ZnO是一種新型多功能半導體材料,禁帶寬度為3.37eV,激子結合能為60meV,具有光學性質(zhì),光催化性,導電性等諸多優(yōu)越性能;MoS₂是一種新型半導體材料,有較高的載流子遷移率,高的比表面積,與金屬有很強的附著性�；诒姸鄡�(yōu)點,它們主要應用在傳感器、光催化及發(fā)光二極管等領域。然而,ZnO作為一種光催化劑半導體材料仍然存在自身缺陷。因其禁帶寬度較寬,僅能被短波長的紫外光激發(fā)對紫外光有較強的吸收而對太陽光的利用率比較低,催化效率相對較低。針對上述問題我們展開了研究,主要內(nèi)容如下:（1）通過水浴方法合成多枝ZnO微納結構。通過降解羅丹明B溶液研究ZnO微納材料的光催化活性,結果表明ZnO降解羅丹明B溶液3 h降解率達到85%。同時研究了其光學性質(zhì)。（2）采用水熱法成功制備出MoS₂材料,研究了退火對材料晶體結構的影響。研究表明,800°C退火后的樣品仍保持其原有的晶體結構。同時研究MoS₂光催化效率,結果表明MoS₂具有超強的吸附特性。（3）采用水浴法制備了MoS₂/ZnO復合材料... 

【文章來源】：長春理工大學吉林省

【文章頁數(shù)】：43 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

ZnO晶體結構

圖 1.2 不同形貌的 MoS2材料2001年，中國科技大學的Y Peng等人[10]，采用水熱法在150~180℃的條件下，成的制備出了單分子層的MoS2材料，對材料進行分析發(fā)現(xiàn)MoS2具有較高比表面積，并發(fā)現(xiàn)它對于催化分解水合肼有著很強的能力；2005年，丹麥的Berit Hinnemann 等人研究了MoS2材料在電化學析氫方面進行了研究，發(fā)現(xiàn)MoS2材料是一種很有前途的催劑；在2012年，Keng-Ku Liu等人，采用熱分解硫代鉬酸銨的方法，成功的制備了大積的MoS2薄膜，合成的MoS2薄膜有著良好的結晶度。在2013年，Oriol Lopez-San等人[12]，將MoS2薄膜材料制備成場效應晶體管，并研究其光響應性能，結果表明其現(xiàn)出了極高的光響應性能，達到了880AW-1，超過了第一代石墨烯光電探測器的性1.3.1 MoS2的物理性質(zhì)MoS2是一種典型的二維層狀納米材料，具有六方晶系層狀結構，是種常見的金硫化物，具有“三明治夾心”層狀結構稱號（圖 1.3）。由于其每一片層內(nèi)部都是由 S-M共價鍵形式結合的，而層與層之間則主要是以弱的范德瓦爾斯相互作用力相結合，此這種層狀的晶體結構容易導致 MoS2層間沿片層面滑動。由于 MoS2 結構的特殊

圖 1.3 MoS2的結構示意圖具有特殊的二維層狀結構和能帶結構，近年來在光學因素都使得 MoS2具有獨特的光學性質(zhì)，如熒光的吸性質(zhì)都使得 MoS2納米材料有望在光電器件上擁有著要的條件和優(yōu)勢。2010 年，Splendiani[13]發(fā)現(xiàn) MoS2納光強度與 MoS2薄膜的厚度成反比，厚度變大時其發(fā)別給出了 MoS2薄膜的紫外和光致發(fā)光圖。從其結果的激光器去照射機械剝離法制備的 MoS2薄膜的后，成了 MoS2材料的 PL 特征峰[14-15]。目前，大家還未對論，人們猜想是鉬原子在 3d 軌道上的電子與其他電子oS2材料的性質(zhì)，但是針對于這個猜想還需要進行后續(xù)采用微機械力剝離方法剝離制備 MoS2薄膜以外，并 2011 年，Eda 等人首次采用插層法成功制備出 MoS0°C 對樣品進行退火后，也同樣的觀察到了 PL 特征


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