采用水熱法-高溫煅燒處理制備Ni_xCo_1-xMoO₄（x=0、0.25、0.50、0.75和1.00）納米片陣列,利用XRD、FESEM、循環(huán)伏安法和恒流充放電測(cè)試方法,分析其晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和贗電容性能。研究表明:Ni_xCo_1-xMoO₄納米片陣列的晶體結(jié)構(gòu)和微觀形貌與Ni的相對(duì)含量有關(guān);其中,晶體結(jié)構(gòu)為NiMoO₄物相的Ni_0.50Co_0.50MoO₄納米片陣列顯示出高的比電容、增強(qiáng)的循環(huán)穩(wěn)定性和高倍率放電能力,是一種性能優(yōu)異的贗電容材料。 

【文章來源】：浙江理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016,35(06)

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 NixCo1-xMoO4納米片陣列的制備
    1.2 樣品的結(jié)構(gòu)表征和電化學(xué)測(cè)試
2 結(jié)果與分析
    2.1 材料表征
        2.1.1 樣品的XRD分析
        2.1.2 NixCo1-xMoO4的微觀結(jié)構(gòu)
    2.2 電化學(xué)測(cè)試性能
        2.2.1 循環(huán)伏安特性
        2.2.2 恒流充放電性能
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]在華馬來西亞華裔留學(xué)生的跨文化敏感度研究[D]. 葉僑艷.浙江大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3165999