金納米顆粒/金剛石復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備與光學(xué)性質(zhì)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-09 22:43
金剛石是最重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,同時(shí)具有多種光、熱、電、磁等多種優(yōu)異特性,應(yīng)用價(jià)值十分巨大。近年來(lái),除了高質(zhì)量金剛石體材料的生長(zhǎng)特性及應(yīng)用的研究取得重大進(jìn)展之外,金剛石的微納結(jié)構(gòu)化和金剛石色心的研究正成為金剛石領(lǐng)域的前沿和熱點(diǎn)研究課題。金剛石的納微結(jié)構(gòu)化可以提升自身多種優(yōu)異特性,并獲得與尺寸及結(jié)構(gòu)相關(guān)的新性質(zhì)。金剛石中的色心具有單色性高、穩(wěn)定性好、可室溫操作等優(yōu)勢(shì),可滿足單光子量子信息處理等應(yīng)用的需求。迄今為止,在金剛石中發(fā)現(xiàn)的500多種色心發(fā)光特性研究中,涉及氮空位(N-V)和硅空位(Si-V)色心的最多。為了進(jìn)一步提高各色心的輻射量子產(chǎn)率和發(fā)光強(qiáng)度,人們將各種納米結(jié)構(gòu)與金剛石色心發(fā)光相結(jié)合,基于表面等離激元共振耦合,在理論和實(shí)驗(yàn)上都取得了重要進(jìn)展,極大地拓展了金剛石的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究領(lǐng)域。本文利用氧等離子體刻蝕覆金單晶金剛石單晶,制備了一種新型金剛石基的復(fù)合結(jié)構(gòu),即金納米顆粒(Au nanoparticle, Au-NP)/金剛石納米坑(diamond-nanopit)的Au-NP/diamond-nanopit。深入研究了該復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程及形成機(jī)制,基于該結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了對(duì)Si...
【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:110 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
金剛石原子結(jié)構(gòu)和晶胞
.2蜂窩狀金剛石納米孔(nanoporous honeycomb)Masuda 和 Fujishima 等人在 2000 年采用射頻等離子體刻蝕機(jī)產(chǎn)生的氧,以多孔 Al2O3作為模板,在拋光的本征及硼摻雜 CVD 金剛石多晶膜蜂窩狀納米孔結(jié)構(gòu)(圖 1.3a)[19]。圖 1.3b 為該結(jié)構(gòu)的剖面圖,其中,徑大小由模板的孔徑?jīng)Q定,孔洞的深度可以通過(guò)刻蝕時(shí)間進(jìn)行控制。的引入,使得硼摻雜金剛石薄膜的表面積增大。研究組開(kāi)展了該結(jié)構(gòu)方面的應(yīng)用研究[20-22],實(shí)驗(yàn)表明(圖 1.3c),該結(jié)構(gòu)與未刻蝕的硼摻雜金相比擁有更高的電容值,雙電層電容提高了~400 倍)[20]和更強(qiáng)的貯存(可存儲(chǔ)的能量密度達(dá) 76.5 Jg-1,優(yōu)于普通活性碳電極),及更優(yōu)異的能[21],并且在有機(jī)電解質(zhì)中具有高的孔阻抗[22]。如果基底為硅片上生長(zhǎng)膜,最后可以通過(guò)腐蝕掉硅片從而形成貫通的孔洞[23]。
在金剛石上進(jìn)行三維結(jié)構(gòu)的微加工是一個(gè)技術(shù)上的挑戰(zhàn)ivero 等人首次在高溫高壓(HTHP)Ib 型單晶金剛石上制備了脊,如圖 1.4a 所示。首先,對(duì)基底進(jìn)行離子注入,然后熱退火,從深度處形成掩埋層。之后,使用聚焦離子束(FIB)圖案銑削,使區(qū)域暴露,與化學(xué)試劑反應(yīng)刻蝕掉,隨后進(jìn)行剝離。最后進(jìn)行第去除制備過(guò)程中產(chǎn)生的殘存損傷。該結(jié)構(gòu)可用作波導(dǎo)元件,原理 所示。結(jié)果發(fā)現(xiàn),同金剛石塊狀晶體用作波導(dǎo)元件相比(圖 1.4于沿著結(jié)構(gòu)傳播模的干涉而在其輸出鏡中出現(xiàn)多模強(qiáng)度模式(圖波導(dǎo)行為奠定了良好的基礎(chǔ)。但由于使用 FIB,波導(dǎo)的長(zhǎng)度限制在2008 年,Hiscocks 等人[25]進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的改進(jìn),用光刻和反應(yīng))取代了 FIB 處理技術(shù),制備了長(zhǎng)達(dá) 2.7 mm 的脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)(圖金剛石上大規(guī)模生產(chǎn)波導(dǎo)和集成微米光器件成為可能。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]量子光源綜述[J]. 張曉峰,朱俊,曾貴華. 南京郵電大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2011(02)
[2]微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石膜裝置的研究進(jìn)展[J]. 黃建良,汪建華,滿衛(wèi)東. 真空與低溫. 2008(01)
