硒化錫（SnSe）和硫化亞錫（SnS）是IV-VI族窄帶隙層狀半導(dǎo)體化合物,在近紅外探測器、光伏產(chǎn)品等方面有廣闊的應(yīng)用前景。納米材料顯示出新奇的物性,受到科技界的廣泛關(guān)注。本論文采用化學(xué)氣相沉積法,在無催化劑情況下,通過調(diào)控生長參數(shù),克服材料本身晶體結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的生長習(xí)性,制備出硒化錫單晶納米線和硫化亞錫/硅氧化物核殼結(jié)構(gòu)納米線,對其物相、微結(jié)構(gòu)和物性進行了研究。主要研究結(jié)果如下:（1）以SnSe粉末為原料,利用化學(xué)氣相沉積法合成了超長的SnSe單晶納米線。對SnSe納米線利用掃描電鏡（SEM）、X射線粉末衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）、拉曼光譜（Raman）、X射線光電子能譜（XPS）等手段進行了形貌、微結(jié)構(gòu)和物相的表征。發(fā)現(xiàn)所合成的SnSe納米線平均直徑在270 nm左右,長度可以達到亞毫米級,長徑比超過3000,顯示出很強的一維生長特性,所合成的納米線結(jié)晶性好,生長方向為沿著{011}面的法線方向。利用SnSe納米線制成場效應(yīng)晶體管,結(jié)果顯示所合成的納米線是P型電導(dǎo)。通過分析不同沉積時間下襯底表面樣品的形貌演化,提出了納米線的生長機制,顯示:SnSe納米線的生長是由于動力學(xué)... 

【文章來源】：廣東工業(yè)大學(xué)廣東省

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

四種納米材料的結(jié)構(gòu)示意圖

廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文4圖1-2 沿著b軸方向的SnSe原子結(jié)構(gòu)圖室溫（300K）條件下，SnSe通常是正交晶系的層狀化合物，沿著b軸方向的SnSe原子結(jié)構(gòu)圖，如圖1-2。SnSe晶體結(jié)構(gòu)是以Sn-Se鍵結(jié)合的雙原子層所組成的b-c平面沿著a軸堆積而成。沿著b軸方向投影，SnSe雙原子層具有明顯的波紋形狀，形成一個折疊的Z字形。b-c晶面之間是由弱的層間作用力連接，從而晶體容易沿著b-c平面解理。在較高的溫度下，SnSe是具有很高對稱性的相

圖 1-3 沿著 c 軸的 SnS 原子結(jié)構(gòu)圖況下，SnS由于存在Sn空位，呈現(xiàn)出P型電導(dǎo)特性，但當(dāng)Sn過即SnS具有兩種類型的電導(dǎo)。SnS的直接帶隙 EeVg 1.3，接且光吸收系數(shù)非常高（4110 cm），載流子的霍爾遷移率高載流子的密度在1015~1018cm-3之間，其能量轉(zhuǎn)換最高效率在SnS在光伏產(chǎn)品、場效應(yīng)晶體管、光電探測器、電化學(xué)電容器光催化劑上有廣闊的應(yīng)用前景[35]-[38]。SnS的組成元素S和Sn在很好的環(huán)境兼容性。意義及創(chuàng)新點的意義料由于其獨特的理化性質(zhì)而受到研究者們的廣泛關(guān)注，對于形

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3236960