為研制真空紫外與極紫外波段Al基薄膜光學元件,詳細研究了Al基薄膜的應(yīng)力特性及其優(yōu)化方法。利用應(yīng)力實時測量裝置對共濺射技術(shù)制備的5種不同Si摻雜質(zhì)量分數(shù)（0、8.97%、16.49%、28.46%、45.73%）的Al-Si復合薄膜進行應(yīng)力測試,并采用X射線衍射法表征薄膜的結(jié)晶狀態(tài)。結(jié)果表明:Al薄膜中的應(yīng)力表現(xiàn)為壓應(yīng)力,隨著Si在Al中摻雜量的增加,Al中的壓應(yīng)力減小,并且Al的結(jié)晶度降低,Al（111）晶向的晶粒尺寸也減小,Al的結(jié)晶被抑制;當Si的摻雜質(zhì)量分數(shù)從18.63%增大到31.57%時,Al中的壓應(yīng)力轉(zhuǎn)變?yōu)閺垜?yīng)力,且張應(yīng)力隨Si摻雜量的增加而進一步增大。本研究為制備Al基濾片、單層膜和多層膜元件提供了技術(shù)支撐,在極紫外光刻、同步輻射和天文觀測領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。 

【文章來源】：光學學報. 2020,40(14)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 實 驗
    2.1 薄膜制備工藝
    2.2 薄膜應(yīng)力的實時測量
    2.3 薄膜的X射線反射與X射線衍射測量
3 分析與討論
    3.1 Al-Si復合薄膜的厚度
    3.2 Al-Si復合薄膜的應(yīng)力
    3.3 Al-Si復合薄膜的微結(jié)構(gòu)分析
4 結(jié) 論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3190730