利用硅烷偶聯(lián)劑改性納米SiO₂,制得改性納米SiO₂分散液和改性納米SiO₂顆粒.分別利用"機(jī)械法"和"氣泡法"制備納米SiO₂含量為2 wt%,3 wt%,4 wt%,5 wt%和6 wt%的未改性納米SiO₂復(fù)合環(huán)氧樹脂和改性納米SiO₂復(fù)合環(huán)氧樹脂,測試了復(fù)合環(huán)氧樹脂的擊穿特性和耐電暈特性.測試結(jié)果表明,復(fù)合環(huán)氧樹脂的擊穿場強(qiáng)和耐電暈性隨納米SiO₂含量的增加而增加,擊穿場強(qiáng)在5 wt%納米SiO₂含量時達(dá)到最大值,"氣泡法"制備的改性納米SiO₂復(fù)合環(huán)氧樹脂的擊穿場強(qiáng)和耐電暈性優(yōu)于所制備的其他復(fù)合環(huán)氧樹脂.以5 wt%納米SiO₂含量復(fù)合環(huán)氧樹脂為例,通過森下氏分散指數(shù)（Morisita’s index）方法對復(fù)合環(huán)氧樹脂中納米SiO₂的分散性進(jìn)行定量表征,得出"氣泡法"制得的納米SiO₂/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的分散性優(yōu)于... 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2016,65(24)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
    2.1 試樣制備
        2.1.1 納米Si O2改性
            1)制備改性納米Si O2分散液
            2)制備改性納米Si O2顆粒
        2.1.2 試樣制備
            1)“機(jī)械法”制備改性、未改性納米Si O2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料
            2)“氣泡法”制備改性納米Si O2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料
    2.2 擊穿試驗
    2.3 耐電暈試驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 擊穿特性
    3.2 耐電暈特性
    3.3 復(fù)合材料中納米Si O2分散性的定量表征
    3.4 納米Si O2分散性與復(fù)合材料擊穿場強(qiáng)和耐電暈性的關(guān)系
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]直流電暈充電下環(huán)氧樹脂表面電位衰減特性的研究[J]. 茹佳勝,閔道敏,張翀,李盛濤,邢照亮,李國倡.  物理學(xué)報. 2016(04)
[2]聚合物納米復(fù)合電介質(zhì)的界面性能研究進(jìn)展[J]. 羅楊,吳廣寧,彭佳,張依強(qiáng),徐慧慧,王鵬.  高電壓技術(shù). 2012(09)
[3]聚酰亞胺薄膜中電荷輸運機(jī)理和空間電荷特性[J]. 周力任,吳廣寧,高波,曹開江.  電工技術(shù)學(xué)報. 2009(12)



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