ZnS納米晶量子點(diǎn)的制備及其作為拉曼散射增強(qiáng)基底的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-10 07:39
本論文通過水熱合成的方法制備了ZnS及Mn,Cu摻雜的ZnS納米晶量子點(diǎn),同時(shí)將其作為增強(qiáng)拉曼散射的基底,通過對(duì)體系的光學(xué)性質(zhì)及微觀晶體結(jié)構(gòu)的輔助表征,嘗試對(duì)ZnS量子點(diǎn)對(duì)表面分子的表面增強(qiáng)拉曼散射給出可靠的理論解釋。具體內(nèi)容如下:首先我們成功制備了ZnS納米晶,隨后在其表面修飾有機(jī)小分子,觀察到了表面增強(qiáng)拉曼散射光譜,并輔助對(duì)體系的一些光學(xué)及形貌表征給出ZnS作為表面增強(qiáng)拉曼散射基底的理論解釋。我們認(rèn)為,在這樣的體系中,半導(dǎo)體與分子之間的電荷轉(zhuǎn)移共振對(duì)體系的拉曼散射增強(qiáng)做了主要貢獻(xiàn)。半導(dǎo)體納米材料的表面缺陷態(tài)含量的多少會(huì)在一定程度上導(dǎo)致待測(cè)分子SERS活性的增強(qiáng)。隨后,為了驗(yàn)證我們的理論解釋,我們成功制備了不同濃度Mn,Cu摻雜的ZnS納米晶,旨在改變體系的電子及晶格結(jié)構(gòu),并對(duì)Mn:ZnS,Cu:ZnS納米晶進(jìn)行光學(xué)及形貌表征。進(jìn)而深入探索半導(dǎo)體納米粒子與被吸附分子作用的拉曼散射信號(hào)增強(qiáng)的機(jī)制,最終能夠拓寬SERS活性基底的選擇范圍。
【文章來源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
a-d所示分別為單純ZnS納米晶、4-MBA修飾的ZnS納米晶、4-Mpy修飾的ZnS、PATP修飾的ZnS納米晶分散于水中的UV-vis吸收光譜
本文編號(hào):3129252
【文章來源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
a-d所示分別為單純ZnS納米晶、4-MBA修飾的ZnS納米晶、4-Mpy修飾的ZnS、PATP修飾的ZnS納米晶分散于水中的UV-vis吸收光譜
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