本文在n-(Al_0.27Ga_0.73)_0.5In_0.5P表面通過電子束蒸發(fā)Ni/Au/Ge/Ni/Au疊層金屬并優(yōu)化退火工藝成功制備了具有較低接觸電阻的歐姆接觸,其比接觸電阻率在445℃退火600 s時達到1.4×10–4 W·cm2.二次離子質(zhì)譜儀測試表明,疊層金屬Ni/Au/Ge/Ni/Au與n-Al Ga In P界面發(fā)生固相反應, Ga, In原子由于熱分解發(fā)生外擴散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把歐姆接觸形成的原因歸結(jié)為Ge原子內(nèi)擴散占據(jù)Ga空位和In空位作為施主提高N型摻雜濃度.優(yōu)化退火工藝對低摻雜濃度n-(Al_0.27Ga_0.73)_0.5In_0.5P的歐姆接觸性能有顯著改善效果,但隨著n-(Al_0.27Ga_0.73)_0.5In_0.5P摻雜濃度提高,比接觸電阻率與退火工藝沒有明顯關系.本文為n面出光的Al Ga In... 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(04)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]犧牲Ni退火對硅襯底GaN基發(fā)光二極管p型接觸影響的研究[J]. 王光緒,陶喜霞,熊傳兵,劉軍林,封飛飛,張萌,江風益.  物理學報. 2011(07)



本文編號：3298325