ZnO基納米復(fù)合材料的制備及其氣敏、光催化性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-09 02:14
由于各組分間的協(xié)同作用,使得ZnO基納米復(fù)合材料呈現(xiàn)出比純相ZnO更為優(yōu)異的性能,尤其是用于空氣中有毒有害氣體的檢測(cè)與環(huán)境水體中有機(jī)污染物的降解。本文選擇n型半導(dǎo)體ZnO作為研究對(duì)象,以提高其檢測(cè)有毒有害易揮發(fā)有機(jī)化合物和降解水體系中模擬污染物的能力為目標(biāo),以半導(dǎo)體復(fù)合和金屬離子摻雜為主要手段,系統(tǒng)地研究了ZnO基納米復(fù)合材料的制備、結(jié)構(gòu)、組成與其氣敏性能和光催化性能之間的關(guān)系,主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)論如下:(1)以CTAB為表面活性劑,尿素為礦化劑,在220℃水熱條件下制備了三維多級(jí)花狀結(jié)構(gòu)Zn2SnO4納米材料。SEM和TEM測(cè)試結(jié)果表明,花狀結(jié)構(gòu)Zn2SnO4由無數(shù)納米棒組裝而成。氣敏性能測(cè)試結(jié)果表明,與Zn2SnO4納米粒子相比,基于花狀結(jié)構(gòu)Zn2SnO4的氣敏元件對(duì)乙醇?xì)怏w具有更好的選擇性、更高的靈敏度和更短的響應(yīng)-恢復(fù)時(shí)間。氣敏元件的最佳工作溫度為380℃,在此工作溫度下,基于花狀結(jié)構(gòu)Zn2SnO4的氣敏元件對(duì)50 ppm乙醇?xì)怏w的靈敏度為30.4,響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間分別為10 s和7 s。花狀結(jié)構(gòu)Zn2SnO4氣敏性能增強(qiáng)的原因主要?dú)w因于其獨(dú)特的三維多級(jí)結(jié)構(gòu)增加了材料與目標(biāo)氣體的接...
【文章來源】:湖南大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:76 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1半導(dǎo)體光催化基本原理圖[4]??Fig.?1.1?The?mechanism?of?Semico打ductor?photocatalysis??
[1〇9]。具體制作過程如下:稱取少許Zn2Sn〇4樣品于瑪瑤研體中,滴入適量的無??水乙醇研磨30?min左右成均勻的糊狀,再將研磨后Zn2Sn〇4樣品涂于帶有測(cè)量電??極(Au電極)的陶瓷管外表面巧體結(jié)構(gòu)如圖2.1(a))。然后,將該陶瓷管置于lOO’C??電熱鼓風(fēng)干燥箱中烘干24?h,從而可W得到涂有均勻厚膜Zn2Sn〇4材料的陶瓷管,??然后將為其提供合適工作溫度的德絡(luò)加熱絲穿過陶瓷管,最后將該陶瓷管和加熱??絲一起固定在膠木底座上(結(jié)構(gòu)見圖2.1(b)),最終制得Zn2Sn〇4旁熱式燒結(jié)厚膜型??氣敏元件(結(jié)構(gòu)見圖2.1(c))。為提高氣敏元件的穩(wěn)定性,將焊接好的元件置于專??用的老化臺(tái)上,通3.5?V直流電壓,老化7?d,得到最終的氣敏元件。??!?Ni-Cr加雖?A喊陶纖;…??'A‘‘‘?I?■?-?*?'?......??圖2.1氣敏元件結(jié)構(gòu)圖??Fig.?2.1?The?structure?images?of?gas-se打sitive?element??本實(shí)驗(yàn)中材料的氣敏性能測(cè)試使用WS-30A(中國(guó)鄭州巧盛電子有限公司)氣??敏元件測(cè)試系統(tǒng)。該氣敏元件測(cè)試系統(tǒng)通過電流-電壓測(cè)試法,其基本原理如團(tuán)??2.2。將一個(gè)負(fù)載電阻(Rr)和氣敏元件串聯(lián),通過控制加熱電壓(Vh)給氣敏元件提??供一定的工作溫度
2.4結(jié)果與討論??2.4.1?X射線衍射分析(X民D)??為了測(cè)試所得樣品的物相結(jié)構(gòu),對(duì)所得樣品進(jìn)行了?XRD測(cè)試。圖2.3(a巧口??2.3(b)分別為所制備的花狀結(jié)構(gòu)Zn2Sn〇4和Zri2Sn〇4納米粒子的XRD圖譜,從圖??(a)??(b)??i""i.,???■*^*w?***^?峽,1.…人—一?,1",??fミS?i一?一玄馬一異瓦B??Y曼f曼直曼!??||?II?||?1?了I?11?1.1111|??20?30?40?50?60?70?80??圖2.3所得產(chǎn)物的X民D圖譜:(a)花狀結(jié)構(gòu)Zii2Sn〇4;?(b)Zn2Sn〇4納米粒子??Fig.?2.3?XRD?patterns?of?也e?final?product:?(a)打ower-like?Zn2Sn〇4;?(b)?compact?Zri2Sn〇4??18??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Mn摻雜花狀ZnO的合成及其光催化特性研究[J]. 位子涵,孫永嬌,趙振廷,梁燕飛,胡杰. 功能材料. 2015(09)
[2]Eu摻雜ZnO光催化劑降解制藥廢水[J]. 朱雷,羅李陳,汪恂. 環(huán)境工程學(xué)報(bào). 2015(04)
[3]Facile Synthesis as well as Structural, Raman, Dielectric and Antibacterial Characteristics of Cu Doped ZnO Nanoparticles[J]. Javed Iqbal,Nauman Safdar,Tariq Jan,Muhammad Ismail,S.S.Hussain,Arshad Mahmood,Shaheen Shahzad,Qaisar Mansoor. Journal of Materials Science & Technology. 2015(03)
[4]氧化鋅多孔微米花的制備及其氣敏性能研究[J]. 熊靜芳,肖佩,吳強(qiáng),王喜章,胡征. 化學(xué)學(xué)報(bào). 2014(04)
[5]Fe摻雜納米ZnO的制備及其光催化性能研究[J]. 馬龍濤,余小紅,魯燦,孟大維,王永錢,薛強(qiáng),尤雷. 人工晶體學(xué)報(bào). 2014(01)
[6]氧化鋅納米棒的制備及其光電性能的研究[J]. 鄭泳,張永愛,吳朝興,文亮,謝劍星,郭太良. 人工晶體學(xué)報(bào). 2011(03)
碩士論文
[1]錫酸鋅及其相關(guān)復(fù)合納米材料的制備、表征及應(yīng)用[D]. 陳小霞.福州大學(xué) 2011
本文編號(hào):3126712
【文章來源】:湖南大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:76 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1半導(dǎo)體光催化基本原理圖[4]??Fig.?1.1?The?mechanism?of?Semico打ductor?photocatalysis??
