發(fā)布時(shí)間：2021-07-19 22:12

　　表面增強(qiáng)拉曼散射（Surface-enhanced Raman Scattering,SERS）光譜作為一種非常有效的表征分子吸附行為、分子結(jié)構(gòu)和探測(cè)界面特性的工具,應(yīng)用于越來(lái)越多的領(lǐng)域。眾所周知,SERS技術(shù)有兩種被廣泛接受的機(jī)理:電磁場(chǎng)增強(qiáng)機(jī)理和電荷轉(zhuǎn)移增強(qiáng)機(jī)理;其中前者貢獻(xiàn)了主要的SERS強(qiáng)度,是實(shí)現(xiàn)SERS超靈敏檢測(cè)的基礎(chǔ),而后者強(qiáng)烈依賴于基底與分子的能級(jí)結(jié)構(gòu),對(duì)分子電子密度分布的改變非常敏感,間接反映了表面分子和底物界面電荷的相互作用過(guò)程,為SERS技術(shù)作為界面電荷活動(dòng)感應(yīng)手段提供了新的角度。以此為基礎(chǔ),我們提出了基于SERS電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理研究金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體界面電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制的構(gòu)想。圍繞這一構(gòu)想,我們構(gòu)筑了一系列金屬/分子/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/分子/半導(dǎo)體體系,以中間分子作為SERS探針,通過(guò)SERS探針?lè)肿又须姾赊D(zhuǎn)移敏感譜帶的變化對(duì)特定金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體界面電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制進(jìn)行了研究。本研究對(duì)于深刻理解實(shí)際器件中界面電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制以及推動(dòng)基于化學(xué)增強(qiáng)機(jī)理的SERS感應(yīng)在更廣闊領(lǐng)域的應(yīng)用有著重要的意義。本論文構(gòu)筑了金屬/分子/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/分子/半導(dǎo)體體系,利用S... 

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的放大圖中可以

此時(shí)Ag

在 477、514、532 、633 以及 785 nm 激光激發(fā)下， Au/Ag/MPH 體系的 SERS 譜圖，可以發(fā)現(xiàn)在 477三個(gè)參照體系均有很強(qiáng)的熒光效應(yīng)出現(xiàn)，而在 633 系的 SERS 譜峰強(qiáng)度相對(duì) Au/Ag/MPH/TiO2體, Au/MPH 以及 Au/Ag/MPH 體系的存在并不能引及 700 cm-1處 b2 振動(dòng)模式振動(dòng)峰的選擇性增強(qiáng)。由iO2體系中觀察到的b2振動(dòng)模式的增強(qiáng)來(lái)源于Ag與體的電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)步理解 Au/Ag/MPH/TiO2模型中的選擇性增強(qiáng)現(xiàn)象，子能譜測(cè)試，得到不同體系的能級(jí)分布信息。


本文編號(hào)：3291515