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狄拉克半金屬的古斯-漢欣效應(yīng)研究

發(fā)布時(shí)間:2021-06-10 10:26
  當(dāng)光束在兩種不同介質(zhì)的界面反射時(shí),反射光束偏離了幾何期望的路徑,并有一個(gè)平移。這一平移被稱為Goos-H?nchen(GH)位移。鑒于其物理內(nèi)涵和潛在的應(yīng)用,GH位移已經(jīng)在很多材料中被研究,如電介質(zhì)、金屬、光子晶體、ε近零超材料、二維狄拉克半金屬-石墨烯等。三維狄拉克半金屬材料具有穩(wěn)定的化學(xué)狀態(tài),超高的載流子遷移率,具有廣闊的應(yīng)用前景,研究該材料的GH位移對(duì)于后續(xù)的研究和應(yīng)用具有重要意義。在本文中利用穩(wěn)態(tài)相位法研究了三維狄拉克半金屬材料表面上的古斯-漢欣位移。依據(jù)介電函數(shù)的實(shí)部,區(qū)分了三維狄拉克半金屬的高、低損耗電介質(zhì)響應(yīng)和金屬響應(yīng)。僅在金屬響應(yīng)區(qū)域,大的相位變化才會(huì)導(dǎo)致大的GH位移。在金屬響應(yīng)區(qū),當(dāng)TE偏振光入射時(shí),隨著費(fèi)米能級(jí)的增加,GH的位移總是為正且接近于零;而當(dāng)TM偏振光入射時(shí),GH位移總是為負(fù),只有極小值。此外,隨著溫度的降低,GH位移的紅移、振幅增強(qiáng)和角度位置的變化也會(huì)被觀察到。最后,討論了GH位移依賴光波長(zhǎng)、光入射角度和狄拉克半金屬層厚度的變化關(guān)系。分析了三維狄拉克半金屬與石墨烯結(jié)合的紅外波段的GH效應(yīng),并與石英玻璃的GH效應(yīng)進(jìn)行了對(duì)比。結(jié)果表明:覆蓋石墨烯加劇了反射光... 

【文章來源】:中南民族大學(xué)湖北省

【文章頁數(shù)】:48 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

狄拉克半金屬的古斯-漢欣效應(yīng)研究


古斯?jié)h欣位移圖

狄拉克半金屬的古斯-漢欣效應(yīng)研究


三維Dirac半金屬和Weyl半金屬之間的關(guān)系

狄拉克半金屬的古斯-漢欣效應(yīng)研究


理論預(yù)言的3NaBi的表面態(tài)和費(fèi)米面

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Aharonov-Bohm oscillations in Dirac semimetal Cd3As2 nanowires[J].   Science Foundation in China. 2016(02)
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本文編號(hào):3222202

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