[1〇9]。具體制作過程如下:稱取少許Zn2Sn〇4樣品于瑪瑤研體中,滴入適量的無??水乙醇研磨30?min左右成均勻的糊狀,再將研磨后Zn2Sn〇4樣品涂于帶有測(cè)量電??極(Au電極)的陶瓷管外表面巧體結(jié)構(gòu)如圖2.1(a))。然后,將該陶瓷管置于lOO’C??電熱鼓風(fēng)干燥箱中烘干24?h,從而可W得到涂有均勻厚膜Zn2Sn〇4材料的陶瓷管,??然后將為其提供合適工作溫度的德絡(luò)加熱絲穿過陶瓷管,最后將該陶瓷管和加熱??絲一起固定在膠木底座上(結(jié)構(gòu)見圖2.1(b)),最終制得Zn2Sn〇4旁熱式燒結(jié)厚膜型??氣敏元件(結(jié)構(gòu)見圖2.1(c))。為提高氣敏元件的穩(wěn)定性,將焊接好的元件置于專??用的老化臺(tái)上,通3.5?V直流電壓,老化7?d,得到最終的氣敏元件。??!?Ni-Cr加雖?A喊陶纖;…??'A‘‘‘?I?■?-?*?'?......??圖2.1氣敏元件結(jié)構(gòu)圖??Fig.?2.1?The?structure?images?of?gas-se打sitive?element??本實(shí)驗(yàn)中材料的氣敏性能測(cè)試使用WS-30A(中國(guó)鄭州巧盛電子有限公司)氣??敏元件測(cè)試系統(tǒng)。該氣敏元件測(cè)試系統(tǒng)通過電流-電壓測(cè)試法,其基本原理如團(tuán)??2.2。將一個(gè)負(fù)載電阻(Rr)和氣敏元件串聯(lián),通過控制加熱電壓(Vh)給氣敏元件提??供一定的工作溫度
2.4結(jié)果與討論??2.4.1?X射線衍射分析(X民D)??為了測(cè)試所得樣品的物相結(jié)構(gòu),對(duì)所得樣品進(jìn)行了?XRD測(cè)試。圖2.3(a巧口??2.3(b)分別為所制備的花狀結(jié)構(gòu)Zn2Sn〇4和Zri2Sn〇4納米粒子的XRD圖譜,從圖??(a)??(b)??i""i.,???■*^*w?***^?峽,1.…人—一?,1",??fミS?i一?一玄馬一異瓦B??Y曼f曼直曼!??||?II?||?1?了I?11?1.1111|??20?30?40?50?60?70?80??圖2.3所得產(chǎn)物的X民D圖譜:(a)花狀結(jié)構(gòu)Zii2Sn〇4;?(b)Zn2Sn〇4納米粒子??Fig.?2.3?XRD?patterns?of?也e?final?product:?(a)打ower-like?Zn2Sn〇4;?(b)?compact?Zri2Sn〇4??18??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Mn摻雜花狀ZnO的合成及其光催化特性研究[J]. 位子涵,孫永嬌,趙振廷,梁燕飛,胡杰. 功能材料. 2015(09)
[2]Eu摻雜ZnO光催化劑降解制藥廢水[J]. 朱雷,羅李陳,汪恂. 環(huán)境工程學(xué)報(bào). 2015(04)
[3]Facile Synthesis as well as Structural, Raman, Dielectric and Antibacterial Characteristics of Cu Doped ZnO Nanoparticles[J]. Javed Iqbal,Nauman Safdar,Tariq Jan,Muhammad Ismail,S.S.Hussain,Arshad Mahmood,Shaheen Shahzad,Qaisar Mansoor. Journal of Materials Science & Technology. 2015(03)
[4]氧化鋅多孔微米花的制備及其氣敏性能研究[J]. 熊靜芳,肖佩,吳強(qiáng),王喜章,胡征. 化學(xué)學(xué)報(bào). 2014(04)
[5]Fe摻雜納米ZnO的制備及其光催化性能研究[J]. 馬龍濤,余小紅,魯燦,孟大維,王永錢,薛強(qiáng),尤雷. 人工晶體學(xué)報(bào). 2014(01)
[6]氧化鋅納米棒的制備及其光電性能的研究[J]. 鄭泳,張永愛,吳朝興,文亮,謝劍星,郭太良. 人工晶體學(xué)報(bào). 2011(03)
碩士論文
[1]錫酸鋅及其相關(guān)復(fù)合納米材料的制備、表征及應(yīng)用[D]. 陳小霞.福州大學(xué) 2011
本文編號(hào):3126712
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