Mo/W基低維層狀過渡金屬硫系化合物的可控制備與物性研究
發(fā)布時間:2021-04-05 04:59
二維層狀過渡金屬硫系化合物(2D TMDCs)材料具有豐富的晶體結(jié)構(gòu)以及新穎的物理性質(zhì),2D TMDCs材料在光電催化、電學(xué)器件、光電探測等方面都具有很好的應(yīng)用前景。光致發(fā)光在半導(dǎo)體型TMDCs材料的物理性質(zhì)中最具代表性。他代表了TMDCs材料的帶隙結(jié)構(gòu)。同時,目前對于含Te元素的TMDCs材料的研究還有很多欠缺。大面積可控性制備高質(zhì)量含Te元素的TMDCs材料還處于初步階段。因此本文集中對MoS2、MoTe2和WTe2的可控制備與物性進(jìn)行了研究,并彌補了WTe2在電化學(xué)催化方面的空白。第一,通過MnO2來調(diào)控MoS2單晶的生長。我們發(fā)現(xiàn)MnO2可以有效的降低MoS2的形核速率從而促進(jìn)橫向生長。并且在生長基底的不同位置可以得到不同形貌的MoS2單晶(四邊形和三角形)。最后我們通過Raman、TEM和理論計算分析了MoS2單晶PL強度從中間到邊緣逐漸減小的現(xiàn)象。第二,通過...
【文章來源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:133 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
(a)常見的TMDCs材料以及他們的帶隙;(b)MoS2不同層數(shù)時的能帶結(jié)構(gòu)圖
華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文離是利用溶劑的表面張力來破壞TMDCs材料層間微弱的范果。通過離心去除尚未被剝離的塊體材料,從而得到單 1-5)[55]。該方法得到的 2D TMDCs 材料尺寸大多在幾百可以保持良好的晶體結(jié)構(gòu)[56, 57]。液相剝離法的關(guān)鍵點在于兩個基本條件才能得到理想的分散材料[58-60]。1)TMDC溶劑中;2)溶劑的表面能需要大于或者接近層狀材料的[61]指出 N-甲基吡絡(luò)烷酮是剝離 MoS2的有效溶劑;IPA 是剝離法可以低成本地批量制備少層 TMDCs 納米片,但該
要滿足兩個基本條件才能得到理想的分散材料[58-60]。1)TMDCs 材料在該溶劑中;2)溶劑的表面能需要大于或者接近層狀材料的表面能an 等人[61]指出 N-甲基吡絡(luò)烷酮是剝離 MoS2的有效溶劑;IPA 是剝離 B。液相剝離法可以低成本地批量制備少層 TMDCs 納米片,但該法難以材料。圖 1-5 液相超聲剝離法的示意圖Figure 1-5 Schematic description of ultrasonication mechanisms
本文編號:3119181
【文章來源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:133 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
(a)常見的TMDCs材料以及他們的帶隙;(b)MoS2不同層數(shù)時的能帶結(jié)構(gòu)圖
華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文離是利用溶劑的表面張力來破壞TMDCs材料層間微弱的范果。通過離心去除尚未被剝離的塊體材料,從而得到單 1-5)[55]。該方法得到的 2D TMDCs 材料尺寸大多在幾百可以保持良好的晶體結(jié)構(gòu)[56, 57]。液相剝離法的關(guān)鍵點在于兩個基本條件才能得到理想的分散材料[58-60]。1)TMDC溶劑中;2)溶劑的表面能需要大于或者接近層狀材料的[61]指出 N-甲基吡絡(luò)烷酮是剝離 MoS2的有效溶劑;IPA 是剝離法可以低成本地批量制備少層 TMDCs 納米片,但該
要滿足兩個基本條件才能得到理想的分散材料[58-60]。1)TMDCs 材料在該溶劑中;2)溶劑的表面能需要大于或者接近層狀材料的表面能an 等人[61]指出 N-甲基吡絡(luò)烷酮是剝離 MoS2的有效溶劑;IPA 是剝離 B。液相剝離法可以低成本地批量制備少層 TMDCs 納米片,但該法難以材料。圖 1-5 液相超聲剝離法的示意圖Figure 1-5 Schematic description of ultrasonication mechanisms
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