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基于g-C 3 N 4 的二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及光電性質(zhì)研究

發(fā)布時間:2021-06-14 12:12
  二維(2D)材料因?yàn)榫哂袑訝罹w結(jié)構(gòu)、極端量子限制效應(yīng)和獨(dú)特物理化學(xué)性質(zhì),受到科研工作者的廣泛關(guān)注。目前,已經(jīng)探索出二維材料在光催化、光儲能、自旋電子學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用。g-C3N4、第Ⅲ主族硫?qū)倩衔镆约笆╣raphene)都是典型的二維材料,本論文利用第一性原理,以g-C3N4現(xiàn)有的研究背景為基礎(chǔ),構(gòu)造相關(guān)二維材料異質(zhì)結(jié),探索材料的電子輸運(yùn)、光學(xué)響應(yīng)和光催化性質(zhì)。本文利用不同KNbO3表面與g-C3N4構(gòu)造異質(zhì)結(jié)并分析復(fù)合材料的能帶結(jié)構(gòu)和電子轉(zhuǎn)移過程,復(fù)合后材料的光吸收出現(xiàn)明顯紅移,吸收帶邊向可見光區(qū)域移動,其中KNbO3的KO表面與g-C3N4構(gòu)成的KO/g-CN異質(zhì)結(jié)是明顯的Ⅱ型異質(zhì)結(jié),使得光生的電子和空穴有效分離,并且系統(tǒng)地對文獻(xiàn)報(bào)道的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和KNbO3/g-C3N4復(fù)合材料的光催化過程做出... 

【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:59 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于g-C 3 N 4 的二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及光電性質(zhì)研究


(a)g-C3N4的三嗪(t-g-C3N4)和(b)三-s-均三嗪(h-g-C3N4)結(jié)構(gòu)圖中藍(lán)色、灰色的球分別代表N原子和C原子,且黑色框線內(nèi)為單胞

模型圖,原子,紫色,俯視圖


哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文-10-模型進(jìn)行光學(xué)和電學(xué)分析,闡明其光催化的具體過程。最后,討論外加電場和應(yīng)力對材料性質(zhì)的影響。2.2KNbO3/g-C3N4模型的建立圖2-1優(yōu)化后的(a)t-g-C3N4結(jié)構(gòu)和6種KNbO3/g-C3N4模型俯視圖,記為(b)1-K,(c)2-K,(d)1-O,(e)2-O,(f)1-NbO,(g)2-NbO其中,紫色、淺藍(lán)色和紅色原子分別代表K原子、Nb原子和O原子根據(jù)閱讀文獻(xiàn)和已有的建模經(jīng)驗(yàn),對KNbO3/g-C3N4進(jìn)行模型搭建。本文選用的KNbO3為立方相,空間點(diǎn)群為Pm-3m,晶格常數(shù)為a=b=c=4.000,α=β=γ=90°。為了實(shí)現(xiàn)晶格匹配,選擇的g-C3N4為基于s-三嗪的六方結(jié)構(gòu)[38],即t-g-C3N4,如圖4-1(a),晶格常數(shù)為a=b=4.742,c=6.720,與實(shí)驗(yàn)值a=b=4.774[2]基本一致。由于KNbO3(100)表面可以分成NbO2端面或KO端面,因此必須考慮不同KNbO3表面對納米復(fù)合材料性質(zhì)的影響。其中KNbO3表面共計(jì)5層原子,底部兩層原子固定,將32的單層g-C3N4分別與22的KNbO3(100)表面(NbO2表面和KO表面)復(fù)合,初始層間距離為3.12,與BPQD/GCN[39]、CeO2/g-C3N4[40]等模型類似,再沿z方向添加15的真空層來避免不同材料的相鄰層間相互作用。在不同位置上建立了六個不同的KNbO3/g-C3N4模型,模型結(jié)構(gòu)如圖2-1(b)-(f)所示,藍(lán)色、灰色、紫色、青色和紅色球分辨表示N、C、K、Nb和O原子。優(yōu)化過程中采用GGA-WC交換密度泛函,使用的贗勢是超軟贗勢,平面波截?cái)嗄転?00eV,布里淵區(qū)采用4×4×1大小的k點(diǎn)網(wǎng)絡(luò),能量和力分別滿足的收斂標(biāo)準(zhǔn)為1.0×10-6eV和0.04eV/。在異質(zhì)結(jié)體系中,可以用形成能反映復(fù)合材料的復(fù)合難易程度以及復(fù)合后的穩(wěn)定程度。形成能可定義為復(fù)合材料總能與完美體系總能之差,形成能的值

區(qū)域圖,差分,電荷,綠色


哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文-13-原子附近,C原子和O原子均表現(xiàn)為只得電子;NbO2/g-CN模型中電荷轉(zhuǎn)移范圍較廣,N原子既得到來自Nb原子和O原子的電子,同時又失電子,而Nb原子只失電子,并且失去的電子向O原子轉(zhuǎn)移,與KO/g-CN不同,這里的氧原子同時得電子與失電子,但得到的電子比失去的電子多得多,C原子依舊表現(xiàn)為只得電子,這與文獻(xiàn)[45]中g(shù)-C3N4性質(zhì)完全吻合,充分證明所搭建模型的真實(shí)性和可信性。圖2-3(a)KO/g-CN和(b)NbO2/g-CN的三維(3D)差分電荷密度黃色和綠色區(qū)域表示電荷耗盡和累積,等值分別為0.001和0.15eV·-3作為半導(dǎo)體光催化劑,其電子結(jié)構(gòu)是決定其光催化活性的關(guān)鍵因素。為了研究KNbO3/g-C3N4異質(zhì)結(jié)的光催化性能,g-C3N4單層、兩種KNbO3表面、NbO2/g-CN和KO/g-CN復(fù)合材料在可見光區(qū)的吸收光譜如圖2-4(a)所示。通過圖2-4中計(jì)算結(jié)果,可以發(fā)現(xiàn),g-C3N4單層與KNbO3表面復(fù)合之后,無論是在光吸收范圍還是光吸收強(qiáng)度上,復(fù)合材料都表現(xiàn)出更優(yōu)良的性能。在300nm處,兩種復(fù)合材料光吸收明顯減小,其中KO/g-CN復(fù)合材料的光吸收更是接近于0。兩種復(fù)合材料均在500nm附近達(dá)到峰值,NbO2/g-CN的吸收峰值幾乎是KO/g-CN的兩倍?紤]到晶體結(jié)構(gòu)的各向異性,又在(100)、(010)和(001)三個極化方向上分別計(jì)算KO/g-CN和NbO2/g-CN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光吸收性能,得到的吸收光譜如圖2-4(b)、(c)所示。KO/g-CN和NbO2/g-CN均在(001)方向上表現(xiàn)出良好的光學(xué)響應(yīng),但NbO2/g-CN在(100)方向上的吸收峰值約是(001)方向的1.4倍。這一結(jié)果表明,在實(shí)驗(yàn)制備KNbO3/g-C3N4復(fù)合材料的過程中,可以通過調(diào)節(jié)材料極化方向的方法達(dá)到調(diào)節(jié)復(fù)合異質(zhì)結(jié)光吸收能力的目的?偟膩碚f,KNbO3可以有效擴(kuò)大g-C3N4在可見光區(qū)域的吸?


本文編號:3229805

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