研究了傳統(tǒng)熒光材料香豆素C545T在激基復(fù)合物3DTAPBP/TPBi和非激基復(fù)合物CBP/TPBi體系中發(fā)光機(jī)制,器件結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/3DTAPBP/C545T/TPBi/LiF/Al和ITO/MoO₃/CBP/C545T/TPBi/LiF/Al。3DTAPBP, CBP和TPBi分別是有機(jī)材料2,2’-Bis（3-（N,N-di-p-tolylamino） phenyl） biphenyl, 4,4’-bis（N-carbazolyl）-2,2’-biphenyl, 1,3,5-tris（1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl） benzene的簡稱。薄膜3DTAPBP, CBP和TPBi的光致發(fā)光峰分別為415, 411和380 nm;異質(zhì)結(jié)薄膜3DTAPBP/TPBi的光致發(fā)光光譜有兩個(gè)發(fā)光峰:412和490 nm, 412 nm的峰可認(rèn)為是3DTAPBP的發(fā)光,但490 nm的發(fā)光既不來自3DTAPBP,也不來自TPBi,是3DTAPBP與TPBi界面形成激基復(fù)合物產(chǎn)生的發(fā)光;而異質(zhì)結(jié)薄膜CBP/TPBi... 

【文章來源】：光譜學(xué)與光譜分析. 2020,40(12)北大核心EISCICSCD

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【部分圖文】：

器件的能級(jí)結(jié)構(gòu)

當(dāng)薄層C545T插入3DTAPBP/TPBi或CBP/TPBi界面時(shí), 由于C545T很薄, 很難形成完整連續(xù)的薄層, 因此認(rèn)為3DTAPBP或CBP與TPBi仍能相互接觸, A類器件(ITO/MoO3/3DTAPBP/C545T(x nm)/TPBi/LiF/Al)中3DTAPBP和TPBi仍能形成激基復(fù)合物, B類器件(ITO/MoO3/CBP/C545T(y nm)/TPBi/LiF/Al)無激基復(fù)合物產(chǎn)生。 擴(kuò)散作用使C545T摻入3DTAPBP、 TPBi或摻入CBP、 TPBi中, 摻雜體系中, 熒光染料的發(fā)光來源通常有兩種: 主體與客體之間的能量傳遞; 染料客體直接捕獲載流子形成激子發(fā)光。 下面結(jié)合器件光電性能、 客體C545T的激發(fā)光譜與主體發(fā)光光譜的重疊情況, 探索C545T熒光染料在激基復(fù)合物和非激基復(fù)合物中的發(fā)光機(jī)制。圖3 薄膜CBP, TPBi, CBP/TPBi的光致發(fā)光光譜

圖2 薄膜3DTAPBP, TPBi, 3DTAPBP/TPBi的光致發(fā)光光譜圖4是基于3DTAPBP/TPBi激基復(fù)合物A類器件的亮度&電流密度-電壓曲線, 電流密度幾乎不隨薄層C545T厚度變化。 擴(kuò)散作用下, C545T越厚, 相當(dāng)于摻雜濃度越高, 即: 隨著摻雜濃度增大, 電流密度幾乎不變, 這說明激基復(fù)合物器件中C545T不是直接捕獲載流子發(fā)光, 因?yàn)镃545T直接捕獲載流子發(fā)光會(huì)改變載流子濃度, 使得相同驅(qū)動(dòng)電壓下, 電流密度會(huì)隨著C545T濃度的增加而減小。 正如Wang等[14]報(bào)道: 器件電流密度-電壓曲線與摻雜濃度無關(guān), 說明器件的電致發(fā)光過程由主客體之間的能量傳遞決定, 而不是直接捕獲載流子復(fù)合發(fā)光。 也就是說, C545T在激基復(fù)合物3DTAPBP/TPBi界面的發(fā)光機(jī)制主要是能量傳遞。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]3DTAPBP的雙分子激發(fā)態(tài)——電致激基締合物和激基復(fù)合物[J]. 朱唯一,金敏峰,屠燮豪,張葉峰,殷月紅,呂昭月.  光譜學(xué)與光譜分析. 2018(08)



本文編號(hào)：3287192