發(fā)布時(shí)間：2021-07-12 03:08

　　采用垂直無(wú)籽晶氣相升華法生長(zhǎng)出直徑37 mm的優(yōu)質(zhì)硒化鎘（CdSe）單晶體,并沿光軸方向切割出20 mm×20 mm×3 mm的CdSe波片初胚。經(jīng)研磨和拋光,在2～20μm波段CdSe波片的紅外透過(guò)率約為70%。為進(jìn)一步提高波片的透過(guò)率,采用Essential-Macleod軟件輔助設(shè)計(jì)方案,選用YF₃和ZnS為雙層增透膜材料,并獲得最佳的膜系厚度。鍍膜后的CdSe波片在6～12μm波段透過(guò)率達(dá)到90%,在10.5μm處的透過(guò)率最高,峰值高達(dá)99%。 

【文章來(lái)源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

(a)無(wú)籽晶氣相升華法生長(zhǎng)的CdSe單晶;(b)CdSe單晶XRD圖譜

對(duì)晶體進(jìn)行定向切割,制成20 mm×20 mm×3 mm的CdSe波片初胚,如圖2(a)所示;波片的示意圖,如圖2(b)所示。在pH=5的酸性條件下對(duì)CdSe波片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理[17]。使用本原CSPM型原子力顯微鏡對(duì)波片進(jìn)行掃描測(cè)試如圖3(a)所示。波片表面平均粗糙度Ra=0.73 nm,粗糙程度較低。采用IR Prestige-21傅里葉紅外光譜儀對(duì)拋光后的CdSe波片進(jìn)行紅外透過(guò)率測(cè)試,如圖3(b),在2～20 μm波段內(nèi)CdSe波片的平均透過(guò)率接近70%。圖3 (a)CdSe波片的AFM照片;(b)CdSe波片紅外透過(guò)率曲線

(a)CdSe波片的AFM照片;(b)CdSe波片紅外透過(guò)率曲線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3279072