SiC w -Co復(fù)合材料的制備及吸波性能的研究
發(fā)布時(shí)間：2021-06-10 16:19
為了改善SiC晶須的磁損耗性能,提高吸波性能,擴(kuò)大其在科技、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。本實(shí)驗(yàn)采用化學(xué)鍍鈷的方式制備SiCw-Co復(fù)合材料,選定化學(xué)鍍?nèi)芤褐辛蛩徕挼馁|(zhì)量、化學(xué)鍍的時(shí)間、化學(xué)鍍的溫度三個(gè)因素,設(shè)計(jì)了一個(gè)"三因素三水平"的正交實(shí)驗(yàn),運(yùn)用極差分析法討論硫酸鈷的質(zhì)量、化學(xué)鍍的時(shí)間和溫度對(duì)SiCw-Co復(fù)合材料吸波性能的影響,最終得到制備SiCw-Co復(fù)合材料的最佳工藝。結(jié)果表明:在SiC晶須表面鍍鈷的最佳條件:化學(xué)鍍?nèi)芤褐辛蛩徕挼馁|(zhì)量為8.0 g,化學(xué)鍍時(shí)間為5 min,化學(xué)鍍的溫度為80℃。此時(shí)SiCw-Co復(fù)合材料的吸波性能最好,反射損失率最小為-20.12 dB,低于-10 dB的波段寬度約為3 GHz,同時(shí)具有一定的介電損耗和磁損耗能力。
【文章來源】：中國陶瓷. 2020,56(03)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】：6 頁
【圖文】：
補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)中材料的吸波性能
根據(jù)正交實(shí)驗(yàn)表里的9組正交實(shí)驗(yàn)的電磁性能測(cè)試結(jié)果，對(duì)樣品的反射損失率隨頻率變化繪圖，如圖1所示，由圖可知9組實(shí)驗(yàn)制得的試樣的反射損失率曲線處于6～11 GHz的頻率范圍，說明了試樣對(duì)電磁波均具有一定的吸收能力，但其程度大小不一。一般地，反射損失值達(dá)到-10 dB，就表示有高于90%的電磁波被材料所吸收，在圖1中第1組、第7組和第9組的反射率均低于-10 dB，他們都具有優(yōu)秀的吸波性能[14]。其中第9組實(shí)驗(yàn)制得的試樣，其反射損失遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他幾組試樣。將每組樣品的各影響因素所對(duì)應(yīng)的水平下的實(shí)驗(yàn)數(shù)值求和（K），然后將求和后的各個(gè)數(shù)值取平均值（k），最后再將所求平均值中的最大值與最小值做差，得到極差R。通過計(jì)算得到的反射率損失各因素極差結(jié)果如表2所示。
將正交實(shí)驗(yàn)表里的九組正交實(shí)驗(yàn)進(jìn)行電磁性能的測(cè)試，對(duì)樣品的磁損耗角正切加以分析。9組試驗(yàn)樣品的磁損耗隨頻率變化的曲線，如圖3所示。圖3是9組試樣的磁損耗隨頻率變化曲線，其主要吸收峰集中在頻率為6～14 GHz的范圍，說明試樣均具有一定的磁損耗能力，其中第2組、第7組和第9組試樣的磁損耗隨頻率變化曲線的幾個(gè)主要吸收峰的tanδμ平均值分別為1.31、1.33、1.37，所在頻段均較寬。這3組曲線的主要吸收峰的tanδμ平均值較大且頻段較寬，可實(shí)現(xiàn)多頻段吸收，所以從整體上來看，在這9組實(shí)驗(yàn)中，這3組實(shí)驗(yàn)的試樣的整體性能要比其它幾組的性能要好一些[15]。
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]掃描電鏡能譜儀譜峰鑒別方法[J]. 孫秋香,宋慶軍,盧慧粉,李丹丹. 理化檢驗(yàn)(物理分冊(cè)). 2018(10)
[2]淺析未來航空隱身材料的發(fā)展趨勢(shì)[J]. 蘇一鳴. 中國戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè). 2017(48)
[3]碳系吸波材料研究現(xiàn)狀及在建材中的應(yīng)用展望[J]. 何亮,譚丹君,王鵬起,李珂億. 中國材料進(jìn)展. 2017(Z1)
[4]SiC晶須的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 彭富昌. 化學(xué)工程與裝備. 2013(12)
[5]吸波材料的研究現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢(shì)[J]. 劉丹莉,劉平安,楊青松,唐國武,趙立英,曾凡聰. 材料導(dǎo)報(bào). 2013(17)