[3]金剛石顏色成因探討[J]. 殷小玲. 超硬材料工程. 2007(02)
[4]金剛石膜的性質(zhì)、應(yīng)用及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀[J]. 顧長(zhǎng)志,金曾孫. 功能材料. 1997(03)
[5]金剛石的寶石學(xué)特征及改色研究[J]. 何雪梅,吳國(guó)忠,余曉艷. 礦床地質(zhì). 1996(S2)
[6]金剛石薄膜的導(dǎo)熱性質(zhì)研究[J]. 顧毓沁,余立新,朱德忠. 中國(guó)科學(xué)E輯:技術(shù)科學(xué). 1996(02)
博士論文
[1]CVD金剛石單晶生長(zhǎng)及金剛石晶體管的研究[D]. 成紹恒.吉林大學(xué) 2012
碩士論文
[1]硼和氮摻雜CVD金剛石膜的生長(zhǎng)及特性研究[D]. 盧冬.吉林大學(xué) 2010
[2]基于觸媒原理的CVD金剛石薄膜拋光[D]. 徐振浩.浙江工業(yè)大學(xué) 2010
本文編號(hào):3128436
【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:110 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
金剛石原子結(jié)構(gòu)和晶胞
.2蜂窩狀金剛石納米孔(nanoporous honeycomb)Masuda 和 Fujishima 等人在 2000 年采用射頻等離子體刻蝕機(jī)產(chǎn)生的氧,以多孔 Al2O3作為模板,在拋光的本征及硼摻雜 CVD 金剛石多晶膜蜂窩狀納米孔結(jié)構(gòu)(圖 1.3a)[19]。圖 1.3b 為該結(jié)構(gòu)的剖面圖,其中,徑大小由模板的孔徑?jīng)Q定,孔洞的深度可以通過(guò)刻蝕時(shí)間進(jìn)行控制。的引入,使得硼摻雜金剛石薄膜的表面積增大。研究組開(kāi)展了該結(jié)構(gòu)方面的應(yīng)用研究[20-22],實(shí)驗(yàn)表明(圖 1.3c),該結(jié)構(gòu)與未刻蝕的硼摻雜金相比擁有更高的電容值,雙電層電容提高了~400 倍)[20]和更強(qiáng)的貯存(可存儲(chǔ)的能量密度達(dá) 76.5 Jg-1,優(yōu)于普通活性碳電極),及更優(yōu)異的能[21],并且在有機(jī)電解質(zhì)中具有高的孔阻抗[22]。如果基底為硅片上生長(zhǎng)膜,最后可以通過(guò)腐蝕掉硅片從而形成貫通的孔洞[23]。
在金剛石上進(jìn)行三維結(jié)構(gòu)的微加工是一個(gè)技術(shù)上的挑戰(zhàn)ivero 等人首次在高溫高壓(HTHP)Ib 型單晶金剛石上制備了脊,如圖 1.4a 所示。首先,對(duì)基底進(jìn)行離子注入,然后熱退火,從深度處形成掩埋層。之后,使用聚焦離子束(FIB)圖案銑削,使區(qū)域暴露,與化學(xué)試劑反應(yīng)刻蝕掉,隨后進(jìn)行剝離。最后進(jìn)行第去除制備過(guò)程中產(chǎn)生的殘存損傷。該結(jié)構(gòu)可用作波導(dǎo)元件,原理 所示。結(jié)果發(fā)現(xiàn),同金剛石塊狀晶體用作波導(dǎo)元件相比(圖 1.4于沿著結(jié)構(gòu)傳播模的干涉而在其輸出鏡中出現(xiàn)多模強(qiáng)度模式(圖波導(dǎo)行為奠定了良好的基礎(chǔ)。但由于使用 FIB,波導(dǎo)的長(zhǎng)度限制在2008 年,Hiscocks 等人[25]進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的改進(jìn),用光刻和反應(yīng))取代了 FIB 處理技術(shù),制備了長(zhǎng)達(dá) 2.7 mm 的脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)(圖金剛石上大規(guī)模生產(chǎn)波導(dǎo)和集成微米光器件成為可能。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]量子光源綜述[J]. 張曉峰,朱俊,曾貴華. 南京郵電大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2011(02)
[2]微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石膜裝置的研究進(jìn)展[J]. 黃建良,汪建華,滿衛(wèi)東. 真空與低溫. 2008(01)
[3]金剛石顏色成因探討[J]. 殷小玲. 超硬材料工程. 2007(02)
[4]金剛石膜的性質(zhì)、應(yīng)用及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀[J]. 顧長(zhǎng)志,金曾孫. 功能材料. 1997(03)
[5]金剛石的寶石學(xué)特征及改色研究[J]. 何雪梅,吳國(guó)忠,余曉艷. 礦床地質(zhì). 1996(S2)
[6]金剛石薄膜的導(dǎo)熱性質(zhì)研究[J]. 顧毓沁,余立新,朱德忠. 中國(guó)科學(xué)E輯:技術(shù)科學(xué). 1996(02)
博士論文
[1]CVD金剛石單晶生長(zhǎng)及金剛石晶體管的研究[D]. 成紹恒.吉林大學(xué) 2012
碩士論文
[1]硼和氮摻雜CVD金剛石膜的生長(zhǎng)及特性研究[D]. 盧冬.吉林大學(xué) 2010
[2]基于觸媒原理的CVD金剛石薄膜拋光[D]. 徐振浩.浙江工業(yè)大學(xué) 2010
本文編號(hào):3128436
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