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高體分率SiC P /Al-AA6061薄壁件材料制備及模鍛成形研究

發(fā)布時(shí)間:2021-04-29 11:53
  高體分率SiCP/Al復(fù)合材料具有高熱導(dǎo)率,低熱膨脹系數(shù)和低密度等特點(diǎn),滿足電子封裝在航天航空的性能要求。在實(shí)際應(yīng)用中高體分率SiCP/Al復(fù)合材料的界面潤濕性和界面反應(yīng)是研究焦點(diǎn),而制備方法和連接方法更是研究的難點(diǎn)。本文通過有限元方法研究不同SiC顆粒大小、體分率、顆粒形狀和氧化層厚度對(duì)SiCP/Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)的影響;使用半固態(tài)模鍛成形方法制備不同含量Mg,Si和SiC的SiCP/Al復(fù)合材料,使用OM、SEM和TEM對(duì)其進(jìn)行組織、物相和界面觀察,并進(jìn)行致密度、抗彎強(qiáng)度、熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)的測量;在前面實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,使用半固態(tài)模鍛成形連接技術(shù)研究不同的實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)SiCP/Al-Al薄壁件的成形和連接效果的影響,并對(duì)界面連接組織和剪切強(qiáng)度進(jìn)行分析,為高體分率SiCP/Al復(fù)合材料的成分設(shè)計(jì)和制備工藝提供借鑒。模擬結(jié)果表明:1.顆粒大小和顆粒形狀對(duì)SiCP/Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)影響不大;2.隨著SiC體分率... 

