發(fā)布時間：2021-04-18 11:56

　　吸波材料不僅在軍事領(lǐng)域具有特殊的戰(zhàn)略地位,在民用上也日趨廣泛。隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展,各相關(guān)領(lǐng)域?qū)ξú牧系囊蟛粌H有“寬、薄、輕、強(qiáng)”,還有多頻譜、高強(qiáng)度、耐高溫、抗輻射等。碳化硅（SiC）作為吸波材料具有密度低、熱膨脹系數(shù)小、強(qiáng)度高、耐化學(xué)腐蝕、抗氧化等優(yōu)點(diǎn),但其介電和吸波性能有待加強(qiáng)。本文以SiC納米線、有機(jī)硅前驅(qū)體轉(zhuǎn)化硅氧碳（PDCs-SiOC）復(fù)相陶瓷、SiC復(fù)合材料為對象,研究了幾種材料的制備工藝、電磁性能、吸波性能以及能量損耗機(jī)制。本文利用含氫聚硅氧烷（H-PSO）和二乙烯基苯（DVB）或四甲基四乙烯基環(huán)四硅氧烷（D4）的交聯(lián)體,通過氣相沉積法在石墨等基體表面生長SiC納米線。系統(tǒng)研究了反應(yīng)溫度、前驅(qū)體粒徑、生長基體、聚合物成分、催化劑對SiC納米線生長的影響,優(yōu)化了 SiC納米線的制備工藝。研究發(fā)現(xiàn),溫度和生長基體是影響SiC納米線生長的關(guān)鍵因素,溫度不低于1500℃的條件下在石墨基體表面制備出了結(jié)晶性高、純度高、線形結(jié)構(gòu)良好、產(chǎn)量高的SiC納米線;石墨板表面的活性碳原子以及粗糙多孔的結(jié)構(gòu)更容易促成SiC晶核的生成,進(jìn)而提高SiC納米線的產(chǎn)量。SiC納米線豐富的缺陷偶極... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：213 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２?（ａ）還原氧化石墨烯泡沫ＲＧＯ；?（ｂ）?ＺｎＯ納米線；（ｃ）?ＺｎＯ納米線／ＲＧＯ泡沫復(fù)合材料；（ｄ）??ＺｎＯ納米線／ＲＧＯ泡沫的界面【５２１??Ｆｉｇ．?１．２?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?（ａ）?ＲＧＯ?ｆｏａｍ；?（ｂ）?ＺｎＯｎＷｓ；?（ｃ）?ＺｎＯｎｗＳ／ＲＧ〇?ｆｏａｍ?ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ；?（ｄ）??ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ?ｂｅｔｗｅｅｎ?ＺｎＯｎｗｓ?ａｎｄ?ＲＧＯ?ｆｏａｍｌ５２］??

圖１．５不同前驅(qū)體聚合物高溫裂解陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)模型ｔ８６］：??（ａ）聚碳硅焼；（ｂ）聚硅氧燒；（ｃ）聚硅氮燒；（ｄ）聚硼硅氮烷??ｉｇ．?１．５?Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｍｏｄｅｌ?ｆｏｒ?ｃｅｒａｍｉｃ?ｄｅｒｉｖｅｄ?ｆｒｏｍ?（ａ）?ｐｏｌｙｃａｒｂｏｓｉｌａｎｅｓ；?（ｂ）?ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ；?（ｄ）?ｐｏｌｙｂｏｒｏｓｉｌａｚａｎｅ?ａｔ?ｈｉｇｈ?ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ＾８６１??

４Ｍ？＊ｃ＊ｎＵ，??Ｐｏｉｙｓｉｉａｚａｎｅｓ?Ｐｏｌｙｓｌｉｓｅｓｑｕｌａｚａｎｅｓ??圖１．４主要的硅基陶瓷聚合物前驅(qū)體？??Ｆｉｇ．?１．４?Ｍａｉｎ?ｃｌａｓｓｅｓ?ｏｆ?Ｓｉ－ｐｏｌｙｍｅｒ?ａｓ?ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ?ｆｏｒ?ｃｅｒａｍｉｃｓ［７８］??ＡＷ?Ａ?〇＇??喊獨(dú)？§〇、．吵??ＩＩＩ鹽??＿?ＳｉＣ?Ｓｉ３Ｎ４?ｔｕｒｂｏｓｔｒａｔｉｃ?Ｃ?ｐｏｒｅ??圖１．５不同前驅(qū)體聚合物高溫裂解陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)模型ｔ８６］：??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[6]碳化硅和氮化硅超長納米線的制備與性能研究[D]. 李公義.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010
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碩士論文
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[3]β-SiC@C/鋇鐵氧體納米復(fù)合材料的制備及其吸波性能研究[D]. 林亞男.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
[4]新型碳材料的制備及其復(fù)合材料介電性能的研究[D]. 孫達(dá).北京化工大學(xué) 2014
[5]SiC/SiO2/Co/SiO2納米線制備及吸波性能研究[D]. 矯金福.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[6]聚硅氧烷熱解合成三維致密碳氧化硅陶瓷[D]. 安海嬌.天津大學(xué) 2007
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本文編號：3145431