隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,各種電磁輻射系統(tǒng)如手機(jī),電腦,電視機(jī)等的廣泛應(yīng)用帶來(lái)了日益嚴(yán)重的電磁污染問(wèn)題,給各種電子系統(tǒng)的應(yīng)用以及設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn),也給人們的生活帶來(lái)了越來(lái)越多的災(zāi)害和事故。因此開(kāi)發(fā)高效的屏蔽材料成為減少電磁干擾、解決電磁問(wèn)題的重要手段,是當(dāng)前材料科學(xué)的重點(diǎn)研究領(lǐng)域。電磁屏蔽材料表面通常具有較好的導(dǎo)電性,同時(shí)電磁波能夠在材料中進(jìn)行吸收和反射,而碳泡沫（Carbon Foam）作為一種富含泡孔結(jié)構(gòu)的碳材料,導(dǎo)電效果優(yōu)良,同時(shí)具有開(kāi)孔率大,相對(duì)比表面積較大,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。酚醛樹(shù)脂基碳泡沫（Phenolic Carbon Foam,PCF）具有原料來(lái)源廣泛,制作工藝簡(jiǎn)單的特點(diǎn),但是傳統(tǒng)酚醛樹(shù)脂基碳泡沫的泡孔結(jié)構(gòu)不均勻,導(dǎo)電性能不佳,并且壓縮性能也存在著缺陷,嚴(yán)重限制了它在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。目前在酚醛樹(shù)脂基碳泡沫電磁屏蔽效能改性方面,新材料的應(yīng)用仍然存在缺陷,石墨烯雜化粒子作為一種新型的材料,可以充分發(fā)揮兩種材料的優(yōu)異特點(diǎn),并且其獨(dú)特的三維結(jié)構(gòu)可以改善泡沫基體的泡孔結(jié)構(gòu),其良好的導(dǎo)電性在改善材料的導(dǎo)電性能和電磁屏蔽性能方面得以應(yīng)用。因此本文提出采用石墨烯雜化材料改性碳泡沫的電磁屏蔽效... 

【文章來(lái)源】：江南大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

電磁波在碳泡沫中的衰減

圖 2-1 GO/SiO2雜化材料的制備原理Figure 2-1 The schematic diagram of the preparation of GO/SiO2.2.1.4 GO/SiO2雜化材料改性碳泡沫的制備將 GO/SiO2雜化材料以 0.5wt%，1wt%，1.5wt%的比例加入酚醛樹(shù)脂中，以 3000r/的速度攪拌均勻，在樹(shù)脂中加入固化劑（苯酚磺酸），發(fā)泡劑（正戊烷），勻泡劑（Tween8表面活性劑（硅油）混合均勻后，放入模具中，在 75oC 條件下發(fā)泡 2h 制備出 GO/S雜化材料改性的酚醛泡沫；將上述制備好的酚醛基體放入丙酮溶液中浸泡 12h，去除沫內(nèi)未反應(yīng)的有機(jī)試劑。將樣品放入馬弗爐中,在 N2的氛圍下進(jìn)行高溫碳化,以 5℃的速度加熱到 300℃，保持 20min,再以 2℃/min 的速率加熱至 600℃，保持 30min，最以 1℃/min 的速率加熱至 800℃，保溫 1h。得到以酚醛樹(shù)脂為前驅(qū)體的 GO/SiO2改性泡沫。表 2-2 發(fā)泡過(guò)程中實(shí)驗(yàn)原料配比Table 2-2 The raw material and dosage of the experiment

圖 2-2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程流程圖Figure 2-2 The experimental process flow chart方法雜化材料的紅外光譜分析默飛世爾 NICOLET-10 型傅立葉紅外光譜儀（FTIRSpectrometer）產(chǎn)物進(jìn)行紅外表征，分析雜化材料及其中間產(chǎn)物的特征吸收峰，確所含基團(tuán)。雜化材料的透射電鏡分析日本日立公司 H-800-1 型透射電鏡觀察粒子的表觀形貌，探究 GO/形態(tài)變化。測(cè)試電壓加速為 20kV。雜化材料的 X 射線衍射分析進(jìn)一步探究 GO 以及 GO/SiO2雜化材料內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)中利限公司的 D8X 射線衍射儀對(duì) GO 以及 GO/SiO2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分米材料晶體的變化。測(cè)試電壓為 40kV，測(cè)試電流為 30mA，掃描范圍

【參考文獻(xiàn)】：
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