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磁控濺射構(gòu)筑生物質(zhì)基新型儲能和電磁屏蔽材料研究

發(fā)布時間:2021-04-15 13:47
  農(nóng)林生物質(zhì)資源是自然界中取之不盡、用之不竭的天然綠色資源。以農(nóng)林生物質(zhì)資源為原料,通過拆解和重組可以得到具有大比表面積和高反應(yīng)活性的一維納米纖絲、二維納米薄膜和三維凝膠等材料。這些生物質(zhì)材料可以作為基質(zhì)與微納米功能單元復(fù)合,從而發(fā)展綠色新型的生物質(zhì)基功能材料。這些生物質(zhì)基質(zhì)不僅賦予了復(fù)合材料環(huán)保性、柔性和親水性等優(yōu)勢,還能作為微型反應(yīng)腔誘導(dǎo)微納米功能單元的沉積并抑制微納米物質(zhì)的團聚。已有研究表明,在生物質(zhì)基功能材料的制備過程中,微納米功能單元的純度、尺寸和形貌以及與生物質(zhì)基質(zhì)之間的界面結(jié)合效果對復(fù)合材料的關(guān)鍵性能具有重要影響。因此,發(fā)展新型的制備策略以實現(xiàn)生物質(zhì)基復(fù)合材料中活性功能單元的尺寸、形貌等關(guān)鍵性質(zhì)的精準控制以及多元組分之間界面的高效融合具有重要意義;诖,本論文引入高精度的磁控濺射法并結(jié)合循環(huán)伏安電氧化法等后處理技術(shù),在纖維素纖維、纖維素紙和纖維素多孔碳等多種生物質(zhì)基質(zhì)上生長形貌和尺寸精準可控的微納米活性材料,實現(xiàn)了高性能的生物質(zhì)基電化學(xué)儲能材料和電磁屏蔽材料的創(chuàng)制,拓展了生物質(zhì)資源的高值化利用途徑。本論文主要研究內(nèi)容和研究結(jié)果為以下幾個部分:(1)采用磁控濺射-電化學(xué)氧化... 

【文章來源】:東北林業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:129 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

磁控濺射構(gòu)筑生物質(zhì)基新型儲能和電磁屏蔽材料研究


圖1 ̄4電磁屏蔽機理示意圖??Figure?1-4.?Schematic?diagram?of?electromagnetic?shielding?mechanism.??

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圖1-3直流磁控派射原理示意圖??Figure?1-3.?Schematic?diagram?of?direct-current?magnetron?sputtering.??

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?東北林業(yè)大學(xué)博士學(xué)位論文?????打維?Am?n?排表n?維支i?c〇??f^£?f?ri7fc〇@c〇(〇H),??'Hl.|?」電化T??????J?.。:?'?v<?N?'警J??圖2-1.自支撐的纖維素纖維素纖維支撐C〇@C〇(OH)2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的合成示意圖??Figure?2-1.?Schematic?illustration?of?the?synthesis?of?the?free-standing?cellulose-supported?Co@Co(OH)2??heterostructure.??2.2材料與方法??2.2.1材料與試劑??纖維素紙由杭州富陽特種紙業(yè)有限公司提供(中國),產(chǎn)品型號為102。氫氧化鉀(KOH)??購自上海阿拉丁實業(yè)股份有限公司(中國),純度為分析純。聚四氟乙烯(PTFE)片購于杭??州大華塑料工業(yè)有限公司(中國)。鈷(Co)派射靶材購自中金研新材料科技有限公司(中??國),純度為99.99%。鉑(Pt)片購于江蘇優(yōu)質(zhì)電子儀器有限公司(中國),純度為99.99%。??高純氬氣(Ar)由哈爾濱卿華工業(yè)氣體有限公司提供。??2.2_2?備雅素纖維支撐c〇復(fù)合材料??采用直流磁控濺射技術(shù)(VTC-600-2HD,沈陽科晶儀器有限公司)在纖維素紙上沉積Co??層。纖維素紙和Co靶材(純度為99.99%)分另I遣于相距60?mm的陽極和陰極之間。磁控濺??射過程首先是將腔內(nèi)氣壓用真空泵抽至3xl(T3?pa,隨后以Ar氣體為濺射氣體,以11?sccm的??流速緩緩?fù)ㄈ脘跎淝粌?nèi)。派射功率設(shè)置為100?W,基質(zhì)轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)速控制在20?rpm,使得纖維素??紙基板上均勻

【參考文獻】:
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博士論文
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碩士論文
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[2]反應(yīng)磁控濺射制備氮化釩及其在晶硅太陽能電池上的應(yīng)用[D]. 毛琳.北京交通大學(xué) 2017
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[5]非平衡磁控濺射CrNiTiN涂層的組織及性能研究[D]. 李娜.浙江工業(yè)大學(xué) 2013
[6]直流磁控濺射法制備氧化錫薄膜阻變存儲器的研究[D]. 劉寶營.復(fù)旦大學(xué) 2012



本文編號:3139453

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