憑借著獨特的結構優(yōu)勢,中空的無機微/納米材料備受研究者矚目,且被廣泛應用于不同領域。在包羅萬象的中空結構中,源自二維片狀基底的納米環(huán)狀結構,在近年躍然成為材料科學領域的研究熱點。新奇而有趣的納米環(huán)結構,不僅催生科研工作者獵奇的興致,同時也推動了合成技術的革新。與傳統的完整六方形納米片相比,LDH納米環(huán)顯現出更大的比表面積、更高的化學可適性以及更多的活性位點,這將促使LDH的電化學催化活性的改善。盡管如此,除了早年首創(chuàng)性地報道LDH納米環(huán)的合成之外,截止目前仍尚未有研究工作繼續(xù)關注LDH納米環(huán)的合成路徑。是故,找到一種簡易、高效、低成本的綠色合成方法,對于LDH納米環(huán)材料的發(fā)展十分必要,同時也非常富有挑戰(zhàn)性。為解決上述困難,相應的研究投入及取得的進展列出如下:1.利用較高濃度的堿液,可以刻蝕或溶出LDH納米片中穩(wěn)定性差的元素,例如Al。經過堿刻蝕,納米片層產生隨機分布的小孔。受之啟發(fā),我們提出一種通過簡易的尿素水熱法,在LDH生長過程中直接利用刻蝕作用制取納米環(huán)的策略。調控反應要素,我們成功制備出MgAlLDH納米環(huán),CoAl納米環(huán)和NiFeAlLDH納米環(huán)。通過追蹤CoAl LDH納米... 

【文章來源】：北京化工大學北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－４?（Ａ）利用Ｏｓｔｗａｌｄ熟化合成Ｓｎ０２的ＨＣＳｓ示意圖；（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）為相應階段的ＴＥＭ【６１??Ｆｉｇ．?１－４?（Ａ）?Ｓｃｈｅｍｅ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｆｏｒｍａｔｉｏｎ?ｏｆ?ｈｏｌｌｏｗ?Ｓｎ〇２?ｖｉａ?Ｏｓｔｗａｌｄ?ｒｉｐｅｎｉｎｇ；?（Ｂ）、（Ｃ）ａｎｄ??（Ｄ）ＴＥＭ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ［６］??

北京化工大學碩士學位論文管??納米材料中，中空納米管材料的種類涵蓋面廣，從二硫化鎢、氮化硅和氮化硼等；再從金屬氧化物到氧化鈦、氧化硅等；以及金屬和非金屬納米管，如包羅萬象。??碳納米管（ＣＮＴｓ）是最早被合成出來的中空納米管［３６］結構。圖ｌ－５（ａ）表示將Ｃ６Ｇ的沿五倍軸其中之一分，而圖ｌ－５（ｂ）是將Ｃ６〇沿平行于其三倍軸方向等分）則代表手性結構，六邊形沿著管軸呈螺旋狀排列［３７己經可被大規(guī)模生產，并且可以在制備過程中通過渡金屬元素等，進行改性處理［３８］。??

如氮元素，過渡金屬元素等，進行改性處理［３８］。??＿??圖１－５三種碳納米管結構的示意圖［３７］??Ｆｉｇ．?１－５?Ｔｈｒｅｅ?ｃｌａｓｓｅｓ?ｏｆ?ｃａｒｂｏｎ?ｎａｎｏｔｕｂｅ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?Ｉ３７］??Ｓｕ的團隊［３９］經ＶＡＳＰ代碼，進行第一性原理超軟贗勢下的局域密度泛函模??擬計算，結構參考圖卜６，計算的結果表明鉍納米管力學應變能突出，可作為未??來納米電子學領域極具潛力的中空半導體材料�；诖�，鉍納米管的合成與性能??也稱為當下研宄熱點［４ＣＭ１］。??ｗ?ｉｂ｝?柯?轉??嘯魏．嚇??繼ａ?＿雪產Ｖ??圖１－６納米碳管的邊向和軸向結構示意圖：（ａ），（ｂ）?Ｂｉｓｍｕｔｈ?（１２，０）；?（ａ），?（ｂ）?Ｂｉｓｍｕｔｈ?（６，６）［３９】??Ｆｉｇ．?１，６?Ｎａｎｏｔｕｂｅ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｆｒｏｍ?ｓｉｄｅ?ａｎｄ?ａｘｉａｌ：?（ａ），（ｂ）?Ｂｉｓｍｕｔｈ?（１２，０）；?（ａ），?（ｂ）?Ｂｉｓｍｕｔｈ?（６，６）?［３９］??４??


本文編號：3260274