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外電場(chǎng)極化對(duì)納米氧化鋅結(jié)構(gòu)性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2021-04-17 13:54
  提高氣體選擇性是半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料研究的關(guān)鍵問(wèn)題。本文采用微波法制備了納米ZnO,進(jìn)一步對(duì)其進(jìn)行了外電場(chǎng)極化處理,研究極化效應(yīng)對(duì)納米氧化鋅性能的影響規(guī)律及機(jī)制。采用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)及拉曼光譜儀(Raman)對(duì)產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)、微觀形貌、拉曼活性等進(jìn)行了表征,測(cè)定了其在乙醇、丙酮?dú)夥罩械臍饷籼匦。結(jié)果表明,外電場(chǎng)極化導(dǎo)致ZnO在438cm-1處的拉曼特征峰強(qiáng)度明顯降低。隨著極化時(shí)間延長(zhǎng),納米ZnO氣敏元件在丙酮?dú)怏w中的靈敏度逐漸升高,在乙醇?xì)怏w中的靈敏度逐漸降低,外電場(chǎng)極化提高了納米ZnO對(duì)乙醇和丙酮?dú)怏w的選擇性。 

【文章來(lái)源】:材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2020,38(03)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)

【部分圖文】:

外電場(chǎng)極化對(duì)納米氧化鋅結(jié)構(gòu)性能的影響


不同極化時(shí)間納米ZnO的靈敏度/濃度曲線(a)丙酮和(b)乙醇

關(guān)系曲線,氧化鋅,納米,靈敏度


圖5 不同極化時(shí)間納米ZnO的靈敏度/濃度曲線(a)丙酮和(b)乙醇由于ZnO是一種n型半導(dǎo)體材料,當(dāng)氧原子或分子吸附于晶體表面時(shí),它從納米ZnO晶體中奪得電子而帶負(fù)電形成O-,所以納米ZnO表面空間電荷層中自由電子數(shù)量降低,導(dǎo)電能力下降,因此元件電阻升高[15]。當(dāng)氣敏元件處于還原性氣氛(丙酮、乙醇)中時(shí),待測(cè)氣體分子和O-產(chǎn)生反應(yīng),使之前被俘獲的電子得到釋放,自由電子數(shù)增加,材料電阻降低。Tian[4]等的研究中,Zn-O鍵表現(xiàn)出特征拉伸,樣品對(duì)乙醇的靈敏度提高。本研究中,可能是Zn-O鍵變短,導(dǎo)致樣品對(duì)乙醇的靈敏度呈降低趨勢(shì)。關(guān)于這點(diǎn)還需要進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)證實(shí),但外加電場(chǎng)對(duì)ZnO電子特性有著明顯影響是確鑿的。ZnO是極性分子,外部電場(chǎng)作用下產(chǎn)生的極化效應(yīng)的實(shí)質(zhì)是微觀上各種極化機(jī)制的協(xié)同作用,包括電子的極化,離子的極化、電偶極子取向極化等[24]。由于空位的存在,電場(chǎng)可以導(dǎo)致離子位置的躍遷,離子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)偶極矩,即離子間的鍵合會(huì)被拉長(zhǎng)或者縮短。外電場(chǎng)作用下,晶體中不同電性的缺陷,如氧空位、鋅間隙原子帶正電,會(huì)向陰極運(yùn)動(dòng);鋅空位、氧間隙原子帶負(fù)電,會(huì)向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)。缺陷遷移與氣敏性能之間的關(guān)系仍需深入研究。

示意圖,氧化鋅,納米,示意圖


將獲得的納米ZnO粉末充分研磨后,稱量0.4g,在8MPa壓力下保持30s,得到直徑為13mm、厚度為0.8mm的圓片,在150℃下干燥2h。在30℃下,將樣品在ET2673D-4型高壓極化儀上進(jìn)行極化處理,極化裝置如圖1所示。用一對(duì)平行高純鋁板(直徑13mm,厚度1mm)連接直流電源來(lái)提供電場(chǎng),采用的外電場(chǎng)強(qiáng)度為75kV/cm,極化時(shí)間分別取0、1、3、5h。2.2 納米氧化鋅的表征

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]外電場(chǎng)極化對(duì)納米氧化鋅拉曼活性及氣敏性能的影響[J]. 李釅,李嬌,陳麗麗,連曉雪,朱俊武.  物理學(xué)報(bào). 2018(14)
[2]外電場(chǎng)作用下ZnO分子的結(jié)構(gòu)特性研究[J]. 安躍華,熊必濤,邢云,申婧翔,李培剛,朱志艷,唐為華.  物理學(xué)報(bào). 2013(07)
[3]ZnO分子結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性[J]. 王秋云,謝安東,朱正和.  原子與分子物理學(xué)報(bào). 2006(06)

博士論文
[1]氧化鋅基半導(dǎo)體材料的拉曼光譜研究[D]. 孔晉芳.上海交通大學(xué) 2009

碩士論文
[1]外電場(chǎng)極化對(duì)納米氧化鋅結(jié)構(gòu)與性能的影響[D]. 李嬌.中國(guó)民航大學(xué) 2019
[2]SnO2/ZnO基氣敏材料制備及性能研究[D]. 趙方賢.中國(guó)民航大學(xué) 2017



本文編號(hào):3143566

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