【文章來源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:83 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題研究背景和目的
    1.2 電子封裝材料
        1.2.1 電子封裝對(duì)材料的要求
        1.2.2 傳統(tǒng)電子封裝材料
        1.2.3 電子封裝用SiC_P/Al復(fù)合材料
    1.3 SiC_P/Al復(fù)合材料的制備方法
    1.4 SiC_P/Al復(fù)合材料的連接方法
        1.4.1 熔化焊
        1.4.2 釬焊
        1.4.3 固相焊接
        1.4.4 半固態(tài)連接
    1.5 研究內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)過程及研究方法
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)方案
    2.3 材料成分設(shè)計(jì)
        2.3.1 Mg對(duì)SiC_P/Al界面的影響
        2.3.2 Si對(duì)SiC_P/Al界面的影響
        2.3.3 SiC體分率
        2.3.4 SiC_P/Al復(fù)合材料設(shè)計(jì)
        2.3.5 SiC_P/Al復(fù)合材料坯料的制備
    2.4 顯微組織觀察及性能測試
        2.4.1 掃描電子顯微鏡(SEM)觀察
        2.4.2 透射電子顯微鏡(TEM)觀察
        2.4.3 致密度測試
        2.4.4 抗彎強(qiáng)度測試
        2.4.5 剪切強(qiáng)度測試
        2.4.6 熱膨脹系數(shù)測試
        2.4.7 熱導(dǎo)率測試
第3章 SiC_P/Al復(fù)合材料熱物理性能模擬
    3.1 引言
    3.2 導(dǎo)熱理論
        3.2.1 導(dǎo)熱影響因素
        3.2.2 導(dǎo)熱模型
    3.3 熱膨脹理論
        3.3.1 熱膨脹影響因素
        3.3.2 熱膨脹模型
    3.4 SiC_P/Al復(fù)合材料導(dǎo)熱性能模擬
        3.4.1 導(dǎo)熱模型的建立
        3.4.2 導(dǎo)熱模擬結(jié)果分析
    3.5 SiC_P/Al復(fù)合材料熱膨脹性能模擬
        3.5.1 熱膨脹模型的建立
        3.5.2 熱膨脹模擬結(jié)果分析
    3.6 本章小結(jié)
第4章 成分對(duì)SiC_P/Al復(fù)合材料性能的影響
    4.1 引言
    4.2 模具設(shè)計(jì)
        4.2.1 冷壓模具設(shè)計(jì)
        4.2.2 熱壓模具設(shè)計(jì)
        4.2.3 成形模具設(shè)計(jì)
    4.3 不同Mg含量對(duì)SiC_P/Al復(fù)合材料性能的影響
        4.3.1 不同Mg含量SiC_P/Al復(fù)合材料的界面情況
        4.3.2 不同Mg含量SiC_P/Al復(fù)合材料的力學(xué)性能分析
        4.3.3 不同Mg含量SiC_P/Al復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能分析
        4.3.4 不同Mg含量SiC_P/Al復(fù)合材料的熱膨脹性能分析
    4.4 不同Si含量對(duì)SiC_P/Al復(fù)合材料性能的影響
        4.4.1 不同Si含量SiC_P/Al復(fù)合材料的界面情況
        4.4.2 不同Si含量SiC_P/Al復(fù)合材料的力學(xué)性能分析
        4.4.3 不同Si含量SiC_P/Al復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能分析
        4.4.4 不同Si含量SiC_P/Al復(fù)合材料的熱膨脹性能分析
    4.5 不同SiC體分率對(duì)SiC_P/Al復(fù)合材料性能的影響
        4.5.1 不同SiC體分率SiC_P/Al復(fù)合材料的界面情況
        4.5.2 不同SiC體分率SiC_P/Al復(fù)合材料的力學(xué)性能分析
        4.5.3 不同SiC含量SiC_P/Al復(fù)合材料的熱物理性能分析
    4.6 本章小結(jié)
第5章 SiC_P/Al-AA6061薄壁件模鍛成形
    5.1 引言
    5.2 成形方案
        5.2.1 熱壓階段添加Al框
        5.2.2 成形階段添加Al框
        5.2.3 坯料加熱溫度
        5.2.4 坯料保溫時(shí)間
        5.2.5 SiC體分率
    5.3 模具優(yōu)化
        5.3.1 熱壓模具優(yōu)化
        5.3.2 成形模具優(yōu)化
    5.4 SiC_P/Al-AA6061薄壁件模鍛成形效果分析
        5.4.1 加熱溫度對(duì)SiC_P/Al-AA6061薄壁件模鍛成形的影響
        5.4.2 保溫時(shí)間對(duì)SiC_P/Al-AA6061薄壁件模鍛成形的影響
        5.4.3 SiC體分率對(duì)SiC_P/Al-AA6061薄壁件模鍛成形的影響
        5.4.4 SiC_P/Al-AA6061薄壁件致密度分析
    5.5 SiC_P/Al-AA6061薄壁件連接界面分析
        5.5.1 連接界面分析
        5.5.2 界面剪切強(qiáng)度
    5.6 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]不同SiCp預(yù)處理的SiCp/Al復(fù)合材料界面特征及耐蝕性[J]. 崔霞,周賢良,歐陽德來,劉陽,鄒愛華.  材料熱處理學(xué)報(bào). 2015(06)
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[3]電子封裝用金屬基復(fù)合材料的研究現(xiàn)狀[J]. 朱敏,孫忠新,高鋒,劉曉陽.  材料導(dǎo)報(bào). 2013(S2)
[4]高體積分?jǐn)?shù)SiCP/Al復(fù)合材料與可伐合金間真空釬焊研究[J]. 王鵬,李強(qiáng),牛濟(jì)泰.  熱加工工藝. 2013(19)
[5]SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的真空釬焊性研究[J]. 徐冬霞,陳龍,牛濟(jì)泰,薛行雁,孫華為.  熱加工工藝. 2013(05)
[6]保溫時(shí)間對(duì)高體積分?jǐn)?shù)SiCP/Al復(fù)合材料真空釬焊的影響[J]. 李強(qiáng),木二珍.  熱加工工藝. 2012(05)
[7]電子封裝材料的研究現(xiàn)狀及發(fā)展[J]. 方明,王愛琴,謝敬佩,王文焱.  熱加工工藝. 2011(04)
[8]電子封裝材料的研究現(xiàn)狀及趨勢[J]. 湯濤,張旭,許仲梓.  南京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2010(04)
[9]高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的超聲波釬焊[J]. 張洋,閆久春.  焊接. 2008(08)
[10]SiCp/6061復(fù)合材料半固態(tài)焊接特性研究[J]. 孫躍志,陳剛,雷玉成.  熱加工工藝. 2007(03)



本文編號(hào):3167480

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