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氮化硼/聚酰亞胺薄膜的制備與性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-03-26 20:36
  氮化硼(BN)是一種寬帶隙的材料,具有良好的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性,同時(shí)因?yàn)槠渚哂休^強(qiáng)的中子吸收能力,在抗輻射材料方面也得到廣泛重視。然而,將氮化硼引入高分子聚合物時(shí),由于無機(jī)-有機(jī)混合物間的相互作用力較弱,氮化硼在有機(jī)聚合物中分散性較差,制備的復(fù)合材料表面不均勻,力學(xué)性能較差。目前的研究趨勢(shì)是將氮化硼表面進(jìn)行修飾改性,使其表面具備可與有機(jī)高分子進(jìn)行化學(xué)鍵合的基團(tuán)。聚酰亞胺(PI)是一種應(yīng)用非常廣泛的高分子材料,具有較好的熱學(xué)、力學(xué)、電學(xué)性能和抗輻射性能,可作為制備抗輻射復(fù)合材料的基體。本文中提供一種新型的氮化硼和聚酰亞胺復(fù)合的方法:通過用不同的硅烷偶聯(lián)劑修飾氮化硼,提高氮化硼在聚酰亞胺基體中的分散性,制備氮化硼/聚酰亞胺復(fù)合材料。在此基礎(chǔ)上,為了滿足高能電子輻射要求,引入納米鉛,制備厚度為1.0 mm以上的三明治結(jié)構(gòu)三層聚酰亞胺復(fù)合材料(PI/PI(Pb)/PI)和五層聚酰亞胺復(fù)合材料(PI/PI(MWNT-NH2)/PI(Pb)/PI(MWNT-NH2)/PI)。具體研究內(nèi)容如下:1.不同硅烷偶聯(lián)劑表面改性氮化硼。用甲基三乙氧基硅烷和γ-氨... 

【文章來源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:47 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

氮化硼/聚酰亞胺薄膜的制備與性能研究


康普頓效應(yīng)示意圖

示意圖,電子對(duì)生成,示意圖


東南大學(xué)碩士學(xué)位論文圖 1-2 康普頓效應(yīng)示意圖一個(gè)具有足夠能量的光子在接近原子核時(shí),在,將其所有能量全部釋放并消失的過程。較高傳遞給介質(zhì)分子或原子,因此正電子本身迅速完全熱化后,將與介質(zhì)分子或原子中的電子發(fā)為 0.51 MeV 的相反方向的γ光子,這個(gè)過程為

示意圖,原子序數(shù),入射光子,效應(yīng)


而產(chǎn)生兩個(gè)能量為 0.51 MeV 的相反方向的γ光子,這個(gè)過程為光化輻射或湮滅 1-3)[15]。圖 1-3 電子對(duì)生成示意圖這三種效應(yīng)發(fā)生的可能性與γ光子的能量和物質(zhì)的原子序數(shù)密切相關(guān),如圖 1-(1)在低能γ射線(0.01 MeV~5 MeV)與較高原子序數(shù)吸收物質(zhì)處,光電效應(yīng)占(2)在中等γ射線與較低原子序數(shù)吸收物質(zhì)處,以康普頓效應(yīng)為主;(3)在高能γ射線(15.0 MeV~100 MeV)與高原子序數(shù)吸收物質(zhì)處,以電子對(duì)效

【參考文獻(xiàn)】:
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本文編號(hào):3102213

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