]噴霧沉積法制造的鋁基復合材料的超塑性[J]. 李澤林,唐才榮,李華倫,李淼泉,胡銳.  復合材料學報. 1996(04)

碩士論文
[1]電子封裝用SiCp/Al-Si復合材料的組織觀察及性能研究[D]. 陳成.山東大學 2012



本文編號：3299982