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金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體納米組裝體界面電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)的SERS研究

發(fā)布時間:2021-07-19 22:12
  表面增強(qiáng)拉曼散射(Surface-enhanced Raman Scattering,SERS)光譜作為一種非常有效的表征分子吸附行為、分子結(jié)構(gòu)和探測界面特性的工具,應(yīng)用于越來越多的領(lǐng)域。眾所周知,SERS技術(shù)有兩種被廣泛接受的機(jī)理:電磁場增強(qiáng)機(jī)理和電荷轉(zhuǎn)移增強(qiáng)機(jī)理;其中前者貢獻(xiàn)了主要的SERS強(qiáng)度,是實(shí)現(xiàn)SERS超靈敏檢測的基礎(chǔ),而后者強(qiáng)烈依賴于基底與分子的能級結(jié)構(gòu),對分子電子密度分布的改變非常敏感,間接反映了表面分子和底物界面電荷的相互作用過程,為SERS技術(shù)作為界面電荷活動感應(yīng)手段提供了新的角度。以此為基礎(chǔ),我們提出了基于SERS電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理研究金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體界面電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制的構(gòu)想。圍繞這一構(gòu)想,我們構(gòu)筑了一系列金屬/分子/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/分子/半導(dǎo)體體系,以中間分子作為SERS探針,通過SERS探針分子中電荷轉(zhuǎn)移敏感譜帶的變化對特定金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體界面電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制進(jìn)行了研究。本研究對于深刻理解實(shí)際器件中界面電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制以及推動基于化學(xué)增強(qiáng)機(jī)理的SERS感應(yīng)在更廣闊領(lǐng)域的應(yīng)用有著重要的意義。本論文構(gòu)筑了金屬/分子/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/分子/半導(dǎo)體體系,利用S... 

【文章來源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:120 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體納米組裝體界面電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)的SERS研究


的放大圖中可以

金屬/半導(dǎo)體及半導(dǎo)體/半導(dǎo)體納米組裝體界面電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)的SERS研究


此時Ag

Fermi能級,振動模式,電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)


在 477、514、532 、633 以及 785 nm 激光激發(fā)下, Au/Ag/MPH 體系的 SERS 譜圖,可以發(fā)現(xiàn)在 477三個參照體系均有很強(qiáng)的熒光效應(yīng)出現(xiàn),而在 633 系的 SERS 譜峰強(qiáng)度相對 Au/Ag/MPH/TiO2體, Au/MPH 以及 Au/Ag/MPH 體系的存在并不能引及 700 cm-1處 b2 振動模式振動峰的選擇性增強(qiáng)。由iO2體系中觀察到的b2振動模式的增強(qiáng)來源于Ag與體的電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)步理解 Au/Ag/MPH/TiO2模型中的選擇性增強(qiáng)現(xiàn)象,子能譜測試,得到不同體系的能級分布信息。


本文編號:3291515

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