電壓對鋁基復合材料表面微弧氧化膜性能的影響
發(fā)布時間:2021-06-07 02:49
對鋁基復合材料進行了微弧氧化處理。采用掃描電子顯微鏡、能譜儀、電化學工作站、涂層附著力自動劃痕儀等儀器,研究了電壓對微弧氧化膜性能的影響。結果表明:當電壓為400 V時,微弧氧化膜最為平整、均勻,耐蝕性最好,表面結合力最強。
【文章來源】:電鍍與環(huán)保. 2020,40(03)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:3 頁
【部分圖文】:
圖2為鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結果
糙且不均勻。這是因為擊穿總發(fā)生在相對薄弱??的區(qū)域,而相對較厚的區(qū)域若要被擊穿,則需要更高??的電壓[7]。當電壓為380?V時,微弧氧化膜逐漸變??得平整。當電壓為400?V時,微弧氧化膜表面開始??出現(xiàn)片狀組織,此時微弧氧化膜表面最為平整。當??電壓達到420?V時,高壓使得微弧氧化膜被輕微灼??燒?梢姡旊妷簽椋矗埃?V時,微弧氧化膜表面最為??平整、均勻,對基體的保護作用最好。??(c)?400?V?(d)?420?V??圖1不同電壓下所得微弧氧化膜的表面形貌??圖2為鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結果。微弧氧化膜中,0的質量分數(shù)為35.?54%,??Si的質量分數(shù)為26.?35%,Na的質量分數(shù)為??19.64%,八1的質量分數(shù)為12.32%,(:的質量分數(shù)??為?4.?10%。??C??AI??Si??J??Na??v??????1?2??EfkeV??圖2鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分析結果??2.2微弧氧化膜的耐蝕性??圖3為不同電壓下所得微弧氧化膜的極化曲??線。由圖3可知:基體的自腐蝕電流密度最高。隨??
;當電壓為400?V時,微弧氧化膜所能承受的最??大壓強到達最大值?梢姡旊妷簽椋矗埃?V時,微弧??氧化膜的表面結合力最好。??著電壓的升高,自腐蝕電流密度逐漸降低。當電壓??為400?V時,自腐蝕電流密度最低。但當電壓達到??420?V時,自腐蝕電流密度又升高。這是由于在420??V高壓處理過程中,火花放電的通道逐漸增大,導??致微弧氧化膜變得疏松、多孔。另外,由于自腐蝕電??位變化較小,所以忽略其對結果的影響?梢姡矗埃??V下所得微弧氧化膜的耐蝕性最好。??貌。由圖1可知:當電壓為360?V時,微弧氧化膜表??面粗糙且不均勻。這是因為擊穿總發(fā)生在相對薄弱??的區(qū)域,而相對較厚的區(qū)域若要被擊穿,則需要更高??的電壓[7]。當電壓為380?V時,微弧氧化膜逐漸變??得平整。當電壓為400?V時,微弧氧化膜表面開始??出現(xiàn)片狀組織,此時微弧氧化膜表面最為平整。當??電壓達到420?V時,高壓使得微弧氧化膜被輕微灼??燒。可見,當電壓為400?V時,微弧氧化膜表面最為??平整、均勻,對基體的保護作用最好。??(c)?400?V?(d)?420?V??圖1不同電壓下所得微弧氧化膜的表面形貌??圖2為鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結果。微弧氧化膜中,0的質量分數(shù)為35.?54%,??Si的質量分數(shù)為26.?35%,Na的質量分數(shù)為??19.64%,八1的質量分數(shù)為12.32%,(:的質量分數(shù)??為?4.?10%。??C??AI??Si??J??Na??v??????1?2??EfkeV??圖2鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分析結果??2.2微弧氧化膜的耐蝕性??圖3為
【參考文獻】:
期刊論文
[1]正向電壓對ZK60鎂合金微弧氧化過程及膜層的影響[J]. 杜翠玲,陳靜,湯莉,蘆笙,盧向雨,許蕾. 中國有色金屬學報. 2014(05)
[2]電壓對AZ31鎂合金微弧氧化涂層微觀結構及腐蝕性能的影響[J]. 顧艷紅,蔡曉君,寧成云,熊文名,岳文,郝保紅. 中國表面工程. 2012(06)
[3]正向電壓對鎂合金微弧氧化膜層相結構的影響[J]. 熊文名,寧成云,顧艷紅,張京. 稀有金屬材料與工程. 2011(12)
[4]鋁基復合材料微弧氧化陶瓷膜的組成與性能[J]. 辛世剛,宋力昕,趙榮根,胡行方. 無機材料學報. 2006(01)
[5]鎂合金微弧氧化處理電壓對陶瓷層的影響[J]. 陳宏,郝建民,王利捷. 表面技術. 2004(03)
[6]微弧氧化過程中電流和電壓變化規(guī)律的探討[J]. 李淑華,程金生,尹玉軍,辛文彤,楊潤澤. 特種鑄造及有色合金. 2001(03)
