1994年Alivisatos小組首次將CdSe膠體量子點（QDs）應用到發(fā)光二極管,標志著量子點發(fā)光二極管（QLED）發(fā)展研究的開始。二十多年來,QLED已經(jīng)取得了長足發(fā)展,紅、綠、藍QLED器件的外量子效率分別提升至20.5%、20.0%、18.0%,接近了理論最大值。但這一數(shù)值與當下流行的有機發(fā)光二極管（OLED）還有一定差距,還不能完全滿足商業(yè)化的要求。其中問題之一就是光取出問題,由理論分析可知,由于QLED器件的內(nèi)部全反射、表面等離子激元模式、基板模式等致使大量的光困于器件內(nèi)部,限制了QLED效率的進一步提升。在OLED器件中,通過引入合適周期的微納米陣列結(jié)構(gòu)已成為提高外量子效率的一個重要手段,應用的結(jié)構(gòu)如蛾眼結(jié)構(gòu)、光柵結(jié)構(gòu)、柱狀結(jié)構(gòu)和各種一維、二維納米圖案等,其光取出效率均有大幅度提升。根據(jù)微納米結(jié)構(gòu)應用的不同位置,可以大體分為內(nèi)結(jié)構(gòu)與外結(jié)構(gòu),它們都對器件的出光效率起到了一定的增強作用,而相比外結(jié)構(gòu),內(nèi)結(jié)構(gòu)可以影響器件中多層膜結(jié)構(gòu),且合適的結(jié)構(gòu)可以同時解決波導模式與表面等離子激元模式對出光的限制,從而使器件的外量子效率得到極大的提升。在傳統(tǒng)QLED中,空穴注入層一般采用PE... 

【文章來源】：河南大學河南省

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

QLED發(fā)光過程光損耗比率

圖 1-2 (a) SPP 模式的產(chǎn)生示意圖 (b) SPP 模式所產(chǎn)生的電磁場分布圖 (c) SPP 模式所展現(xiàn)的動量失配分布曲線[34]波導模式與基板模式：波導模式與基板模式都是由于不同介質(zhì)層的折射率差所引起的全反射造成的光損失，發(fā)生在器件內(nèi)部界面層的全反射成為波導模式，發(fā)生在玻璃基底/空氣界面的稱為基板模式[35-37]，如圖 1-3 所示。兩種模式對光的損耗共高達 55%以上，因此是提高器件性能所要克服的重點。本論文的重點與思路也是消除 QLED 器件中的波導模式。

圖 1-2 (a) SPP 模式的產(chǎn)生示意圖 (b) SPP 模式所產(chǎn)生的電磁場分布圖 (c) SPP 模式所展現(xiàn)的動量失配分布曲線[34]波導模式與基板模式：波導模式與基板模式都是由于不同介質(zhì)層的折射率差所引起的全反射造成的光損失，發(fā)生在器件內(nèi)部界面層的全反射成為波導模式，發(fā)生在玻璃基底/空氣界面的稱為基板模式[35-37]，如圖 1-3 所示。兩種模式對光的損耗共高達 55%以上，因此是提高器件性能所要克服的重點。本論文的重點與思路也是消除 QLED 器件中的波導模式。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]納米壓印技術(shù)的最新進展[J]. 王金合,費立誠,宋志棠,張靜,周為民,張劍平.  微納電子技術(shù). 2010(12)
[2]表面等離子體亞波長光學的研究[J]. 孫梅.  北京工商大學學報(自然科學版). 2009(01)
[3]納米壓印技術(shù)[J]. 孫洪文,劉景全,陳迪,顧盼,楊春生.  電子工藝技術(shù). 2004(03)



本文編號：3278406