發(fā)布時(shí)間：2021-07-23 20:28

　　借助于直熱法粉末觸變成形,通過(guò)控制加電方式,壓制成形并燒結(jié)制備SiC_p/Al復(fù)合材料,并對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行微觀組織分析及熱物理性能與力學(xué)性能測(cè)試,研究燒結(jié)溫度對(duì)復(fù)合材料微觀組織、熱膨脹系數(shù)、熱導(dǎo)率及抗彎強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明:隨燒結(jié)溫度升高,復(fù)合材料內(nèi)氣孔減少,熱膨脹系數(shù)先減小后增大,熱導(dǎo)率逐漸增大,抗彎強(qiáng)度先增大后減小。最佳燒結(jié)溫度為600℃,此溫度下制備的含SiC_p體積分?jǐn)?shù)60%的SiC_p/Al復(fù)合材料中,SiC_p顆粒分布均勻,材料組織致密;室溫至250℃平均熱膨脹系數(shù)小于5.0×10-6℃-1,其室溫?zé)釋?dǎo)率為165W/（m·℃）,密度為3.01 g/cm3,復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度為340 MPa。 

【文章來(lái)源】：粉末冶金材料科學(xué)與工程. 2017,22(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高性能SiC增強(qiáng)Al基復(fù)合材料的顯微組織和熱性能[J]. 劉玫潭,蔡旭升,李國(guó)強(qiáng).  中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2013(04)
[2]真空熱壓燒結(jié)制備SiCp/Al-30Si復(fù)合材料的組織及強(qiáng)化機(jī)理[J]. 王愛(ài)琴,方明,郝世明,謝敬佩.  材料熱處理學(xué)報(bào). 2012(S2)
[3]放電等離子燒結(jié)制備高導(dǎo)熱SiCP/Al電子封裝材料[J]. 尹法章,郭宏,賈成廠,張習(xí)敏,張永忠.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2010(01)
[4]高SiCp或高Si含量電子封裝材料研究進(jìn)展[J]. 鐘鼓,吳樹(shù)森,萬(wàn)里.  材料導(dǎo)報(bào). 2008(02)
[5]放電等離子燒結(jié)技術(shù)[J]. 白玲,葛昌純,沈衛(wèi)平.  粉末冶金技術(shù). 2007(03)
[6]電子封裝用高體積分?jǐn)?shù)SiCp／Al復(fù)合材料的制備[J]. 任淑彬,何新波,曲選輝,葉斌.  北京科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2006(05)
[7]碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料開(kāi)發(fā)與應(yīng)用的研究現(xiàn)狀[J]. 王文明,潘復(fù)生,曾蘇民.  兵器材料科學(xué)與工程. 2004(03)
[8]高體積分?jǐn)?shù)粒子型鋁基復(fù)合材料熱膨脹性能的研究[J]. 喇培清,許廣濟(jì),丁雨田.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 1998(02)
[9]噴霧沉積法制造的鋁基復(fù)合材料的超塑性[J]. 李澤林,唐才榮,李華倫,李淼泉,胡銳.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 1996(04)

碩士論文
[1]電子封裝用SiCp/Al-Si復(fù)合材料的組織觀察及性能研究[D]. 陳成.山東大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3299982