[7]表面處理對鋁基復合材料耐蝕性的影響[J]. 馮祖德,陳菲,林昌健,杜榮歸. 廈門大學學報(自然科學版). 2000(01)
本文編號:3215693
【文章來源】:電鍍與環(huán)保. 2020,40(03)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:3 頁
【部分圖文】:
圖2為鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結果
糙且不均勻。這是因為擊穿總發(fā)生在相對薄弱??的區(qū)域,而相對較厚的區(qū)域若要被擊穿,則需要更高??的電壓[7]。當電壓為380?V時,微弧氧化膜逐漸變??得平整。當電壓為400?V時,微弧氧化膜表面開始??出現(xiàn)片狀組織,此時微弧氧化膜表面最為平整。當??電壓達到420?V時,高壓使得微弧氧化膜被輕微灼??燒?梢姡旊妷簽椋矗埃?V時,微弧氧化膜表面最為??平整、均勻,對基體的保護作用最好。??(c)?400?V?(d)?420?V??圖1不同電壓下所得微弧氧化膜的表面形貌??圖2為鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結果。微弧氧化膜中,0的質量分數(shù)為35.?54%,??Si的質量分數(shù)為26.?35%,Na的質量分數(shù)為??19.64%,八1的質量分數(shù)為12.32%,(:的質量分數(shù)??為?4.?10%。??C??AI??Si??J??Na??v??????1?2??EfkeV??圖2鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分析結果??2.2微弧氧化膜的耐蝕性??圖3為不同電壓下所得微弧氧化膜的極化曲??線。由圖3可知:基體的自腐蝕電流密度最高。隨??
;當電壓為400?V時,微弧氧化膜所能承受的最??大壓強到達最大值?梢姡旊妷簽椋矗埃?V時,微弧??氧化膜的表面結合力最好。??著電壓的升高,自腐蝕電流密度逐漸降低。當電壓??為400?V時,自腐蝕電流密度最低。但當電壓達到??420?V時,自腐蝕電流密度又升高。這是由于在420??V高壓處理過程中,火花放電的通道逐漸增大,導??致微弧氧化膜變得疏松、多孔。另外,由于自腐蝕電??位變化較小,所以忽略其對結果的影響?梢姡矗埃??V下所得微弧氧化膜的耐蝕性最好。??貌。由圖1可知:當電壓為360?V時,微弧氧化膜表??面粗糙且不均勻。這是因為擊穿總發(fā)生在相對薄弱??的區(qū)域,而相對較厚的區(qū)域若要被擊穿,則需要更高??的電壓[7]。當電壓為380?V時,微弧氧化膜逐漸變??得平整。當電壓為400?V時,微弧氧化膜表面開始??出現(xiàn)片狀組織,此時微弧氧化膜表面最為平整。當??電壓達到420?V時,高壓使得微弧氧化膜被輕微灼??燒。可見,當電壓為400?V時,微弧氧化膜表面最為??平整、均勻,對基體的保護作用最好。??(c)?400?V?(d)?420?V??圖1不同電壓下所得微弧氧化膜的表面形貌??圖2為鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結果。微弧氧化膜中,0的質量分數(shù)為35.?54%,??Si的質量分數(shù)為26.?35%,Na的質量分數(shù)為??19.64%,八1的質量分數(shù)為12.32%,(:的質量分數(shù)??為?4.?10%。??C??AI??Si??J??Na??v??????1?2??EfkeV??圖2鋁基復合材料表面微弧氧化膜的能譜分析結果??2.2微弧氧化膜的耐蝕性??圖3為
【參考文獻】:
期刊論文
[1]正向電壓對ZK60鎂合金微弧氧化過程及膜層的影響[J]. 杜翠玲,陳靜,湯莉,蘆笙,盧向雨,許蕾. 中國有色金屬學報. 2014(05)
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[3]正向電壓對鎂合金微弧氧化膜層相結構的影響[J]. 熊文名,寧成云,顧艷紅,張京. 稀有金屬材料與工程. 2011(12)
[4]鋁基復合材料微弧氧化陶瓷膜的組成與性能[J]. 辛世剛,宋力昕,趙榮根,胡行方. 無機材料學報. 2006(01)
[5]鎂合金微弧氧化處理電壓對陶瓷層的影響[J]. 陳宏,郝建民,王利捷. 表面技術. 2004(03)
[6]微弧氧化過程中電流和電壓變化規(guī)律的探討[J]. 李淑華,程金生,尹玉軍,辛文彤,楊潤澤. 特種鑄造及有色合金. 2001(03)
[7]表面處理對鋁基復合材料耐蝕性的影響[J]. 馮祖德,陳菲,林昌健,杜榮歸. 廈門大學學報(自然科學版). 2000(01)
本文編號:3215693
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