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AlN納米線陣列制備和性能研究

發(fā)布時間:2021-07-14 00:32
  氮化鋁(AlN)是禁帶寬度為6.2eV的直接帶隙半導體,在綠光、藍光和紫外光高頻段的光電探測、電子和光電子器件等領(lǐng)域有著極大的應用潛力。一維納米材料具有獨特的電學、熱學和力學性能,因此在光電子,電化學和電機械器件等領(lǐng)域中有廣泛的應用前景。近年來,在AlN納米線及其陣列制備的方法,在場發(fā)射、發(fā)光二極管(LED)、激光器二極管和紫外光電探測器等方面應用備受關(guān)注。AlN納米線陣列與一維AlN納米結(jié)構(gòu)相比,特異性能更加明顯,使其在復合材料和納米器件中獲得廣泛應用。雖然現(xiàn)有幾種Al N納米線陣列的制備方法,但可控制備的、合成宏觀的、性能良好的,制備方法簡單和價格低廉的AlN納米線陣列的制備方法挑戰(zhàn)依然存在。因此,高質(zhì)量Al N納米線陣列的制備方法仍是研究的焦點。本文采用二次模板法成功制備取向規(guī)則、直徑均勻可控的AlN納米線宏觀陣列。即借助PS球自組裝特性在單晶Si(001)面上形成均勻分布的PS球模板;利用真空鍍膜法在上述模板蒸鍍一層金屬Al納米顆粒,經(jīng)熱處理后形成分布均勻Al納米顆粒模板;再以模板上的金屬Al納米顆粒作為催化劑,利用化學氣相沉積合成Al N納米線宏觀陣列,其面積約為0.3×0.... 

【文章來源】:沈陽工業(yè)大學遼寧省

【文章頁數(shù)】:53 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

AlN納米線陣列制備和性能研究


XpertPRO型X射線衍射儀Fig.2.1XpertPROXraydiffraction

矢量網(wǎng)絡分析儀,圓環(huán)形,測試設(shè)備,波性


圖 2.2 紫外可見光分光光度計 Lambda 900Fig. 2.2 UV visible spectrophotometer Lambda 900網(wǎng)絡分析儀絡分析儀器是一種電磁波能量的測試設(shè)備,本研究中的樣品的吸波Technologies 公司生產(chǎn)的矢量網(wǎng)絡分析儀表征完成的。在本實驗中測的矢量網(wǎng)絡分析儀(VNAAgilent E5071C)是在 transmission/reflecti。首先獲取樣品在各個頻率點反射參數(shù) S11,透射參數(shù) S21。然后對來得到材料的復介電常數(shù)和復磁導率。本文研究 1-18GHz 的波段范用配套的 85071C 電磁性能測試的軟件處理電磁參數(shù)數(shù)據(jù)。測試樣品測試設(shè)備的要求,采用模壓法制作試樣,將石蠟加熱到 60℃使融化均勻攪拌,充分攪拌后將混合物放入圓柱形同軸模具中并壓制成厚度米和 3.04 毫米內(nèi)徑的圓環(huán)形樣本,利用矢量網(wǎng)絡分析儀對圓環(huán)形測波性能分析。

親水處理,超聲波清洗器,基片


聚苯乙烯是一種無色透明的熱塑性塑料的聚合物,通式是[(CH2CHC6H5)n]。具玻璃轉(zhuǎn)化溫度高于 100℃,240℃時發(fā)生熔融。聚苯乙烯是非晶聚合物,絕熱、絕緣良好。本此研究主要通過沉積方式,將調(diào)好濃度的 PS 球溶液經(jīng)過沉積的反復均勻的排布經(jīng)過處理并且具有親水性硅基片的(001)面上。在沒有實驗干預的條件下,PS 球硅基片表面上是隨機排布的,可通過控制實驗條件,這些 PS 球通過自組裝過程在基上形成均勻排布的陣列,為后續(xù) Al 金屬納米顆粒模板的制備提供條件。本次實驗采的 PS 球,直徑 500nm,通過自主裝過程形成單層球陣列。具體實驗步驟如下:(1)將濃 H2SO4(98%)與雙氧水(30%)按體積比 1:3 配置成混合溶液,把好的條形 Si 基片放入配置好的混合的溶液中浸泡 1 小時,如圖 3.1(a),然后取出 基片并用無水乙醇洗滌,再將 Si 基片浸入異丙醇溶液,并用 BT-50 超聲波分散器,如圖 3.1,所示取出后風干。

【參考文獻】:
期刊論文
[1]氮化鋁納米線直接氮化制備工藝優(yōu)化及形成機理分析[J]. 李陽,陳奎.  人工晶體學報. 2015(08)
[2]直接氮化法制備氮化鋁納米線[J]. 王穩(wěn)穩(wěn),程仁志,胡曉陽,張迎九,宋平新,田永濤,李新建.  材料科學與工程學報. 2011(02)
[3]大面積超長氮化鋁納米線的制備及場發(fā)射特性研究[J]. 蘇贊加,劉飛,李力,莫富堯,金順玉,陳軍,鄧少芝,許寧生.  液晶與顯示. 2010(04)
[4]低溫條件下單晶氮化鋁納米線生長機理的研究[J]. 呂惠民,陳光德,顏國君,耶紅剛.  物理學報. 2007(05)
[5]氮化鋁納米線的合成與表征[J]. 李志杰,張學星.  沈陽工業(yè)大學學報. 2006(03)
[6]Arc-Discharge Synthesis and Microstructure Characterization of AIN Nanowires[J]. Zhijie LI,Zhiqi SHEN,Fu WANG and Lianlong HE Shenyang National Laboratory of Materials Science,Institute of Metal Research,Chinese Academy of Sciences,Shenyang 110016,China Laboratory of Ultra-fine Particle,Shenyang University of Technology,Shenyang 110023,China School of Materials and Metallurgy,Northeastern University,Shenyang 110004,China.  Journal of Materials Science & Technology. 2006(01)
[7]等離子電弧蒸發(fā)及后續(xù)氮化法制備AIN納米線[J]. 馬洪波,叢洪濤.  科學技術(shù)與工程. 2002(06)

碩士論文
[1]AlN納米結(jié)構(gòu)的制備與表征[D]. 劉康.哈爾濱工業(yè)大學 2014



本文編號:3283034

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