為改善薄膜熱電材料的熱電性能,通過磁控濺射制備多層Bi/Te薄膜材料,并用常壓高溫環(huán)境對樣品進行快速熱退火（RTP）,以期在較短時間內獲得更高的熱電參數(shù).結果表明:Seebeck系數(shù)與功率因數(shù)最大值與退火溫度呈正相關,在400℃退火2¹1min,Seebeck系數(shù)極大值為-190.41μV/K,功率因數(shù)最大值為8.28μW/（K²·m）;隨著退火溫度的升高,Seebeck系數(shù)、載流子濃度、載流子遷移率、電導率和功率因數(shù)的振蕩幅度也隨之加大,并且載流子濃度與Seebeck系數(shù)呈反比關系,與電導率呈正比關系,這說明通過改變材料結構和高溫快速退火可以得到較高的熱電參數(shù),同時保證薄膜的完整性. 

【文章來源】：天津工業(yè)大學學報. 2017,36(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 多層膜沉積結構設計
    1.2 測射工藝
    1.3 退火工藝
    1.4 熱電參數(shù)測定
2 結果與討論
    2.1 XRD圖譜分析
    2.2 熱電性能分析
        2.2.1 退火條件對Seebeck系數(shù)的影響
        2.2.2 退火條件對載流子濃度的影響
        2.2.3 退火條件對載流子遷移率和電導率的影響
        2.2.4 退火條件對功率因數(shù)的影響
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]退火時間對Bi/Te多層薄膜結構和熱電性能的影響[J]. 李秦,檀柏梅,張建新,牛新環(huán),高寶紅,田會娟.  硅酸鹽學報. 2016(01)



本文編號：3277464