本文利用金相、XRD、SEM等方法研究了利用原位反應(yīng)噴射沉積成形及后續(xù)引入熱等靜壓工藝后的TiB₂/Si-Al復(fù)合材料的微觀組織結(jié)構(gòu)、熱導(dǎo)率及其熱膨脹系數(shù)與相成分的相互關(guān)系。結(jié)果表明,原位引入的TiB₂顆粒大部分位于初生Si相內(nèi)部且分布較均勻,初生Si相得到了顯著細(xì)化且Si相尺寸均一。隨著TiB₂顆粒數(shù)量增加,細(xì)化效果明顯。隨著Si含量的增加,TiB₂/Si-Al復(fù)合材料中Si相尺寸增大。熱等靜壓處理后,TiB₂/Si-Al復(fù)合材料的致密度提高。應(yīng)用P.G.模型（P.G.Klemens）、H-J模型（Hasselman-Johnson）與MEMA（Multiple-effective-medium-approximation model）模型研究了TiB₂/Si-Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率隨TiB₂顆粒與Si顆粒變化的情況。結(jié)果表明,TiB₂顆粒和Si顆粒含量的增加,復(fù)合材料的熱導(dǎo)率數(shù)值下降。少量（1%²

【文章來(lái)源】：煙臺(tái)大學(xué)山東省

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

電子封裝材料結(jié)構(gòu)的三個(gè)方面

術(shù)既可以用來(lái)生產(chǎn)各種金屬、陶瓷、硬質(zhì)合金除鑄件、鍛件的內(nèi)部疏松和空洞和裂紋等缺陷進(jìn)行熱等靜壓修復(fù)。藝較復(fù)雜，設(shè)備投資較大，并且只對(duì)具有特殊越性。子封裝材料的應(yīng)用封裝材料的應(yīng)用總結(jié)為以下幾個(gè)方面[45-48]：架和波導(dǎo)管?chē)娚涑练e成形硅-鋁合金封裝材料能板相匹配的熱膨脹系數(shù)很好結(jié)合起來(lái)。架?chē)娚涑练e成形硅-鋁合金封裝能提供低的熱性。

基礎(chǔ)上[56,58]。圖1.3為有效介質(zhì)近似原理思路構(gòu)建示意圖。假設(shè)在基體材料中添加數(shù)量為n的球形增強(qiáng)顆粒，且顆粒的半徑大小為a，電導(dǎo)率為 ，增強(qiáng)體顆粒處在半徑為R且電導(dǎo)率為 的有限基體中。當(dāng)在半徑為r（r R）的范圍施加電場(chǎng)，則球形顆粒的平均電勢(shì)E為：= （1-2）式1-2中， 是徑向矢量與施加電場(chǎng)方向之間的角度， 為描述外加電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)的一個(gè)參數(shù)，β為一個(gè)相關(guān)參數(shù)，具體表達(dá)形式如式1-3： =m pp m （1-3）而球形顆粒的體積可以表示為式1-4： = （1-4）將式1-4其帶入式1-3可以得到：圖1


本文編號(hào)：3128220