采用無籽固相晶體生長法制備了鈮酸鉀鈉基壓電單晶,研究了晶體生長降溫階段的冷卻速率對該單晶的結(jié)構(gòu)和性能的影響。結(jié)果表明:通過優(yōu)化降溫速率有利于單晶的生長,易生長尺寸更大的單晶體;當(dāng)降溫速率較低時(shí),晶體表面更平坦,晶體質(zhì)量較高;在研究范圍內(nèi),降溫速率的改變對單晶的晶體結(jié)構(gòu)的影響較小;當(dāng)降溫速率為2.0℃/min時(shí),所制備的鈮酸鉀鈉基壓電單晶表現(xiàn)出優(yōu)異的壓電性能,其正壓電系數(shù)d₃₃達(dá)510 pC/N,逆壓電系數(shù)d^*₃₃達(dá)1 425 pm/V,同時(shí)晶體還具有較低的介電損耗tanδ=0.02,且Curie溫度較高T_C=416℃,和剩余極化強(qiáng)度P_r=20μC/cm²。通過優(yōu)化降溫速率采用無籽固相法生長的鈮酸鉀鈉基單晶是一種較有前景的壓電鐵電單晶材料,具有較大的潛在應(yīng)用價(jià)值。 

【文章來源】：硅酸鹽學(xué)報(bào). 2020,48(09)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 樣品制備
    1.2 樣品表征
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]錳摻雜量對0.96K0.5Na0.5NbO3-0.04Bi0.5Na0.5ZrO3無鉛壓電陶瓷性能的影響[J]. 李月明,洪璐,沈宗洋,王竹梅,洪燕.  機(jī)械工程材料. 2018(04)
[2]Multi-phase structure and electrical properties of Bi0.5Li0.5ZrO3 doping K0.48Na0.56NbO3 lead-free piezoelectric ceramics[J]. Xiaoyan PENG,Boping ZHANG,Lifeng ZHU,Lei ZHAO,Ruixiao MA,Bo LIU,Xiaodong WANG.  Journal of Advanced Ceramics. 2018(01)
[3]水溶液中磷酸二氫鉀結(jié)晶影響因素的研究[J]. 周存,孫菲.  化工新型材料. 2017(09)
[4]降溫速率對升級冶金硅定向凝固生長多晶硅少子壽命的影響[J]. 劉志輝,羅玉峰,龔洪勇,饒森林,張發(fā)云,胡云.  人工晶體學(xué)報(bào). 2017(01)
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[6]LiSbO3含量對BiMnO3摻雜K0.5Na0.5NbO3陶瓷的結(jié)構(gòu)與壓電性能的影響研究[J]. 江民紅,劉心宇,陳國華,朱歸勝,許積文,馬家峰.  無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2013(03)

碩士論文
[1]鉭鈮酸鉀鈉無鉛壓電單晶的生長及機(jī)電性能研究[D]. 何世蛟.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012



本文編號：3166272