隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品朝著微型化和高頻化的方向發(fā)展。為了進(jìn)一步滿足磁性電子元器件的應(yīng)用需求,我們用半導(dǎo)體材料取代先前的絕緣體材料分別在玻璃基底和硅基底上制備鐵磁金屬/半導(dǎo)體多層膜。本文中,我們利用直流和射頻磁控濺射的方法,制備了[Fe65Co35/ZnO]n多層膜。而且還通過(guò)X射線衍射儀、高分辨率透射電鏡、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)、直流四探針?lè)ㄒ约笆噶烤W(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)、微結(jié)構(gòu)、電性和磁性進(jìn)行了一系列的研究。具體研究結(jié)果如下:X射線衍射結(jié)果表明:隨著半導(dǎo)體ZnO層厚度t的逐漸增加,ZnO的結(jié)晶度越來(lái)越好。金屬顆粒的結(jié)構(gòu)呈面心立方晶體的結(jié)構(gòu),并且Fe65Co35的顆粒尺寸從3.4 nm減小到2.7 nm。在傾斜濺射的[Fe65Co35/ZnO]50多層膜中,隨著t的增加,樣品的共振頻率fr大約4 GHz并且?guī)缀醣３植蛔�。這是由于氧化鋅層厚度的增加使得薄膜的飽和磁化強(qiáng)度減小和動(dòng)態(tài)各向異性場(chǎng)增加共同引起的。氧化鋅層厚度t=3.5 nm的電阻率達(dá)到2420μΩ?cm,μ’2G和μ’3G逐漸減小但μ’2G仍大于90,而μ″2G卻保持一個(gè)很低的值（<1.55）。因此,當(dāng)外場(chǎng)的頻率達(dá)到2 ... 

【文章來(lái)源】：天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

鐵磁性薄膜的部分應(yīng)用

原子的排列是呈長(zhǎng)程無(wú)序的，那么，材料的局域各向異性就過(guò)程中引起的一些局域應(yīng)變或缺陷。當(dāng)非晶體中顆粒間的相互異性的作用時(shí)，原子磁矩的取向就不再是沿著局域各向異性的空間圍繞著一個(gè)宏觀的有效各向異性的方向連續(xù)地改變?nèi)∠颉ｎw粒膜由于其自身的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，限制了飽和磁化強(qiáng)度和電阻率阻率是通過(guò)增加絕緣體成分或半導(dǎo)體成分而獲得，這樣便會(huì)以為代價(jià)，使得傳統(tǒng)的顆粒膜只能在導(dǎo)電逾滲閾值區(qū)域才會(huì)出現(xiàn)率[6]。為了可以在同一個(gè)樣品同時(shí)獲得既具有高飽和磁化強(qiáng)度膜，研究學(xué)者們通過(guò)構(gòu)建多層膜復(fù)合結(jié)構(gòu)、種子層以及元素?fù)蕉认拗芠9-11]。磁性金屬/絕緣體多層膜中，絕緣層將金屬層明確分構(gòu)不僅能夠有效地提高電阻率，還能保持一個(gè)相對(duì)高的飽和CoFe)–Si–O (6 nm)/Si–O(1 nm)多層膜與(CoFe)–Si–O 顆粒膜的比示。

圖 1-3 Co/Si 多層膜我國(guó)廈門大學(xué)的研究小組在室溫下通過(guò)直流磁控濺射制備了具有少量量的 FeNi–O[27-29]、FeCo–O[20]合金膜，結(jié)果顯示：在沒(méi)有加任何外部磁場(chǎng)情況下，只是在制備的過(guò)程中通入了少量氧氣，金屬合金膜也可以獲得很磁性質(zhì)和高頻性質(zhì)，如圖 1-3 所示。不同氧氣含量的Fe80Ni20–O薄膜具有很明顯的面內(nèi)單軸各向異性，飽和度幾乎接近一個(gè)常量，靜態(tài)磁導(dǎo)率以及鐵磁共振頻率與Landau–Lifshitz–GG)的計(jì)算結(jié)果一致。他們又利用Fe80Ni20-O的優(yōu)異的軟磁性質(zhì)及高頻性質(zhì)[Fe80Ni20–O/SiO2]n[28]多層膜和[Fe80Ni20–O/TiO2]n[29]多層膜。通過(guò)比較這兩

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Fe/Si多層膜的層間耦合與界面擴(kuò)散[J]. 倪經(jīng),蔡建旺,趙見(jiàn)高,顏世申,梅良模,朱世富.  物理學(xué)報(bào). 2004(11)



本文編號(hào)：3123296