隨著電子和電氣工業(yè)的發(fā)展，電子元器件正在向著小型化、高速化方向迅速發(fā)展，儲能指標(biāo)作為電子元器件中的一項關(guān)鍵指標(biāo)，長久以來受到廣泛關(guān)注。各國專家學(xué)者正在研究具有更高的介電常數(shù)、更低的介電損耗，以及加工性能更加優(yōu)異的儲能介電材料。隨著研究的不斷深入，制備得到的儲能介電復(fù)合材料種類越來越多，不僅如此，研究發(fā)現(xiàn)，由于復(fù)合材料兩相間界面相容性的好壞對復(fù)合材料的各項性能有著明顯影響，因此為改善復(fù)合材料兩相界面相容性國內(nèi)外學(xué)者做了很多嘗試。對于表征觀察復(fù)合材料分散界面相容性問題，也進(jìn)行了很多研究，目前絕大多數(shù)研究只停留在復(fù)合材料的定性分析，只有少數(shù)研究人員通過運用數(shù)字圖像處理技術(shù)，探索了定量表征復(fù)合材料兩相界面相容性的方法。本文采用不同種類和不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的偶聯(lián)劑對具有巨介電性能的鈦酸銅鈣CCTO進(jìn)行改性，并將改性之后的CCTO與溶于N,N二甲基甲酰胺DMF中的聚偏氟乙烯PVDF溶液混合，隨后旋轉(zhuǎn)涂覆制成復(fù)合薄膜，從而得到不同種類和不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)偶聯(lián)劑改性CCTO/PVDF復(fù)合薄膜。并且，對改性后的復(fù)合材料進(jìn)行形貌分析（SEM）、結(jié)構(gòu)分析（XRD）、紅外分析（FT-IR）以及介電性能和耐壓強度分析。最后... 

【文章來源】：北京理工大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：98 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

納米顆粒和微米顆粒的界面示意圖

圖 1.4 給出了 AlN 板多層堆疊和樹脂的熱傳導(dǎo)阻力。其中，界面的熱傳導(dǎo)阻力為 10-6m2·kW-1。通過聚合物和鋁之間的機(jī)械接觸界面測得熱阻的范圍是 10-4~m2·kW-1。另一方面，通過與聚乙烯和金剛石之間的共價鍵合界面，使用 MD 模型算可得熱電阻為 10-9m2·kW-1�？芍�，有機(jī)/無機(jī)界面的熱阻應(yīng)該在上述兩種情況之由于填料分為微米或納米尺寸，當(dāng)其分散在有機(jī)基質(zhì)中時會引起在界面上數(shù)量的顯不同，從而對復(fù)合材料熱阻的影響變得尤為重要。此外，用有機(jī)物改性后的界面熱比未改性的無機(jī)界面熱阻小。這表明有機(jī)物改性的無機(jī)表面可以有效地減少界面阻。除此之外，還有學(xué)者對復(fù)合材料的光學(xué)性能、拉伸性能及動態(tài)力學(xué)性能的影響進(jìn)行了研究[51]。圖 1.3 復(fù)合材料熱導(dǎo)率的核殼模型示意圖[50]

圖 1.4 給出了 AlN 板多層堆疊和樹脂的熱傳導(dǎo)阻力。其中，界面的熱傳導(dǎo)阻力約為 10-6m2·kW-1。通過聚合物和鋁之間的機(jī)械接觸界面測得熱阻的范圍是 10-4~10-22-1圖 1.3 復(fù)合材料熱導(dǎo)率的核殼模型示意圖[50]圖 1.2 未摻雜、nano-TiO2或 micro-TiO2/Epoxy 的相對介電常數(shù)和介電損耗[46]

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3120044