[6]掃描電子顯微鏡原理及特點(diǎn)[J]. 武開業(yè). 科技信息. 2010(29)
博士論文
[1]Fe基非晶合金薄膜復(fù)合材料制備及其吸波性能研究[D]. 周佳.南昌大學(xué) 2018
[2]碳基復(fù)合吸波材料的制備及性能研究[D]. 王雯.山東大學(xué) 2012
碩士論文
[1]Fe（Co/Ni/Zn）摻雜CeO2/RGO復(fù)合材料的制備及吸波性能研究[D]. 申子瑤.安徽理工大學(xué) 2018
[2]納米SiO2、SiC、ZnFe2O4@C復(fù)合物的合成及吸波性能研究[D]. 侯艷輝.浙江師范大學(xué) 2018
[3]碳化硅和氮化硅納米纖維的制備及其性能研究[D]. 陳洋.天津工業(yè)大學(xué) 2018
[4]CVD法生長(zhǎng)SiC晶須研究[D]. 嚴(yán)東泉.電子科技大學(xué) 2006
本文編號(hào)：3222711
【文章來源】：中國陶瓷. 2020,56(03)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】：6 頁
【圖文】：
補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)中材料的吸波性能
根據(jù)正交實(shí)驗(yàn)表里的9組正交實(shí)驗(yàn)的電磁性能測(cè)試結(jié)果，對(duì)樣品的反射損失率隨頻率變化繪圖，如圖1所示，由圖可知9組實(shí)驗(yàn)制得的試樣的反射損失率曲線處于6～11 GHz的頻率范圍，說明了試樣對(duì)電磁波均具有一定的吸收能力，但其程度大小不一。一般地，反射損失值達(dá)到-10 dB，就表示有高于90%的電磁波被材料所吸收，在圖1中第1組、第7組和第9組的反射率均低于-10 dB，他們都具有優(yōu)秀的吸波性能[14]。其中第9組實(shí)驗(yàn)制得的試樣，其反射損失遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他幾組試樣。將每組樣品的各影響因素所對(duì)應(yīng)的水平下的實(shí)驗(yàn)數(shù)值求和（K），然后將求和后的各個(gè)數(shù)值取平均值（k），最后再將所求平均值中的最大值與最小值做差，得到極差R。通過計(jì)算得到的反射率損失各因素極差結(jié)果如表2所示。
將正交實(shí)驗(yàn)表里的九組正交實(shí)驗(yàn)進(jìn)行電磁性能的測(cè)試，對(duì)樣品的磁損耗角正切加以分析。9組試驗(yàn)樣品的磁損耗隨頻率變化的曲線，如圖3所示。圖3是9組試樣的磁損耗隨頻率變化曲線，其主要吸收峰集中在頻率為6～14 GHz的范圍，說明試樣均具有一定的磁損耗能力，其中第2組、第7組和第9組試樣的磁損耗隨頻率變化曲線的幾個(gè)主要吸收峰的tanδμ平均值分別為1.31、1.33、1.37，所在頻段均較寬。這3組曲線的主要吸收峰的tanδμ平均值較大且頻段較寬，可實(shí)現(xiàn)多頻段吸收，所以從整體上來看，在這9組實(shí)驗(yàn)中，這3組實(shí)驗(yàn)的試樣的整體性能要比其它幾組的性能要好一些[15]。
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[5]吸波材料的研究現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢(shì)[J]. 劉丹莉,劉平安,楊青松,唐國武,趙立英,曾凡聰. 材料導(dǎo)報(bào). 2013(17)
[6]掃描電子顯微鏡原理及特點(diǎn)[J]. 武開業(yè). 科技信息. 2010(29)
博士論文
[1]Fe基非晶合金薄膜復(fù)合材料制備及其吸波性能研究[D]. 周佳.南昌大學(xué) 2018
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碩士論文
[1]Fe（Co/Ni/Zn）摻雜CeO2/RGO復(fù)合材料的制備及吸波性能研究[D]. 申子瑤.安徽理工大學(xué) 2018
[2]納米SiO2、SiC、ZnFe2O4@C復(fù)合物的合成及吸波性能研究[D]. 侯艷輝.浙江師范大學(xué) 2018
[3]碳化硅和氮化硅納米纖維的制備及其性能研究[D]. 陳洋.天津工業(yè)大學(xué) 2018
[4]CVD法生長(zhǎng)SiC晶須研究[D]. 嚴(yán)東泉.電子科技大學(xué) 2006
本文編號(hào)：3222711
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