具有單軸面內(nèi)各向異性的非晶Sm-Co薄膜在信息存儲(chǔ)和自旋電子學(xué)領(lǐng)域中都具有廣闊的應(yīng)用前景。產(chǎn)生單軸面內(nèi)各向異性的最有效方法是在薄膜沉積過(guò)程中施加面內(nèi)磁場(chǎng)。然而,這種方法通常需要復(fù)雜的設(shè)備。本文中,我們報(bào)道了一種產(chǎn)生單軸面內(nèi)各向異性的新方法,只需要將非晶Sm-Co薄膜生長(zhǎng)在（011）取向的單晶襯底上,薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中不需要施加任何外部磁場(chǎng)。薄膜的各向異性常數(shù)kA隨襯底晶格常數(shù)的變化而變化。生長(zhǎng)在LaAlO₃ （011）襯底上的非晶Sm-Co薄膜的各向異性常數(shù)kA高達(dá)3.3×10⁴ J·m^-3。詳細(xì)分析表明,襯底各向異性應(yīng)變引起的鐵磁疇的擇優(yōu)生長(zhǎng),以及薄膜中Sm-Co、Co-Co取向?qū)Φ挠行蚧?在非晶Sm-Co薄膜單軸面內(nèi)各向異性的產(chǎn)生上起到了重要作用。這項(xiàng)工作為在非晶Sm-Co薄膜中獲得單軸面內(nèi)各向異性提供了一種新方法。 

【文章來(lái)源】：Engineering. 2020,6(02)EISCI

【文章頁(yè)數(shù)】：13 頁(yè)


本文編號(hào)：3299466